1、內部量子效率1-14出光效率light extraction efficiency逸出LED结构的光子数与有源区产生的光子数之比。1-15注入效率Injection efficiency注入LED的电子-空穴对数与注入有源区的电子-空穴对数之比。1-16外量子效率outer quantum efficiency逸出LED结构的光子数与注入LED的电子-空穴对数之比，等于内量子效率与出光效率和注入效率的乘积。外部量子效率二、LED类型2-01单色光LEDmonochromatic light LED发出单一颜色光的LED，有红色、绿色、蓝色、黄色、紫色等。單色LED2-02白光LEDwhite
2、light LED用单色芯片加荧光粉或多色芯片组合合成白色光的LED。2-03直插式LED； DIP LEDDual In-line Package LED带有正负极引线、适用于穿孔直插安装工艺的LED。砲彈型封裝LED2-04贴片式LED；SMD LEDSurface Mounted Devices LED正负电极在封装基板上、适用于表面贴装工艺的LED。表面封裝型LED2-05小功率LEDlow power LED单芯片工作电流在100mA（含100mA）以下的发光二极管。2-06功率LEDpower LED工作电流在100mA以上的发光二极管。高功率LED2-07LED数码管LED ni
3、xietube采用LED显示数字或字符的器件或模块。LED尼士管2-08LED显示器LED displayer采用LED显示数字、符号或图形的器件或模块。LED顯示器2-09LED背光源LED backlight采用LED作光源，为被动显示提供光源的LED器件或模块。三、外延（工艺）3-01外延epitaxy用气相、液相或分子束等方法在衬底上生长单晶材料的工艺。在衬底上生长组分与衬底材料相同的单晶材料，称同质外延；在衬底上生长与衬底组分不同的单晶材料，称异质外延。磊晶3-02量子阱 quantum well组分不同或掺杂不同的半导体超薄层材料交替排列形成载流子势垒或势阱，并且具有量子效应的材料
4、结构。量子井3-03单量子阱single quantum well只有一个量子阱的材料结构。單層量子井3-04多量子阱multi-quantum well包含多个单量子阱的材料结构。多層量子井3-05金属有机化学汽相沉积；MOCVDmetal organic chemical vapor deposition金属有机化合物和非金属氢化物的汽相源经热分解合成反应外延生长单晶材料的方法。有機金屬化合物半導體磊晶技術3-06超晶格 super lattice两种（或两种以上）组分（或导电类型）不同、厚度极小的薄层材料交替生长在一起而得到的一种多周期材料结构，其薄层厚度远大于材料的晶格常数，但接近于或
5、小于电子的平均自由程（或其德布洛意波长）。超晶格3-07异质结 heterogeneous structure由两种或两种以上不同的半导体材料形成的异型（P-N）异质结构或同型（P-P或N-N）异质结构。異質接面3-08单异质结 single heterojunction由两种不同的半导体材料形成的异型（P-N）异质结构或同型（P-P或N-N）异质结构。單異質接面3-09双异质结double heterojunction包含两个异质结的异质结构。雙異質接面3-10图形化衬底graphical substrate在外延生长前，采用蚀刻的方法，在表面形成一定图案的衬底。圖形化基板四、芯片（工艺）4
6、-01湿法蚀刻 wet etching将晶片浸没于化学溶液中，通过化学反应去除晶片上不需要的部分，使光刻图形转移到晶片表面。濕式蝕刻4-02干法蚀刻dry etching将晶片置于等离子气体中，通过气体放电去除晶片上不需要的部分，使光刻图形转移到晶片表面。乾式蝕刻4-03曝光 exposure利用光学的方法，对涂布在晶片表面的光刻胶进行光化学反应的过程。曝光4-04烘胶 baking在一定的温度下，使光刻胶固化的过程。烘烤4-05蒸镀 evaporation将原材料通过某种方法变成蒸汽，使其在真空状态下沉积在待镀材料表面。蒸鍍4-06激光剥离laser lift-off利用激光照射在芯片上，使
