光电成像导论光电成像导论

1、光电成像导论复习提纲光电成像导论复习提纲 第1章 光电阴极及其半导体物理基础1.1 光电发射体的半导体物理基础1.1.2 载流子复合过程的动力学总复合包括两个过程:1 一个电子从导带中消失过程a;2 一个空穴从价带中消失过程c.四个过程的几。

2、GaAs未吸附前，能带弯曲使0.45ev；弯曲区突起的高度是5.15ev（从Ev=0算）。
1.2.4 获得负电子亲和势（NEA）的必要条件只有当（Eg）-0.8ev时，才能使Ea变成“负”。
-族光电发。

3、光电成像导论知识点复习吐血推荐1,直接带隙材料和间接带隙材料直接带隙半导体材料就是导带最小值导带底和满带最大值在k空间中同一位置.电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴形成半满能带只需要吸收能量.2,直接跃迁和间接跃迁3,什么是散射,原因4。

4、 它与费米函数不同，因为：（1） （2） 费米能级EF本身在非平衡情况下是没有意义的。
EF的概念只在平衡条件下有效。
净复合率V: （1-9）结论：只有当复合中心处于Eg中心时，净复合率最大。
即复合中心提供。

5、基于DSP的光电成像跟踪系统研究硕士学位论文基于DSP的光电成像跟踪系统研究STUDY ON OPTOELECTRONIC IMAGING AND TRACKING SYSTEM BASED ON DSP学位授予单位及代码:长春理工大学10。

6、基于DSP的光电成像跟踪系统研究硕士学位论文 精品基于DSP的光电成像跟踪系统研究STUDY ON OPTOELECTRONIC IMAGING AND TRACKING SYSTEM BASED ON DSP学位授予单位及代码:长春理工大。

7、集成光电子学导论,复习,考试说明,全部为简答题及设计题:没有死记硬背,不需记忆公式,只需根据自己理解来回答,答案合理即可.每章一题教材24章不考附加题1题:没有标准答案,为课程综合设计应用题,根据回答的整体情况,取前6计A特别注意:考试侧重。