1、南昌大学学士学位论文撰写要求及格式范文学士学位论文要求装订成册并应包含以下主要内容一、 毕业设计（论文）任务书二、开题报告三、南昌大学学士学位论文原创性申明四、毕业设计（论文）1、中文摘要2、外文摘要3、毕业设计（论文）全文五、外文资料原文六、外文资料译文 南昌大学本科生毕业设计说明书与毕业论文撰写的基本要求一篇完整的毕业设计说明书或毕业论文有题目、摘要、目录、引言（前言）、正文、结论、参考文献、附录和谢辞等几部分构成。一、毕业设计说明书撰写的主要内容与基本要求一份完整的毕业设计说明书应包括如下主要内容：1题目设计课题名称，要求简洁、确切、鲜明。2中外文摘要应扼要叙述本设计的主要内容、特点，文
2、字要简练。中文摘要约300字左右；外文摘要约250个实词左右。3目录主要内容的目录。4前言应说明本设计的目的、意义、范围及应达到的技术要求；简述本课题在国内（外）的发展概况及存在的问题；本设计的指导思想；阐述本设计应解决的主要问题。5正文（1）设计方案论证：应说明设计原理并进行方案选择。应说明为什么要选择这个方案（包括各种方案的分析、比较）；还应阐述所采用方案的特点（如采用了何种新技术、新措施、提高了什么性能等）。（2）设计及计算部分：这是设计说明书的重要组成部分，应详细写明设计结果及计算结果。（3）样机或试件的各种实验及测试情况：包括实验方法、线路及数据处理等。（4）方案的校验：说明所设计的
3、系统是否满足各项性能指标的要求，能否达到预期效果。校验的方法可以是理论分析（即反推算），包括系统分析；也可以是实验测试及计算机的上机运算等。6结论概括说明本设计的情况和价值 ，分析其优点、特色，有何创新，性能达到何水平，并指出其中存在的问题和今后的改进方向。7参考文献与附录在说明书的谢辞之后，应列出主要参考文献，并将各种篇幅较大的图纸、数据表格、计算机程序等附于说明书之后。8谢辞简述自己通过本设计的体会，并对指导老师和协助完成设计的有关人员表示谢意。二、毕业论文撰写的主要内容与基本要求1题目题目应该简短、明确，要有概括性，让人看后能大致了解文章的确切内容、专业的特点和学科的范畴。题目的字数要适
4、当，一般不宜超过20字。2中外文摘要摘要也称内容提要，应当以浓缩的形式概括研究课题的主要内容、方法和观点，以及取得的主要成果和结论，应反映整个论文的精华。中文摘要约300字左右为宜，同时要求写出250个实词左右的外文摘要。摘要应写得扼要、准确，一般在毕业论文全文完成后再写摘要。在写作中要注意以下几点：（1）用精练、概括的语言表达，每项内容均不宜展开论证。（2）要客观陈述，不宜加主观评价。（3）成果和结论性意见是摘要的重点内容，在文字上用量较多，以加深读者的印象。（4）要独立成文，选词用语要避免与全文尤其是前言和结论雷同。（5）既要写得简短扼要，又要行文活泼，在词语润色、表达方法和章法结构上要尽
5、可能写得有文采，以唤起读者对全文的阅读的兴趣。3目录论文编写完成后，为了醒目和便于读者阅读，可为论文编写一个目录。目录可分章节，每一章节之后应编写页码。4前言前言是全篇论文的开场白。它包括：（1）选题的缘由。（2）对本课题已有研究情况的评述。（3）说明所要解决的问题和采用的手段、方法。（4）概括成果及意义。作为摘要和前言，虽然所定的内容大体相同，但仍有很大的区别。区别主要在于：摘要一般要写得高度概括、简略，前言则可以稍微具体些；摘要的某些内容，如结论意见，可以作为笼统的表达，而前言中所有的内容则必须明确表达；摘要不写选题的缘由，前言则明确反映；在文字量上前言总是多于摘要。5正文正文是作者对自己
6、研究工作的详细表述。它占全文的较多篇幅。主要内容包括研究工作的基本前提、假设和条件；模型的建立，实验方案的拟定；基本概念和理论基础；设计计算的主要方法和内容；实验方法、内容及其结果和意义的阐明；理论论证，理论在实际中的应用等等。根据课题的性质，论文正文允许包括上述部分内容。正文的写作要求：（1）理论分析部分应写明所作的假设及其合理性，所用的分析方法、计算方法、实验方法等哪些是别人用过的，哪些是自己改进的，哪些是自己创造的，以便指导教师审查和纠正。这部分所占篇幅不宜过多，应以简练、明了的文字概略表达。（2）课题研究的方法与手段分别用以下几种方法说明。用实验方法研究课题，应具体说明实验用的装置、仪
7、器、原材料的性能是否标准，并应对所有装置、仪器、原材料做出检验和标定。对实验的过程或操作方法，力求叙述得简明扼要，对人所共知的或细节性的内容不必详述。用理论推导的手段和方法达到研究目的的，这方面内容一定要精心组织，做到概念准确，判断推理符合客观事物的发展规律，符合人们对客观事物的认识习惯与程序。换言之，要做到言之有序，言之有理，以论点为中枢，组织成完整而严谨的内容整体。用调查研究的方法达到研究目的的，调查目标、对象、范围、时间、地点、调查的过程和方法等，这些内容与研究的最终结果有关系，但不是结果本身，所以，一定要简述。但对调查所提供的样本、数据、新的发现等则应详细说明，这是结论产生的依据。若写