7、外延层和衬底界面处熔化，从而将二种材料分离的方法。雷射剝離4-07欧姆接触ohmic contact电压-电流特性遵从欧姆定律的非整流性的电和机械接触。歐姆接觸4-08氧化铟锡电极Indium Tin Oxide electrode ITO蒸镀在芯片表面的一种化学成分为氧化铟锡的透明导电膜，以形成欧姆接触，有利于电流扩展及透光。氧化銦錫電極4-09衬底转移；金属键合 substrate transfer metal bonding 将外延材料的外延层键合到其它衬底材料上并将原来的衬底去除的方法。基板黏合4-10金属反射层reflective metal electrode在LED芯片表面蒸镀一
8、层金属，形成一种可提高外量子效率的光反射层。金屬反射層4-11同侧电极结构lateral electrode structureP、N电极在芯片的上面，使部分电流横向流过外延层的一种电极结构。同側電極結構4-12垂直电极结构vertical electrode structureP、N电极分别在芯片的上下二端，使电流垂直流过外延层的一种电极结构。垂直電極結構4-13承载基板 support substrate用来承载外延层或芯片，并提供电极接触的一种材料。承載基板4-14表面粗化 surface roughening在LED外延片或芯片表面形成可以提高芯片出光效率和外量子效率的粗糙表面结构。表
9、面粗化4-15正装芯片 normal chip发光二极管芯片电极在出光面上，衬底材料与支架焊接在一起的一种芯片结构。傳統晶片4-16倒装芯片 flip chip发光二极管芯片电极倒扣焊接在承载基板上，形成一种芯片衬底（或靠原衬底面）朝上、引出电极在承载基板上的芯片结构。覆晶晶片4-17芯片分选chip sorting按不同参数（例如电压、电流、波长、光强等）对芯片进行分档测试选择。晶片分級4-18内陷电极 recessed electrode电极镶嵌在LED芯片外延层刻槽中。嵌入電極4-19互补电极 complementary electrode在LED芯片垂直结构中，为避免底部所发光被顶部N
10、电极吸收，在N电极正下方电极区域制作一个高阻层，使电流分布在N电极投影以外的互补区域。互補電極4-20N面出光light extraction from N side发光二极管有源区发出的光从LED芯片的N面取出。N極出光4-21侧面钝化lateral passivation在LED芯片侧面镀上保护层，使芯片避免沾污、保护芯片稳定性和可靠性。側面鈍化五、封装5-01支架；框架leadframe提供引线端子和芯片焊接区域的一个或一组零件。支架5-02点胶coat在LED支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。點膠5-03装架die attachment （die bond）将LED芯片安装在涂有银胶或绝
11、缘胶的PCB或LED支架相应的位置上。固晶5-04烧结sinter通过高温加热，使银胶固化。固化5-05引线键合；压焊wire bonding为了形成欧姆接触用金属引线连接LED芯片电极与支架（框架）的引出端。打線5-06LED 封装LED package将LED芯片和焊线包封起来，并提供电连接、出光和散热通道、机械和环境保护及外形尺寸。LED封裝5-07灌封 embedding采用模条灌装成型的封装方式。嵌入5-08塑封 moulding采用模压成型的封装方式。模具成型5-09点胶封装coating package采用点胶成型的封装方式，也称软包封。點膠封裝5-10热沉heat sink与功
12、率芯片粘接在一起的可以传导热量的金属或其它材料的导热体。散熱片5-12共晶焊eutectic bonding在LED芯片与支架或热沉中间放置一种合金焊料（例如金或铅锡等），通过加温加压使之共熔的一种焊接方法。共金結合5-13透明介质transparent medium无色透明的一种导电或非导电的胶状材料。透明介質5-14固化 cure通过高温加热，使封装环氧固化。5-15切筋 dam-bar cut切断LED支架的连筋。切腳5-16气泡air bladderLED封装体内存在的任何局部空隙。氣泡5-17黑点stain外来异物在LED封装体中所形成的点状体。黑點5-18划痕nickLED封装体表
13、面上的机械划伤、压伤和外界杂质所引起的无序凹坑。刮痕5-19变色discolorationLED封装体及支架镀层上的任何颜色变化。變色六、光度量术语6-01可见光visible light能直接引起视觉的光学辐射。其波长范围一般在380780nm。可見光6-02辐射通量；辐射功率e；Pradiant fluxradiant power以辐射形式发射、传播或接收的功率，单位为W。輻射通量;輻射功率6-03光通量v；luminous flux 从辐射通量导出的量，该量是根据辐射对CIE标准光度观测者的作用来评价的。对于明视觉：式中:是辐射通量的光谱分布；是光谱光视效率。单位为lm注1：Km值（明视
