1、半导体经常使用英语辞汇MFG 经常使用英文单字Semiconductor半导体 导体、绝缘体和半导体要紧依据导电系数的大小，决定了电子的移动速度。导体：金、银、铜、铁、人、水导电系数大，传导容易绝缘体：塑料、木头、皮革、纸导电系数小、传导不容易半导体：硅中加锗、砷、镓、磷平常不导电加特定电压后导电Wafer 芯片或晶圆：原意为法国的松饼，饼干上有格子状的饰纹，与FAB内生产的芯片图形类似。Lot 批；一批芯片中最多能够有25片，最少能够只有一片。ID Identification的缩写。用以辨识各个独立的个体，就像公司内每一个人有自己的识别证。Wafer ID 每一片芯片有自己的芯片刻号，叫W
2、afer ID。Lot ID 每一批芯片有自己的批号，叫Lot ID。Part ID 各个独立的批号能够共享一个型号，叫Part ID。WIP Work In Process，在制品。从芯片投入到芯片产品，FAB内各站积存了相当数量的芯片，统称为FAB内的WIP 。 一整个制程又可细分为数百个Stage和Step，每一个Stage所堆积的芯片，称为Stage WIP。 Lot Priority 每一批产品在加工的进程中在WIP中被选择进机台的优先级。Super Hot Run的优先级为1，视为品级最高，必要时，当Lot在上一站加工时，本站便要空着机台等待Super Hot Run。Hot Ru
3、n的优先级为2，紧急程度比Super Hot Run次一级。Normal的优先级为3，视为正常的品级，按正常的派货原那么，或视常班向生产指令而定。Cycle time 生产周期，FAB Cycle Time 概念为：从芯片投入到芯片产生的这一段时刻。Stage Cycle Time：Lot从进站等候开始到当站加工后出货时刻点截止。Spec. 规格Specification的缩写。产品在机台加工进程中，每一站均设定规格。机台加工后，产品或控片经由量测机台量测，该产品加工后，是不是在规格内。假设超出规格Out of SPEC，必需通知组长将产品Hold，并同时通知制程工程师前来处置，必要机会台要停
4、工，从头monitor，确信量测规格，藉以提升制程能力。SPC Statistics Process Control统计制程管制；透过统计的手法，搜集分析资料，然后调整机台参数设备改善机台状况或请让机台再处置每一批产品时，都能接近规定的规格，藉以提升制程能力。OI Operation Instruction操作指导手册；每同一型号的机台都有一份OI。能够共享一份OI。OI含括制程参数、机台程序、机械简介、操作步骤与注意事项。其中操作步骤与注意事项是咱们该熟记的部份。TECN Temporary Engineering Change Notice 临时工程变更通知。因应客户需求或制程规格短时间变
5、更而与.所订定的规格有所冲突时，由制程工程师发出TECN到线上，通知线上的操作人员规格变更。因此上班交接以后，第一件事应先阅读TECN并熟记，阅读后并要在窗体上签名。TECN既为短暂，就必需设按期限，过时的TECN必需交由组长，转交Key-in回收！ Q：当.与TECN有冲突时，以哪个为标准？Yield 当月出货片数 良率= 当月出货片数+当月报废片数 良率越高，本钱越低。Discipline 简单称之为纪律。泛指经由训练与试探，对群体的价值观产生认同而自我约束，使群体能在既定的标准内达到目标，与一样的盲从不同。 制造部整体纪律的表现，能够由FAB执行6S够不够完全和操作错误多寡 作为衡量标准
6、！ FAB内整体的纪律表现，能够反映在Yield上。AMHS Automatic Material Handling System：自动化物料传输系统。 FAB内工作面积愈来愈大，且放8吋芯片的POD重达千克左右，利用 人力输送的情形要尽可能幸免，再那么考虑FAB WIP的增加，要有效追踪治理 每一个LOT，让FAB的贮存空间向上进展，而不治对FAB内的Air Flow影 响太大，因此进展AMHS。有人称号AMHS或是Overhead Transportation。 广义的AMHS，应包括Interbay和Intrabay。Process and Equipment Process：以化工反映