8、得抽象、简单、结论就立之不牢，分析就难以置信，写作中应特别予以重视。（3）结果与讨论是全文的心脏，一般要占较多篇幅，在写作时，应对研究成果精心筛选，把那些必要而充分的数据、现象、样品、认识等挑选出来，写进去，作为分析的依据，应尽量避免事无巨细，把所得的结果和盘托出。在对结果作定性和定量分析时，应说明数据的处理方法以及误差分析，说明现象出现的条件及其可观性，交代理论推导中认识的由来和发展，以便别人以此为依据进行核实验证，对结果进行分析后所得的结论和推论，也应说明其使用的条件与范围。恰当运用表和图作结果与分析，是科技论文通用的一种表达方式。6结论结论包括对整个研究工作进行归纳和综合而得出的总结；所
9、得结果与已有结果的比较以及在本课题的研究中尚存在的问题；对进一步开展研究的见解与建议。它集中反映作者的研究成果，表达作者对所研究课题的见解和主张，是全文的思想精髓，是文章价值的体现。一般写得概括、篇幅较短。撰写时应注意下列事项：（1）结果要简单、明确。在措辞上应严密，容易被人领会。（2）结果应反映个人的研究工作，属于前人和他人已有过的结论可不提。（3）要实事求是地介绍自己研究的成果，切忌言过其实，在无充分把握时，应留有余地。因为对科学问题的探索是永无止境的。7注释如有引用他人成果的，一定要有注释。不管在论文的哪一部分，采用到前人的观点、方法、结论、成果时，都必须注明其来源。如不这样做，就有抄袭
10、、剽窃、侵权之嫌。8参考文献与附录参考文献与附录是毕业论文不可缺少的组成部分。它反映毕业论文的取材来源、材料的广博程度及可靠程度。一份完整的参考文献也是向读者提供的一份有价值的信息资料。引用参考文献时，必须注意写法的规范性。此外，有些不宜放在正文中，但有参考价值的内容，可编入论文的附录中，如公式的推演、编写的算法语言程序等。如果论文中引用的符号较多，为了节省论文的篇幅，并且便于读者查对，可以编写一个符号说明，注名符号所代表的意义。 9谢辞谢辞是在论文的结尾处，以简短文字，对课题研究与写作过程中曾给予支持的人员，如指导老师及其他的人员，表示自己的谢意。这不仅是一种礼貌，也是对他人劳动的尊重，是治
11、学者应有的思想作风。三、毕业设计（论文）格式要求1毕业设计（论文）要求使用统一的封面格式，计量单位以国际单位制造（SI）为基础；注释用页末注，即把注文放在加注处一页的下端；公式、图表应按顺序编号，并与正文对应。2图纸尺寸按国家标准，图面整洁、布局合理、线条粗细均匀、圆弧连接光滑、尺寸标注规范、文字注释用工程字书写，图表须按规定要求或工程要求绘制。3参考文献以引用先后顺序编号（注于正文相应处），必须引用直接阅读的原文文献，已录用待发表的文章需引用时，必须注明刊物名称。请在文献题目后给出文献类型标识（专著M、论文集C、学位论文D、报告R、期刊J、标准S、专利P。科技书籍和专著：编著者译者书名M（文
12、集用C）版本出版地：出版者，出版年页码科技论文：作者篇名J刊名，出版年，卷号（期号）：页码 作者篇名单位博（硕）论文，年南昌大学本科生毕业设计（论文）书写式样一、页面设置：上2.54cm,下2.54cm,左3.67cm,右2.67cm，行间距1.35倍。二、目录：“目录”两字小三号宋体加粗，目录内容小四号宋体。三、摘要1 中文摘要：标题小二号宋体加粗，“专业、学号、姓名、指导教师”五号宋体，“摘要”两字四号宋体，摘要内容小四号宋体，“关键词”三字小四号宋体加粗，2 英文摘要：标题小二号Times New Roman 体加粗，“Abstract” 四号Times New Roman 体；“Abs
13、tract” 内容小四号Times New Roman 体，“Keyword”小四号Times New Roman 体加粗。四、正文：标题四号宋体，正文内容小四号宋体。五、图表：图表内容五号宋体。六、参考文献：参考文献四字四号宋体，参考文献内容小四号宋体，其中英文用小四号Times New Roman 体。七、致谢：致谢两字四号宋体，致谢内容小四号宋体。具体书写式样如下：附件17 密级： NANCHANG UNIVERSITY 学 士 学 位 论 文 THESIS OF BACHELOR（20 20 年）题 目 学 院： 系 专 业： 班 级： 学 号： 学生姓名： 指导教师： 起讫日期： 1