14、觉）和Km值（暗视觉）参见GB/T 2900.65-2004 定义845-01-56。注2：LED的光通量通常以它们所属种类的组来表示。6-04总光通量total luminous flux总光通量是在光源立体角4范围内累积的光通量之和。式中I为发光强度；为光源立体角范围。總光通量6-05辐射能量Q；Qradiant energy在给定的持续时间t内，辐射通量e的时间积分，单位为J。輻射能6-06光量Qv；quantity of light在给定的持续时间t内，光通量v的时间积分，单位为lm/s。總光量6-07辐射强度Ie；I radiant intensity离开辐射源的，在包含给定方向的立
15、体角元d内传播的辐射能量de除以该立体角元，单位为Wsr。輻射強度6-08发光强度IV；Iluminous intensity离开光源的，在包含给定方向的立体角元d内传播的光通量dv除以该立体角元，单位：cd=lm/sr光強度6-09平均发光强度ILED Ae、ILED Av、ILED Be、ILED Bv averaged luminous Intensity光源在一定的立体角内发射的光（或辐射）通量与该立体角的比，可表示为:注：CIE推荐标准条件A（探测器面积1cm2，光源到探测器间距316mm，对应立体角为0.001）和B（探测器面积1cm2，光源到探测器间距100mm，对应立体角为0.
16、01）分别来测量远场和近场条件下的平均LED发光强度,可以分别用符号ILED Ae、ILED Av、ILED Be、ILED Bv来表示。平均光強度6-10辐射亮度radiance给定点的辐射束元在给定方向上的辐射强度，与辐射束元垂直于指定方向上的面积之比。其数值与辐射面的性质有关，并且随方向而变化，单位为W/（m2.sr）。輻射率（輻射亮度）6-11光亮度LVluminance给定点的光束元在给定方向上的发光强度，与光束元垂直于指定方向上的面积之比。单位为cd/m2。輝度6-12辐射照度Ee；Eirradiance包含该点的面元上所接收的辐射通量与该点面元面积之比。单位为W/m2。輻射照度6
17、-13光照度；illuminance包含该点的面元上所接收的光通量，与该点面元面积之比。单位为lx或lm/m2。照度6-14平均照度Eoaverage illuminance被照表面接收到的光通量与接收面积的比值，单位为lx或lm/m2。6-15辐射出射度M e；Mradiant Exitance离开包含该点面元的辐射通量，与该点面元面积之比。单位：W/m2。輻射發散度（輻射出射度）6-16流明lmlumen光通量的SI单位：由一个发光强度为1cd的均匀点光源在单位立体角（球面度）内发射的光通量。（第9届国际度量大会，1948年）。等效定义：频率为5401012赫兹、辐射通量为1/683瓦特的
18、单色辐射束的光通量。6-17辐射效率eradiant efficiency辐射源发射的辐射功率e与其消耗的电功率P的比值。輻射效率6-18发光效能；光源的光视效能Vluminous efficacyluminous efficacy of a source光源发射的光通量V与其消耗的电功率P的比值，单位为lm/W。發光效率辐射的光视效能Kluminous efficacy of radiation 光源发射的光通量V与其发射的辐射功率e的比值，单位为lm/W。視效函數（光見度）6-20眩光glare由于光亮度的分布或范围不恰当，或对比度太强，而引起不舒适感或分辨细节或物体的能力减弱的视觉条件。
19、6-21光轴 optical axis关于主辐射能分布中心的一条直线。除非另有规定，光轴即为最大辐射能的方向。光軸6-22半强度角1/2half-intensity angle 发光强度值为光轴向强度值一半时光束方向与光轴向（法向）的夹角。半功率發射角（半強度角）6-23立体角solid angle以立体角的顶点为球心，以r为半径作一个球面，则此立体角为其边界在此球面上所截的面积dS与半径r的平方之比。立體角6-24光出射度 luminous exitance离开表面一点处的面元的光通量除以该面元的面积。光束發散度 （光出射度）6-25峰值发射波长ppeak emission waveleng