7、加工、处置。FAB内芯片加工包括了物理和化学反映。 Process Engineering叫做制程工程师，简称为.简单称为制程。 Equipment：机械设备的统称，泛指FAB内所有的生产机台与辅助机台。 Equipment Engineering叫做设备工程师，简称为.简单称为设备。 Automation Eng + MFG + + . 组成FAB内基础Operation。 .是四者一起的语言，最高指导原那么。Recipe (PPID） 程序；当wafer进入机台加工时，机台所提供的必然步骤，与每一个步骤具 备的条件。 机台的Recipe那么记录Wafer进机台后要先通过那一个Chamber
8、(反映室)，再进入那一个Chamber。每一个Chamber反映时要通过那些气体、流量各多少？那时Chamber内的温度、压力、反映时刻应该操纵在那一个范围。Clean Room 干净室；在半导体厂引申为从事生产活动的地址，也确实是咱们所说的 FAB。Area 区域；。某一特定的地址。 在FAB内又可区分为以下的几个工作区域，每一个区域在制程上均有特定 的目的。 WAFER START AREA 芯片下线区 DIFF AREA 炉管(扩散)区 PHOTO AREA 黄光区 ETCH AREA 蚀刻区 IMP AREA 离子植入区 CVD AREA 化学气相沉积区 SPUT AREA 金属溅镀区
9、 CMP AREA 化学机械研磨区 WAT AREA 芯片允收测试区 GRIND 晶背研磨区 CWRControl Wafer Recycle- 控挡片回收中心Bay 由走道两旁机械区隔出来的区域。FAB内的Bay排列在中央走道两旁，与中央走道组成一个非字型，多条Bay 能够并成一个Area。OPI Operator Interface操作者接口；PROMIS系统呈此刻操作端的画面，利用者能够由起始画面进入特定的功能画面，完成工作。某些经常使用的功能画面通过整合以图形显示在一个画面上，每一个图形代表一项功能，这些图形叫做GUIGraphic User Interface 。Rack 货架；摆放
10、POD的地址，固定不动。PN Production Notice制造通报； 凡OI未规定之范围，或已规定但需再强调所及的临时性通知最长为期一个月，需经制造部副理签核过。PN也是天天一上班交接后必读的资料，需签名，列入Audit项目。Control wafer 控片；控片进机台加工后，要通过量测机台量测，测量后的值能够判定机台是不是处在稳固的状态，能够从事生产或RUN出来的产品是不是在制程规格内，才决定产品是不是能够送到下一站，仍是要停下来，待制程工程师检查。控片利用一次就要进入回收流程。Dummy Wafer 挡片；挡片的用途有2种：1暖机2补足机台内应摆芯片而未摆的空位置。挡片可重复利用到限
11、定的时刻RUN数、厚度后，再送去回收。Alarm 警讯；机台常常会送出一些Alarm Message，告知操作人员那机会台不正常的地址。透过设备工程师的处置，将机台恢复正常能够生产的状态。部份Alarm并非阻碍生产，只是一个警告讯号，严峻的Alarm，会将机台停下来。不论是哪一种Alarm制造部操作人员都应将讯息转告工程部人员，不能擅自处置。Move 产量；FAB以芯片的MOVE作当天生产结果的MOVE有Stage move 、step move、 location move或 layer move，大致上咱们会以Stage move加上 step move去计算各区的表现。KSR 生产报表；
12、从KSR的MOVE量，能够比较出当天生产状况的好坏。一个Lot若是有25 pcs，当天移动3个stage的话，那么该Lot当天的MOVE量为75pcs。若是这三个Stage内有12 Steps再加上第四个Stage已过了2个step，尚有1个 step move未过 ，那么该Lot当天step move为 25*12+2 =350pcsTurn Ratio 周转率(T/R)；周转率能够判定FAB Cycle Time 的长短，在制品WIP的多寡。若是一批货一天平均过三个Stage，该批或从下线到出货一共要过120个stage，那么该批货的平均周转率T/R为3，Cycle Time为40天。将F
13、AB所有的Lot加起来，就等于FAB现有在制品WIP数量。统计这些现有在制品当天的移动量就能够够取得当天的FAB所有的MOVE量。 FAB当天的MOVE量该FAB当天所有产品的turn ratio = FAB当天的WIP水准 Q：一批货有100个stage，该批天天平均T/R为4，假设该批货12/30要出货，理论上要在何时下线？WPH Wafer Per Hour 每小机会台产出芯片数量；机台也有MOVE，指的是该机台在某段时刻，所加工的芯片数量。这段时刻，机台实际从事生产的时刻即为UP Time。WPH能够用来衡量直接人员的工作绩效。 WPH=MOVE/UP Time。 例如：从早上8：00
