半导体物理期末试卷2012

1、行政班级: 姓名: 学号: 选课班级: 密封线 密封线内不得答题 赣南师范学院考试卷 A卷 20102011学年第一学期期末考试参考答案A卷开课学院:物电学院 课程名称:半导体物理学 考试形式:闭卷,所需时间:120分钟题号一二 三四五六七。

2、学院 姓名 学号 任课老师 选课号座位号 密封线以内答题无效半导体期末试题一二三四五六七八九十合计复核人签名得分签名得 分可能用到的物理常数:电子电量q1.6021019C,真空介电常数08.8541012Fm,室温300K的k0T0.02。

3、学院 姓名 学号 任课老师 选课号 密封线以内答题无效2012半导体物理学期末试题一选择填空22分1在硅和锗的能带结构中,在布里渊中心存在两个极大值重合的价带,外面的能带 B ,对应的有效质量 C ,称该能带中的空穴为 E .A. 曲率大。

4、学院 姓名 学号 任课老师 选课号 密封线以内答题无效电子科技大学二零零 七 至二零零 八 学年第 一 学期期 末 考试一选择填空22分1在硅和锗的能带结构中,在布里渊中心存在两个极大值重合的价带,外面的能带 B ,对应的有效质量 C ,称。

5、常州信息职业技术学院 2009 2010 学年第 一 学期半导体器件物理课程期末试卷班级 姓名 学号 成绩装订线项目一二三四五总分满分100得分一 填空题共25分每空分硼铝镓等 三族元素掺入到硅中,所形成的能级是 受主 施主能级或受主能级。

6、行政班级: 姓名: 学号: 选课班级: 密封线 密封线内不得答题 赣南师范学院考试卷 A卷 20102011学年第一学期期末考试试卷A卷开课学院:物电学院 课程名称:半导体物理学 考试形式:闭卷,所需时间:120分钟题号一二 三四五六七八总。

7、半导体物理基本图 北邮期中期末考试第一章1.导体半导体绝缘体能带图2.本征激发能带图3.硅砷化镓能带图第二章1.施主杂质状态能带图2.受主杂质状态能带图3.杂质补偿原理第三章1.费米分布与温度关系2.本征载流子浓度与温度关系3.非简并半导体。

8、20102011学年第一学期期末考试参考答案A卷开课学院:物电学院 课程名称:半导体物理学 考试形式:闭卷,所需时间:120分钟题号一二 三四五六七八总 分得分评卷人。

9、复核人签名得分签名得 分可能用到的物理常数:电子电量q1.6021019C,真空介电常数08.8541012Fm,室温300K的k0T0.026eV,SiO2相对介电常数。

10、4同一种施主杂质掺入甲乙两种半导体,如果甲的相对介电常数r是乙的34, mnm0值是乙的2倍,那么用类氢模型计算结果是 D .A.甲的施主杂质电离能是乙的83,弱束缚电子基态轨道半径为乙的34B.甲的施主杂质电离。

11、4同一种施主杂质掺入甲乙两种半导体,如果甲的相对介电常数r是乙的34, mnm0值是乙的2倍,那么用类氢模型计算结果是 D .A.甲的施主杂质电离能是乙的83,弱束缚电子基态轨道半径为乙的34B.甲的施主杂质电离。

12、砷磷等五族元素掺入到硅中,所形成的能级是 施主 同上.平衡状态下,我们用统一的费米能级来标志电子填充能级的水平,在非平衡状态下,导带中的电子填充能级的水平是用导带费米能级 n来衡量,价带中。

13、120分钟题号一二 三四五六七八总 分得分评卷人注意事项:1教师出题时请勿超出边界虚线;2学生答题前将密封线外的内容填写清楚,答题不得超出密封线;3答题请用蓝黑钢笔或圆。

14、1.导体半导体绝缘体能带图2.本征激发能带图3.硅砷化镓能带图第二章1.施主杂质状态能带图2.受主杂质状态能带图3.杂质补偿原理第三章1.费米分布与温度关系2.本征载流子浓度与温度关系3.非简并。

15、半导体物理器件期末考试试题全 2015半导体物理器件期末考试试题全 半导体物理器件原理期末试题大纲指导老师:陈建萍一简答题共 6 题,每题 4 分. 代表试卷已出的题目1耗尽区:半导体内部净正电荷与净负电荷区域,因为它不存在任 何可动的电荷。