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半导体存储器习题解答

第一章 常用半导体器件习题解答第一章 常用半导体器件自 测 题一判断下列说法是否正确,用和表示判断结果填入空内.1在N型半导体中掺入足够量的三价元素,可将其改为P型半导体. 2因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电. 3PN结在无光照, 二、选择正确答案填入空内。 (1)PN结加正向电压时,空

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1、第一章 常用半导体器件习题解答第一章 常用半导体器件自 测 题一判断下列说法是否正确,用和表示判断结果填入空内.1在N型半导体中掺入足够量的三价元素,可将其改为P型半导体. 2因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电. 3PN结在无光照。

2、 二、选择正确答案填入空内。
(1)PN结加正向电压时,空间电荷区将。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 (2)设二极管的端电压为U,则二极管的电流方程是A.&。

3、 5 大规模数字集成电路习题解答 99 自我检测题 1一个 ROM 共有 10 根地址线,8 根位线数据输出线,则其存储容量为 .A108 B1028 C1082 D2108 2为了构成 4096 8 的 RAM,需要 片 1024 2 的。

4、第1章半导体器件习题解答4第1章自测题习题解答自测题1一选择题1.在半导体材料中,本征半导体的自由电子浓度 空穴浓度.A.大于 B.小于 C.等于2.PN结在外加正向电压时,其载流子的运动中,扩散 漂移.A.大于 B.小于 C.等于3.N型。

5、设存储器的起始地址全为 0,则最高地址的十六进制地址码为 3FFFFH 。
6真值表如表 T5.6 所示,如从存储器的角度去理解,AB 应看为 地址,F0F1F2F3应看为 数据 。
表 T5.6 A B F0 F1 F2 F3 0 0。

6、3. P型半导体中空穴占多数,因此它带正电荷。
4. 晶体管有电流放大作用,因此它具有能量放大作用。
5.二极管正向偏置时,PN结的电流主要是多数载流子的扩散运动。
6.结型场效应管的漏源电压 Uds大于夹断电压 Up后,漏极电流。

7、第6章半导体存储器和可编程逻辑器件习题解答图文精复习思考题61ROM一共分为几种,它们都有哪些特性答:只读存储器ROM实际上是一个具有n个输入和m个输出的组合逻辑电路,分为掩模ROMPROM和EPROM三种.掩模只读存储器是最早出现的只读存。

8、半导体存储器和可编程逻辑器件习题解答复习思考题61 ROM一共分为几种,它们都有哪些特性答:只读存储器ROM实际上是一个具有n个输入和m个输出的组合逻辑电路,分为掩模ROMPROM和EPROM三种.掩模只读存储器是最早出现的只读存储器,在存。

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