14、、目录式样（内容小四号宋体）目 录（小三号宋体）摘要Abstract 第一章 GaN基半导体材料及器件进展（多数文章为“绪论”） 11 .1 III族氮化物材料及其器件的进展与应用 1 1. 2 III族氮化物的基本结构和性质 41. 3 掺杂和杂质特性 121. 4 氮化物材料的制备 131. 5 氮化物器件 191. 6 GaN基材料与其它材料的比较 221. 7 本论文工作的内容与安排 24第二章 氮化物MOCVD生长系统和生长工艺 31 2. 1 MOCVD材料生长机理 31 2. 2本论文氮化物生长所用的MOCVD设备 32结论 136参考文献（References）138致谢 15
15、02、摘要式样（1）中文摘要式样（内容小四号宋体）III-族氮化物及其高亮度蓝光 LED外延片的MOCVD生长和性质研究（小二号宋体）专 业： 学 号： 学生姓名： 指导教师：（五号宋体）摘 要（四号宋体）宽禁带III族氮化物半导体材料在短波长高亮度发光器件、短波长激光器、光探测器以及高频和大功率电子器件等方面有着广泛的应用前景。自1994年日本日亚化学工业公司率先在国际上突破了GaN基蓝光LED外延材料生长技术以来，美、日等国十余家公司相继报导掌握了这项关键技术，并分别实现了批量或小批量生产GaN基LED。尽管如此，这项高技术仍处于高度保密状态，材料生长的关键思想及核心技术仍未公开，还无法从
16、参考文献及专利公报中获取最重要的材料生长信息。本论文就是在这种情况下立题的，旨在研究GaN基材料生长中的物理及化学问题，为生长可商品化的高亮度GaN基LED外延材料提供科学依据。本文在自制常压MOCVD和英国进口MOCVD系统上对III族氮化物的生长机理进行了研究，对材料的性能进行了表征。通过设计并优化外延片多层结构，生长的蓝光LED外延片质量达到了目前国际上商品化的中高档水平。并获得了如下有创新和有意义的研究结果：1首次提出了采用偏离化学计量比的缓冲层在大晶格失配的衬底上生长单晶膜的思想，并在GaN外延生长上得以实现。采用这种缓冲层，显著改善了GaN外延膜的结晶性能，使GaN基蓝光LED器件
17、整体性能大幅度提高，大大降低了GaN基蓝光LED的反向漏电流，降低了正向工作电压，提高了光输出功率。本文得到了国家863计划、国家自然科学基金以及教育部发光材料与器件工程研究中心项目的资助。关键词（小四号宋体加粗）：氮化物； MOCVD； LED；卢瑟福背散射沟道；光致发光；光透射谱 （2）外文摘要式样（内容小四号Times New Roman 体） Study on MOCVD growth and properties of III-nitrides and high brightness blue LED wafers（小二号Times New Roman 体） Abstract （四号
18、Times New Roman 体）GaN based - nitrides have potential applications on high brightness LEDs, short wavelength lasers, ultraviolet detectors, high temperature and high power electronic devices. Study on physics issues and technologies of nitrides open a new area of 3th generation semiconductor.More th
19、an ten companies in America and Japan reported to have developed the nitrides growth technology since Nichia company in Japan first realized the commercialization of GaN based blue LED in 1994.In this thesis,GaN and its ternary were grown by a home-made atmosphere pressure metalorganic chemical vapo
20、r deposition (MOCVD) and Thomas Swan 62” MOCVD systems. High bright blue LED wafers were obtained by optimizing the nitrides growth technology and wafer structure. Some encouraging results are following as:1. We present the idea of using a buffer layer of deviation from stoichiometry for materials g