14、到下午18：00 A机台一天产出的300片Wafer。而该机台从11：00-15：00因维修保养而停止生产，因此A机台从08：00到18：00的平均WPH为300/10-4=50片。 PM Prevention Maintenance 预防保养；机械通过一段时刻持续生产，必需改换部份零件或耗材，而中止生产交由设备工程师维修，便叫PM，异样状况下当机而中止生产不同。PM的坚隔依机台特性而各有不同，有的算片数或RUN数，有的固定每周每一个月。想象汽车每隔5000/10000千米要换机油、检查各部位的零件，道理是一样的。 Monitor 测机；规定周期性之制程规格测机 A:每日换班时之daily m
15、onitor B:积存特定RUN数/片数时之monitor C:超过某一特按时刻后欲执行run货时所必需加做之 monitor D:积存特定厚度时之monitorParticle 含尘量/微尘粒子Pod 晶盒Cassette 晶舟 Tag 电子显示器Split/Merge Split：分批 Merge：归并；一批货跑到某一点，因为某些缘故此需要作分批Split。TE除要将实际的Wafer 分成两批放在不同的POD内外，还要在GUI帐上将原批号分帐。那个时候原批号被要求将部份芯片的帐转出来，变成另一批，即产生子批，原批号便成为母批举例说明： Lot ID： 有25片，芯片刻号 #1#25其中#1
16、3#25(共13pcs)， 各被客户要求分批出来做其它加工程序，那么产生： #1#12 (母批)、 #13#25 (子批) 子批的批号由MES自动产生 分批的缘故不外乎以下几种：1.客户要求 2.制程工程师调整Recipe参数，提升良率 3.Rework重做重工 4.控片利用前 5.报废芯片 6.验机(新机台)7.到其它厂区Back up (比较异同)半导体名词说明2020-11-24 16:58半导体名词说明半导体技术 2020-11-24 13:19 阅读128 评论1字号： 大 中 小1. 何谓PIE? PIE的要紧工作是什幺? 答：Process Integration Enginee
17、r(工艺整合工程师), 要紧工作是整合各部门的资源, 对工艺持续进行改善, 确保产品的良率（yield）稳固良好。2. 200mm，300mm Wafer 代表何意义? 答：8吋硅片(wafer)直径为 200mm , 直径为 300mm硅片即12吋.3. 目前中芯国际现有的三个工厂采纳多少mm的硅片(wafer)工艺？以后北京的Fab4(四厂)采纳多少mm的wafer工艺？ 答：当前13厂为200mm(8英寸)的wafer, 工艺水平已达工艺。以后北京厂工艺wafer将利用300mm(12英寸)。4. 咱们为何需要300mm? 答：wafer size 变大，单一wafer 上的芯片数(ch
18、ip)变多，单位本钱降低 200300 面积增加倍,芯片数量约增加倍 5. 所谓的 um 的工艺能力(technology)代表的是什幺意义？ 答：是指工厂的工艺能力能够达到 um的栅极线宽。当栅极的线宽做的越小时，整个器件就能够够变的越小，工作速度也越快。6. 从 的technology改变又代表的是什幺意义？ 答：栅极线的宽（该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低）做的越小时，工艺的难度便相对提高。从 - - - - 代表着每一个时期工艺能力的提升。7. 一样的硅片(wafer)基材(substrate)可区分为N,P两种类型（type）,何谓 N, P-type wafer? 答：N-ty
19、pe wafer 是指搀杂 negative元素(5价电荷元素，例如：P、As)的硅片, P-type 的wafer 是指搀杂 positive 元素(3价电荷元素, 例如：B、In)的硅片。8. 工厂中硅片（wafer）的制造进程可分哪几个工艺进程(module)？ 答：要紧有四个部份：DIFF（扩散）、TF(薄膜)、PHOTO（光刻）、ETCH（刻蚀）。其中DIFF又包括FURNACE(炉管)、WET(湿刻)、IMP(离子 注入)、RTP(快速热处置)。TF包括PVD(物理气相淀积)、CVD(化学气相淀积) 、CMP(化学机械研磨)。硅片的制造确实是依据客户的要求，不断的在不同工艺进程（m
