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    武汉工程大学电力电子技术课程设计综述Word格式文档下载.docx

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    武汉工程大学电力电子技术课程设计综述Word格式文档下载.docx

    1、晶闸管(Thyristor)是晶体闸流管的简称,又可称做可控硅整流器,以前被简称为可控硅;晶闸管具有硅整流器件的特性,能在高电压、大电流条件下工作,且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。它电路简单体积小,便于集成;功率损耗少,符合当今社会生产的要求;所以在直流转换电路中使用晶闸管是一种很好的选择。主要元件介绍1 IGBT介绍本设计基于电力电子技术课程,充分使用全控型晶闸管IGBT设计电路,实现直流升压。IGBT绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSF

    2、ET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。2 驱动电路M57962L简介 M57962L是由日本三菱电气公司为驱动IGBT而设计的厚膜集成电路(Hybrid Integrated Circuit For Driving IGBT Modules) 。在驱动模块内部装有2500V高隔离电压的光电耦合器,过流保护电路和过流

    3、保护输出端子,具有封闭性短路保护功能。M57962L是一种高速驱动电路,驱动信号延时tPLH 和tPHL最大为1.50s。可以驱动600V/400V 级的IGBT模块。M57962L工作程序:当电源接通后,首先自检,检测IGBT是否过载或短路。若过载或短路, IGBT 的集电极电位升高,经外接二极管流入检测电路的电流增加,栅极关断电路动作,切断IGBT的栅极驱动信号,同时在“8”脚输出低电平“过载/短路”指示信号。lGBT正常时,输入信号经光电耦合接口电路,再经驱动级功率放大后驱动IGBT。3 M57962L的工作原理 M57962L采用双电源+ Vcc和VEE ,原理结构图如图1-1所示。电

    4、路组成: (1) 放大隔离电路; (2) 定时复位电路;(3) 过流检测电路; (4) 过流输出电路。图1-1 M57962L原理机构图 第1章 直流升压斩波电路的设计思想1.1直流升压斩波电路原理直流升压变流器用于需要提升直流电压的场合,其原理图如图1-2所示。在电路中V导通时,电流由E经升压电感L和V形成回路,电感L储能;当V关断时,电感产生的反电动势和直流电源电压方向相同互相叠加,从而在负载侧得到 图1-1 直流升压斩波电路原理图高于电源的电压,二极管的作用是阻断V导通是,电容的放电回路。调节开关器件V的通断周期,可以调整负载侧输出电流和电压的大小。假设L值、C值很大,V通时,E向L充电

    5、,充电电流恒为,同时C的电压向负载供电,因C值很大,输出电压为恒值,记为。设V通的时间为,此阶段L上积蓄的能量为EV断时,E和L共同向C充电并向负载R供电。设V断的时间为,则此期间电感L释放能量为: (1-1)稳态时,一个周期T中L积蓄能量与释放能量相等 (1-2)化简得: (1-3)上式中,输出电压高于电源电压,故称升压斩波电路。升压比,调节其即可改变将升压比的倒数记作,即和导通占空比,有如下关系: (1-4)因此,式(1-2)可表示为: (1-5)升压斩波电路之所以能使输出电压高于电源电压,关键有两个原因:一是L储能之后具有使电压泵升的作用,二是电容C可将输出电压保持住。在以上分析中,认为

    6、V处于通态期间因电容C的作用使得输出电压Uo不变,但实际上C值不可能为无穷大,在此阶段其向负载放电,U。必然会有所下降,故实际输出电压会略低于理论所得结果,不过,在电容C值足够大时,误差很小,基本可以忽略。1.2参数计算由直流斩波电路的原理可知 (1-6)又输入电压为输入直流电压:110V,要求输出直流电压:220V。所以只要根据输入的电压控制全控晶闸管IGBT关断的时间和开通的时间比就可,即升压比就可得到所需电压。由计算得: (1-7)又因为要求输出功率P=100W, =220V (1-8)得: R= (1-9)第2章 直流升压斩波电路驱动电路设计 升压电路所用全控型晶闸管IGBT是电压型驱

    7、动器件。IGBT的栅射极之间有数千皮法左右的极间电容,为快速建立驱动电压,要求驱动电路具有较小的输出电阻使IGBT开通的栅射极间的驱动电压一般取1520V。同样,关断时施加一定幅值的负驱动电压(-5-15V)有利于减小关断时间和关断损耗。在栅极串入一只低值电阻可以减小寄生振荡。IGBT的驱动多采用专用的混合驱动集成驱动器,本次采用M57962L驱动器。如图2-2驱动电路图所示。又由产品信息知M57962L驱动器内部具有退饱和和检测和保护环节,当发生过电流时能快速响应但慢速关断IGBT,并向外部电路发出故障信号。 图2-1直流升压斩波驱动电路 第3章 直流升压斩波电路保护电路设计3.1过电流保护

