高频光电导衰减法测量Si中少子寿命一概 述半导体中的非平衡少数载流子寿命是与半导体中重金属含量晶体结构完整性直接有关的物理量.它对半导体太阳电池的换能效率半导体探测器的探测率和发光二极管的发光效率等都有影响.因此,掌握半导体中少数载流子寿命,光电导衰减法有直流光电导衰减法、高频光电导衰减法和微波光电
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1、高频光电导衰减法测量Si中少子寿命一概 述半导体中的非平衡少数载流子寿命是与半导体中重金属含量晶体结构完整性直接有关的物理量.它对半导体太阳电池的换能效率半导体探测器的探测率和发光二极管的发光效率等都有影响.因此,掌握半导体中少数载流子寿命。
2、光电导衰减法有直流光电导衰减法、高频光电导衰减法和微波光电导衰减法，其差别主要在于是用直流、高频电流还是用微波来提供检测样品中非平衡载流子的衰减过程的手段。
直流法是标准方法，高频法在Si单晶质量检验中使用十分方便，而微波法则可以用于器件。