20、odule）间重复进行的生产进程，最后再利用电性的测试，确保产品良好。9. 一样硅片的制造常以几P几M 及光罩层数(mask layer)来代表硅片工艺的时刻长短，请问几P几M及光罩层数(mask layer)代表什幺意义？ 答：几P几M代表硅片的制造有几层的Poly(多晶硅)和几层的metal(金属导线).一样 的逻辑产品为1P6M( 1层的Poly和6层的metal)。而光罩层数（mask layer）代表硅片的制造必需通过几回的PHOTO（光刻）.10. Wafer下线的第一道步骤是形成start oxide 和zero layer? 其中start oxide 的目的是为何？ 答：不希
21、望有机成份的光刻胶直接碰触Si 表面。 在laser刻号进程中,亦可幸免被产生的粉尘污染。11. 为何需要zero layer? 答：芯片的工艺由许多不同层次堆栈而成的, 各层次之间以zero layer当做对准的基准。12. Laser mark是什幺用途? Wafer ID 又代表什幺意义? 答：Laser mark 是用来刻wafer ID, Wafer ID 就犹如硅片的身份证一样,一个ID代表一片硅片的身份。 13. 一样硅片的制造(wafer process)进程包括哪些要紧部份？ 答：前段（frontend）-元器件(device)的制造进程。后段（backend）-金属导线的连
22、接及护层（passivation）14. 前段（frontend）的工艺大致可区分为那些部份? 答：STI的形成(概念AA区域及器件间的隔离)阱区离子注入（well implant）用以调整电性栅极(poly gate)的形成源/漏极（source/drain）的形成硅化物(salicide)的形成15. STI 是什幺的缩写? 为何需要STI? 答：STI: Shallow Trench Isolation(浅沟道隔离)，STI能够当做两个组件（device）间的阻隔, 幸免两个组件间的短路.16. AA 是哪两个字的缩写? 简单说明 AA 的用途? 答：Active Area, 即有源区，
23、是用来成立晶体管主体的位置所在，在其上形成源、漏和栅极。两个AA区之间即是以STI来做隔离的。17. 在STI的刻蚀工艺进程中，要注意哪些工艺参数？ 答：STI etch（刻蚀）的角度；STI etch 的深度；STI etch 后的CD尺寸大小操纵。(CD control, CD=critical dimension)18. 在STI 的形成步骤中有一道liner oxide（线形氧化层）, liner oxide 的特性功能为何？ 答：Liner oxide 为1100C, 120 min 高温炉管形成的氧化层，其功能为：修补进STI etch 造成的基材损伤；将STI etch 造成的e
24、tch 尖角给于圆化( corner rounding)。19. 一样的阱区离子注入调整电性可分为那三道步骤? 功能为何？ 答：阱区离子注入调整是利用离子注入的方式在硅片上形成所需要的组件电子特性，一样包括下面几道步骤：Well Implant ：形成N,P 阱区；Channel Implant：避免源/漏极间的漏电；Vt Implant：调整Vt（阈值电压）。20. 一样的离子注入层次（Implant layer）工艺制造可分为那几道步骤? 答：一样包括下面几道步骤：光刻(Photo)及图形的形成；离子注入调整；离子注入完后的ash (plasma(等离子体)清洗)光刻胶去除（PR stri
25、p）21. Poly（多晶硅）栅极形成的步骤大致可分为那些? 答：Gate oxide(栅极氧化层)的沉积；Poly film的沉积及SiON(在光刻中作为抗反射层的物质)的沉积）；Poly 图形的形成(Photo)；Poly及SiON的Etch；Etch完后的ash( plasma(等离子体)清洗)及光刻胶去除（PR strip）；Poly的Re-oxidation（二次氧化）。22. Poly（多晶硅）栅极的刻蚀(etch)要注意哪些地址？ 答：Poly 的CD(尺寸大小操纵；幸免Gate oxie 被蚀刻掉，造成基材（substrate）受损.23. 何谓 Gate oxide (栅极氧