21、rowth on large lattice mismatch substrates. This idea was realized in nitrides growth in this thesis. The epilayer crystalline quality was improved and the dislocation density was decreased by using GaN low and high temperature buffer layers of deviation from stoichiometry. The RBS/channeling spectr
22、a exhibited that the minimum yield min of GaN layers was just only 1.5%. The leak electric current of GaN based LED was obviously decreased and lower than 1A at 5 volt reverse voltage by using this new buffer technology.This work was supported by 863 program in China.Keyword: （小四Times New Roman 体加粗）
23、Nitrides；MOCVD；LED；Photoluminescence；RBS/channeling；Optical absorption3、正文式样 （标题四号宋体，正文内容小四号宋体）第一章 GaN基半导体材料及器件进展1 .1 III族氮化物材料及其器件的进展与应用 在科学技术的发展进程中，材料永远扮演着重要角色。在与现代科技成就息息相关的千万种材料中，半导体材料的作用尤其如此。以Si为代表的第一代半导体诞生于20世纪40年代末，它们促成了晶体管、集成电路和计算机的发明。以GaAs为代表的第二代半导体诞生于20世纪60年代，它们成为制作光电子器件的基础。III族氮化物半导体材料及器件研
24、究历时30余年，前20年进展缓慢，后10年发展迅猛。由于III族氮化物特有的带隙范围，优良的光、电性质，优异的材料机械和化学性能，使得它在短波长光电子器件方面有着广泛的应用前景；并且非常适合制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件。III族氮化物半导体材料已引起了国内外众多研究者的兴趣。 12 III族氮化物的基本结构和性质 4、图表式样（内容五号宋体）（1）表式样表1-1用不同技术得到的带隙温度系数、Eg0、c和T0的值样品类型实验方法带隙温度系数dEg/dT(eV/K)T=300KEg0(eV)c (eV/K)T0 (K)参考文献GaN/Al2O3光致发光-5.3210-43.503
25、5.0810-4-99661GaN/Al2O3光致发光3.4897.3210-470059GaN/Al2O3光致发光-4.010-4-7.210-460062GaN/Al2O3光吸收-4.510-43.471-9.310-477263（2）图式样加热电阻气流测温元件测温元件图热风速计原理转换控制频率信 号 源频率控 制 器地址发生 器波形存储 器转换器滤波器频率设置波形数据设置 图2 DDS方式AWG的工作流程5、参考文献式样（内容小四号宋体）参考文献（References）（四号宋体）1 WellMultiple-modulator fraction-n dividerPUS Patent，
26、1986-02-022 Brian MillerA multiple modulator fractionl dividerJIEEE Transaction on instrumentation and Measurement，1991，40(2)：578-5833 万心平，张厥盛集成锁相环路原理、特性、应用M北京：人民邮电出版社，1990302-3074 MilerFrequency synthesizersPUS Patent，1991-08-065 Candy J CA use of double-integretion in sigma-delta modulationJIEEE Trans Commun，1985，33(COM)：249-2586 丁孝永调制式小数分频锁相研究D北京：航天部第二研究院，1997 参考文献以引用先后顺序编号（注于正文相应处），必须引用直接阅读的原文文献，已录用待发表的文章需引用时，必须注明刊物名称。请在文献题目后给出文献类型标识（专著M、论文集C、学位论文D、报告R、期刊J、标准S、专利P。
