1、 5 大规模数字集成电路习题解答 99 自我检测题 1一个 ROM 共有 10 根地址线，8 根位线（数据输出线），则其存储容量为 。A108 B1028 C1082 D2108 2为了构成 4096 8 的 RAM，需要 片 1024 2 的 RAM。A8 片 B16 片 C2 片 D4 片 3哪种器件中存储的信息在掉电以后即丢失？ASRAM BUVEPROM CE2PROM DPAL 4关于半导体存储器的描述，下列哪种说法是错误的 。ARAM 读写方便，但一旦掉电，所存储的内容就会全部丢失 BROM 掉电以后数据不会丢失 CRAM 可分为静态 RAM 和动态 RAM D动态 RAM 不必定
2、时刷新 5有一存储系统，容量为 256K32。设存储器的起始地址全为 0，则最高地址的十六进制地址码为 3FFFFH 。6真值表如表 T5.6 所示，如从存储器的角度去理解，AB 应看为 地址，F0F1F2F3应看为 数据 。表 T5.6 A B F0 F1 F2 F3 0 0 0 1 0 1 0 1 1 0 1 0 1 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 0 习 题 1在存储器结构中，什么是“字”？什么是“字长”，如何表示存储器的容量？解：采用同一个地址存放的一组二进制数，称为字。字的位数称为字长。习惯上用总的位数来表示存储器的容量，一个具有 n 字、每字 m 位的存储器，其容量一般可表
3、示为 nm 位。2试述 RAM 和 ROM 的区别。解：RAM 称为随机存储器，在工作中既允许随时从指定单元内读出信息，也可以随时将信息写入指定单元，最大的优点是读写方便。但是掉电后数据丢失。ROM 在正常工作状态下只能从中读取数据，不能快速、随时地修改或重新写入数据，内部信息通常在制造过程或使用前写入，3试述 SRAM 和 DRAM 的区别。解：SRAM 通常采用锁存器构成存储单元，利用锁存器的双稳态结构，数据一旦被写 5 大规模数字集成电路习题解答 100 入就能够稳定地保持下去。动态存储器则是以电容为存储单元，利用对电容器的充放电来存储信息，例如电容器含有电荷表示状态 1，无电荷表示状态
4、 0。根据 DRAM 的机理，电容内部的电荷需要维持在一定的水平才能保证内部信息的正确性。因此，DRAM 在使用时需要定时地进行信息刷新，不允许由于电容漏电导致数据信息逐渐减弱或消失。4与 SRAM 相比，闪烁存储器有何主要优点？解：容量大，掉电后数据不会丢失。5用 ROM 实现两个 4 位二进制数相乘，试问：该 ROM 需要有多少根地址线？多少根数据线？其存储容量为多少？解：8 根地址线，8 根数据线。其容量为 2568。6现有如图 P5.6 所示的 44 位 RAM 若干片，现要把它们扩展成 88 位 RAM。（1）试问需要几片 44 位 RAM？（2）画出扩展后电路图（可用少量门电路）。
5、44 RAMD3D2D1D0A0A1CS 图 P5.6 解：（1）用 44 位 RAM 扩展成 88 位 RAM 时，需进行字数和位数扩展，故需要 4片 44 的 RAM （2）扩展后电路如图：144 RAMD3D2D1D0A0A1CS44 RAMD3D2D1D0A0A1CS44 RAMD3D2D1D0A0A1CS44 RAMD3D2D1D0A0A1CSD7D6D5D4A0A1D3D2D1D0A2 7在微机中，CPU 要对存储器进行读写操作，首先要由地址总线给出地址信息，然后发出相应读或写的控制信号，最后才能在数据总线上进行信息交流。现有 2564 位的RAM 二片，组成一个页面，现需 4 个
6、页面的存储容量，画出用 2564 位组成 1K8 位的RAM 框图，并指出各个页面的地址分配。解：电路连接图如图所示。从左到右四个页面的地址为：000H0FFH，100H1FFH，200H2FFH，300H3FFH。5 大规模数字集成电路习题解答 101 D7D6D5D4D3D2D1D02564RAMD3D2D1D0A0A7CS2564RAMD3D2D1D0A0A7CS882564RAMD3D2D1D0A0A7CS2564RAMD3D2D1D0A0A7CS882564RAMD3D2D1D0A0A7CS2564RAMD3D2D1D0A0A7CS882564RAMD3D2D1D0A0A7CS256
7、4RAMD3D2D1D0A0A7CS88A0A1EY0Y1Y2A8A9Y3A0A7 8 试用 42 位容量的 ROM 实现半加器的逻辑功能，并直接在图 P5.8 中画出用 ROM点阵图实现的半加法器电路。11或逻辑阵列与逻辑阵列ABSiCi 图 P5.3 11或逻辑阵列与逻辑阵列ABiSiC11或逻辑阵列与逻辑阵列ABiSiC 5 大规模数字集成电路习题解答 102 解：由于半加器的输出BABASi ABCi 所以 ROM 点阵图如图所示。9用 EPROM 实现二进制码与格雷码的相互转换电路，待转换的代码由 I3I2I1I0输入，转换后的代码由 O3O2O1O0输出。X 为转换方向控制位，当
8、X=0 时，实现二进制码到格雷码的转换；当 X=1 时，实现格雷码到二进制码的转换。试求：（1）列出 EPROM 的地址与内容对应关系真值表；（2）确定输入变量和输出变量与 ROM 地址线和数据线对应关系。解：真值表为：X I3 I2 I1 I0 O3 O2 O1 O0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 1 1 0 0 0 1 1 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 1 1 0 0 0 1 0 1 0 1 1 1 0 0 1 1 0 0 1 0 1 0 0 1 1 1 0 1 0 0 0 1 0 0 0 1 1 0 0 0
9、1 0 0 1 1 1 0 1 0 1 0 1 0 1 1 1 1 0 1 0 1 1 1 1 1 0 0 1 1 0 0 1 0 1 0 0 1 1 0 1 1 0 1 1 0 1 1 1 0 1 0 0 1 0 1 1 1 1 1 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 1 1 0 0 1 0 0 0 1 1 1 0 0 1 1 0 0 1 0 1 0 1 0 0 0 1 1 1 1 0 1 0 1 0 1 1 0 1 0 1 1 0 0 1 0 0 1 0 1 1 1 0 1 0 1 1 1 0 0 0 1 1 1 1 1 1 0 0 1 1 1 1 0 1 1 0 1 0 1 1 0 0 1 1 0 1 1 1 1 0 1 5 大规模数字集成电路习题解答 103 1 1 1 0 0 1 0 0 0 1 1 1 0 1 1 0 0 1 1 1 1 1 0 1 0 1 1 1 1 1 1 1 1 0 1 0 输入变量和输出变量与 ROM 地址线和数据线对应关系如图所示：324 RAMD3D2D1D0A0A1A3A2XA4I3I2I1I0O3O2O1O0 A1 A2