    8、电路电力电子电路运行不正常或者发生故障时,可能会发生过电流。过电流分为过载和短路两种情况。通常采用的保护措施有:快速熔断器、直流快速断路器和过电流继电器。一般电力电子装置均同时采用集中过流保护措施,以提高保护的可靠性和合理性。综合本次设计电路的特点,采用快速熔断器,即给晶闸管串联一个保险丝实施电流保护。如图3-1电流保护电路所示。图3-1直流升压斩波电路过流保护电路对于所选的保险丝,遵从值小于晶闸管的允许值。3.2过电压保护电路电力电子装置中可能发生的过电压分为外因过电压和内因过电压两类。外因过电压主要来自雷击和系统中的操作过程等外部原因。本设计主要用于室内,为了使用方便不考虑来自雷击的威胁。

    9、操作过电压是由分闸、合闸的开关操作引起的过电压,电网侧的操作过电压会由供电变压器磁感应耦合,或由变压器绕组之间存在的分布电容静感应耦合过来。内因过电压主要来自电力电子装置内部器件的开关过程,包括:换相过电压,关断过电压。根据以上产生过电压的的各种原因,设计相应的保护电路。如图2-4过压保护电路所示。其中:图中是利用一个电阻加电容进行电压抑制,当电压过高时,保护电路中的电容会阻碍其电压的上升,从而使得电力电子器件IGBT管因电压的的过高厄尔损坏。图3-2中的电阻可以是1K左右的电阻,而电容的值可以为100F左右,这样形成一个保护电路。 图3-2直流斩波电路过电压保护电路第4章 直流升压斩波电路总

    10、电路的设计 如图4-1总电路设计图所示。电路由升压电路,驱动模块、保护模块、缓冲电路组成。 由M57862L芯片为核心构成的驱动电路,控制IGBT的导通和关断时间,从而控制电路的升压比,使其达到: (4-1)进而使输出电压达到目的值。升压电路时整个电路的核心,由一个IGBT和电容、电感值都很大的电容电感各一个。R为输出负载,电压由此输出。因为输出功率是一定的100W,从而R为定值484。其中保护电路包括过电压保护和过电流保护。图4-1直流升压斩波电路总电路 第5章 直流升压斩波电路仿真5.1仿真模型的选择在本次的设计中,采用了matlab软件作为仿真工具来进行电路的模拟。首先画出电路的结构图如

    11、下所示: 图5-1直流升压斩波电路仿真电路模拟图5.2 仿真结果及分析(1)按照图5-1建立电路模型,选用的各模块及取经如下表 表5.1 仿真电路模块的名称及提取途径(2)设置模块参数和仿真参数。双击脉冲发生器模块,按图5-2设置参数。双击二极管模块,按图5-3设置参数。绝缘栅极双极性晶体管模块采用SIMULINK的默认设置。直流电压源Vdc的幅值等于110V。串联RLC支路为纯感性电路,其中电感并联RLC支路中,L=inf,, 打开菜单【SIMULINKConfiguration parameters】,选择obe23tb算法,同时设置仿真结束时间为20ms。(3)仿真机结果。开始仿真。在仿

    12、真结束后双击示波器模块,得到绝缘栅极双极性晶体管IGBT和并联RLC元件R/C上的电流电压如图5-4所示。图中波形从上向下依次为电感电流、二级管电流、符合电压、绝缘栅极双极性晶体管电流和电压。 5-2脉冲发生器模块参数设置 5-3二极管模块参数设置 5-4 仿真波形图从上面的直流输出电压图中我们可以看出来,本次设计是成功的,理论与实际是相符的,我们得到了220V的输出电压。 第6章 设计总结 经过一个多星期的努力,本次课程设计总算顺利结束。可能还有很多不足的地方,这还请老师指出教导。本次课程设计的内容囊括了本学期所学电力电子技术的大部分内容,还用到了以前所学的电路、模电的知识。在设计的过程中我

    13、遇到了诸多问题,这主要是自己所学知识的不牢固和欠缺造成的。通过再次认真翻看课本,查阅资料,和向学长请教终于把一个又一个的问题解决掉。通过这次课程设计我不仅进一步巩固了这门课程的知识还通过亲自操作,熟悉了matlab等相关软件的使用方法,这为以后的学习工作提供了便利。通过这次设计,我还发现课本上的理论知识和实践还是有一定的差别,理论知识要应用到实践中要经过仔细地思考和多次尝试,只有这要才能达到理论联系实践的效果。如果不是通过课程设计,我们的知识面可能一直停留在理论的层面。最后我要感谢那些给予我帮助的老师这个学期对我们的教诲,让我们对以后的路有了更清楚的认识,感谢学长的耐心帮助,否则本次课程设计将很难完成。参考文献1王兆安、刘进军电力电子技术(第5版)机械工业出版社,20092康华光、陈大钦电子技术基础模拟部分高等教育出版社,20023秋关源、罗先觉电路(第5版)高等教育出版社,2006附录:元件清单名称 数量(个)绝缘栅极双极性晶体管IGBT 1二极管模块D1直流电源VDC 1 串联RLC支路L1并联RLC支路R/C电流表模块IL1电压表模块V-load脉冲发生器模块P信号分离模块 2示波器信号终结模块


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