26、化层)? 答：用来当器件的介电层，利用不同厚度的 gate oxide ,可调剂栅极电压对不同器件进行开关24. 源/漏极(source/drain)的形成步骤可分为那些? 答：LDD的离子注入（Implant）；Spacer的形成；N+/P+IMP高浓度源/漏极(S/D)注入及快速热处置(RTA：Rapid Thermal Anneal)。25. LDD是什幺的缩写? 用途为何? 答：LDD: Lightly Doped Drain. LDD是利用较低浓度的源/漏极, 以避免组件产生热载子效应的一项工艺。26. 何谓 Hot carrier effect (热载流子效应)? 答：在线寛小于以
27、下时, 因为源/漏极间的高浓度所产生的高电场,致使载流子在移动时被加速产生热载子效应, 此热载子效应会对gate oxide造成破坏, 造成组件损伤。27. 何谓Spacer? Spacer蚀刻时要注意哪些地址？ 答：在栅极(Poly)的两旁用dielectric（介电质）形成的侧壁，要紧由Ox/SiN/Ox组成。蚀刻spacer 时要注意其CD大小，profile(剖面轮廓)，及remain oxide(残留氧化层的厚度)28. Spacer的要紧功能? 答：使高浓度的源/漏极与栅极间产生一段LDD区域; 作为Contact Etch时栅极的爱惜层。29. 为安在离子注入后, 需要热处置(
28、Thermal Anneal)的工艺? 答：为恢复经离子注入后造成的芯片表面损伤;使注入离子扩散至适当的深度;使注入离子移动到适当的晶格位置。30. SAB是什幺的缩写? 目的为何？ 答：SAB：Salicide block, 用于爱惜硅片表面，在RPO (Resist Protect Oxide) 的爱惜下硅片不与其它Ti, Co形成硅化物(salicide)31. 简单说明SAB工艺的流层中要注意哪些? 答：SAB 光刻后（photo），刻蚀后(etch)的图案（专门是小块区域）。要确信有完整的包覆（block）住必需被包覆（block）的地址。remain oxide (残留氧化层的厚度
29、)。 32. 何谓硅化物( salicide)? 答：Si 与 Ti 或 Co 形成 TiSix 或 CoSix, 一样来讲是用来降低接触电阻值（Rs, Rc）。33. 硅化物(salicide)的形成步骤要紧可分为哪些? 答：Co(或Ti)+TiN的沉积；第一次RTA（快速热处置）来形成Salicide。将未反映的Co(Ti)以化学酸去除。第二次RTA (用来形成Ti的晶相转化, 降低其阻值)。34. MOS器件的要紧特性是什幺？ 答：它主若是通过栅极电压（Vg）来操纵源，漏极(S/D)之间电流，实现其开关特性。35. 咱们一样用哪些参数来评判device的特性？ 答：要紧有Idsat、Io
30、ff、Vt、Vbk(breakdown)、Rs、Rc；一样要求Idsat、Vbk (breakdown)值尽可能大， Ioff、Rc尽可能小，Vt、Rs尽可能接近设计值.36. 什幺是Idsat?Idsat 代表什幺意义？ 答：饱和电流。也确实是在栅压(Vg)一按时，源/漏(Source/Drain)之间流动的最大电流.37. 在工艺制作进程中哪些工艺能够阻碍到Idsat? 答：Poly CD(多晶硅尺寸)、Gate oxide Thk(栅氧化层厚度)、AA(有源区)宽度、Vt imp.条件、LDD imp.条件、N+/P+ imp. 条件。38. 什幺是Vt? Vt 代表什幺意义？ 答：阈值
31、电压（Threshold Voltage），确实是产生强反转所需的最小电压。当栅极电压VgVt时, MOS处于关的状态，而Vg=Vt时，源/漏之间便产生导电沟道，MOS处于开的状态。39. 在工艺制作进程中哪些工艺能够阻碍到Vt? 答：Poly CD、Gate oxide Thk. (栅氧化层厚度)、AA(有源区)宽度及Vt imp.条件。40. 什幺是Ioff? Ioff小有什幺益处 答：关态电流，Vg=0时的源、漏级之间的电流，一样要求此电流值越小越好。Ioff越小, 表示栅极的操纵能力愈好, 能够幸免没必要要的漏电流(省电)。41. 什幺是 device breakdown voltage? 答：指崩溃电压（击穿电压），在 Vg=Vs=0时，Vd所能经受的最大电压，当Vd大于此电压时，源、漏之间形成导电沟道而不受栅压的阻