20、th辐射功率最大值所对应的波长。峰值波長6-26中心波长centre wavelength光谱带宽两端点处波长和的中心处波长定义为，计算式为：注:在有些应用中用表示最大强度十分之一处对应的两个波长构成的光谱带宽。中心波長6-27重心波长centroid wavelength光谱分布的重心波长表示的是“质量中心的波长”，按下式计算：当测量计算不同LED的典型光谱分布的重心波长时，其结果可能受到相对光谱曲线渐小尾部的微小值的很大影响，此处测量的不确定性由于受到杂散辐射、噪声和放大器偏置的影响而增加。重心波長6-28光谱辐射带宽spectral radiation bandwidth 光谱辐射功率等
21、于或大于最大值的一半时的波长间隔。光譜頻帶寬度（光譜輻射帶寬）6-29光谱功率分布P （）spectral power distribution光源辐射功率按波长的分布，称为光谱功率分布。以任意单位表示的光谱功率分布，称为相对光谱功率分布。光譜功率分佈6-30辐射通量密度radiant Flux Density通过单位面积的辐射通量，单位为W/m2。輻射通量密度6-31发光效率luminescent efficiency光源消耗每一瓦电能所发出的光。单位为流明每瓦（lm/w）。6-32光通量效率luminous flux efficiency; or Luminous efficiency器件
22、发射的光通量V与器件的电功率（正向电流IF乘以正向电压VF）的比值。七、色度量术语7-01显色指数 colour rendering index光源显色性的度量。以被测光源下物体的颜色和参照光源下物体的颜色的相符程度来表示。国际照明委员会CIE把太阳的显色指数定为100。演色指數7-02显色性 color-rendering properties光源显现被照物体真实颜色的能力。物体的真实颜色是指在参照照明体（通常为完全辐射体）下所呈现的颜色。演色性7-03色温Tccolour temperature当光源的色品是与某一温度下完全辐射体的色品相同时，该完全辐射体的绝对温度为此光源的色温，单位为K
23、。色溫7-04相关色温 correlated colour temperature黑体轨迹上，和某一光源的色品坐标相距最近的那个黑体的绝对温度，即为该光源的相关色温。相關色溫7-05主波长 dominant wavelength为25环境温度下一单色刺激的波长，该单色刺激与规定的非彩色刺激按适当比例相加混合，以与所考虑的色刺激相匹配。对于LED，参考色刺激应为色坐标XE=0.3333，YE=0.3333的光源E。主發光波長（主波長）7-06色品坐标chromaticity coordinates一组三色刺激值中的每一个值与它们的总和之比。由于三个色品坐标之和等于1，所以知道其中两个便能确定色品
24、。在CIE标准色度系统中，色坐标用符号x、y、z表示。色度座標7-07色饱和度 color saturation色饱和度也称为色纯度，是指彩色的纯洁性。在x-y色度图中，光谱色轨迹所代表的各种波长的单色光，其纯度最高，色饱和度规定为100%。色度图内各点所代表的某一颜色，被认为是由某一波长的单色光和白光混合而成，越靠近白点，所混白色越多，其色饱和度也越低。色飽和度7-08色差color difference定量表示的色知觉差别。用 E表示。7-09色容差color tolerance试验色与规定色之间色差的容许范围。八、热、电测量术语8-01结温 junction temperatureLED
25、器件中主要发热部分的半导体结的温度。接面溫度8-02额定结温 rated junction temperatureLED正常工作时所允许的最高结温。在此温度下，一切有关的额定值和特性都能得到保证。額定接面溫度8-03管壳温度 case temperatureLED工作时管壳规定点的温度。外殼溫度8-04热阻thermal resistance器件的有效温度与外部规定参考点温度之差除以器件中的稳态功率耗散所得的商。熱阻8-05结-管壳热阻 Rth（J-C）thermal resistance from junction to caseLED PN结到管壳之间的热阻。接面-外殼溫度8-06结-环境热阻Rth（J-A）thermal resistance from junction to ambientLED PN结到环境之间的热阻。它提供在最少热流失的特殊环境里结到环境的热阻值。接面-環境熱阻8-0
