华工半导体物理期末

1、华工半导体物理期末总结1结1. 结的杂质分布空间电荷区,电场分布1按照杂质浓度分布, 结分为突变结和线性缓变结突变结 P区与N区的杂质浓度都是均匀的,杂质浓度在冶金结面处x 0发生突变.单边突变结一侧的浓度远大于另一侧,分别记为 单边突变结。

2、行政班级: 姓名: 学号: 选课班级: 密封线 密封线内不得答题 赣南师范学院考试卷 A卷 20102011学年第一学期期末考试参考答案A卷开课学院:物电学院 课程名称:半导体物理学 考试形式:闭卷,所需时间:120分钟题号一二 三四五六七。

3、学院 姓名 学号 任课老师 选课号座位号 密封线以内答题无效半导体期末试题一二三四五六七八九十合计复核人签名得分签名得 分可能用到的物理常数:电子电量q1.6021019C,真空介电常数08.8541012Fm,室温300K的k0T0.02。

4、学院 姓名 学号 任课老师 选课号 密封线以内答题无效2012半导体物理学期末试题一选择填空22分1在硅和锗的能带结构中,在布里渊中心存在两个极大值重合的价带,外面的能带 B ,对应的有效质量 C ,称该能带中的空穴为 E .A. 曲率大。

5、学院 姓名 学号 任课老师 选课号 密封线以内答题无效电子科技大学二零零 七 至二零零 八 学年第 一 学期期 末 考试一选择填空22分1在硅和锗的能带结构中,在布里渊中心存在两个极大值重合的价带,外面的能带 B ,对应的有效质量 C ,称。

6、常州信息职业技术学院 2009 2010 学年第 一 学期半导体器件物理课程期末试卷班级 姓名 学号 成绩装订线项目一二三四五总分满分100得分一 填空题共25分每空分硼铝镓等 三族元素掺入到硅中,所形成的能级是 受主 施主能级或受主能级。

7、电荷分布3. 结的接触电势差内建电势差结的空间电荷区两端间的电势差5. 非平衡结载流子的注入和抽取6. 过剩载流子的产生与复合1正偏复合电流:正偏压使得空间电荷层边缘处的载流子浓度增加,以致2。

8、行政班级: 姓名: 学号: 选课班级: 密封线 密封线内不得答题 赣南师范学院考试卷 A卷 20102011学年第一学期期末考试试卷A卷开课学院:物电学院 课程名称:半导体物理学 考试形式:闭卷,所需时间:120分钟题号一二 三四五六七八总。

9、半导体物理基本图 北邮期中期末考试第一章1.导体半导体绝缘体能带图2.本征激发能带图3.硅砷化镓能带图第二章1.施主杂质状态能带图2.受主杂质状态能带图3.杂质补偿原理第三章1.费米分布与温度关系2.本征载流子浓度与温度关系3.非简并半导体。

10、20102011学年第一学期期末考试参考答案A卷开课学院:物电学院 课程名称:半导体物理学 考试形式:闭卷,所需时间:120分钟题号一二 三四五六七八总 分得分评卷人。

11、复核人签名得分签名得 分可能用到的物理常数:电子电量q1.6021019C,真空介电常数08.8541012Fm,室温300K的k0T0.026eV,SiO2相对介电常数。

12、4同一种施主杂质掺入甲乙两种半导体,如果甲的相对介电常数r是乙的34, mnm0值是乙的2倍,那么用类氢模型计算结果是 D .A.甲的施主杂质电离能是乙的83,弱束缚电子基态轨道半径为乙的34B.甲的施主杂质电离。

13、4同一种施主杂质掺入甲乙两种半导体,如果甲的相对介电常数r是乙的34, mnm0值是乙的2倍,那么用类氢模型计算结果是 D .A.甲的施主杂质电离能是乙的83,弱束缚电子基态轨道半径为乙的34B.甲的施主杂质电离。

14、砷磷等五族元素掺入到硅中,所形成的能级是 施主 同上.平衡状态下,我们用统一的费米能级来标志电子填充能级的水平,在非平衡状态下,导带中的电子填充能级的水平是用导带费米能级 n来衡量,价带中。

15、120分钟题号一二 三四五六七八总 分得分评卷人注意事项:1教师出题时请勿超出边界虚线;2学生答题前将密封线外的内容填写清楚,答题不得超出密封线;3答题请用蓝黑钢笔或圆。

16、1.导体半导体绝缘体能带图2.本征激发能带图3.硅砷化镓能带图第二章1.施主杂质状态能带图2.受主杂质状态能带图3.杂质补偿原理第三章1.费米分布与温度关系2.本征载流子浓度与温度关系3.非简并。

17、半导体物理器件期末考试试题全 2015半导体物理器件期末考试试题全 半导体物理器件原理期末试题大纲指导老师:陈建萍一简答题共 6 题,每题 4 分. 代表试卷已出的题目1耗尽区:半导体内部净正电荷与净负电荷区域,因为它不存在任 何可动的电荷。

18、半导体物理期末考复习材料第一章 福州大学至诚学院09级半导体物理学期末考复习材料信息工程 系 微电子学 专业 1 班 姓名: 陈长彬 学号: 210991803半导体中的电子状态1.元素半导体 硅 和 锗 都是 金刚石 结构 .2.结构上。

19、半导体中的电子状态半导体中杂质和缺陷能级半导体中载流子的统计分布半导体的导电性非平衡载流子pn结金属和半导体的接触半导体表面与MIS结构半导体的光学性质和光电与发光现象,半导体物理学,晶体结构,半导体的晶格结构和结合性质半导体中的电子状态。

20、北京邮电大学 微电子学基础 半导体物理期末总复习微电子基础总复习201212说明:重点总结的请以复习课上为准.另有答疑时间安排.以下内容为部分重要的概念供参考.第1章. 半导体的晶体结构和缺陷概念:晶体和非晶体金刚石结构和闪锌矿结构能带有效。

21、半导体器件工艺与物理期末必考题材料汇总半导体期末复习补充材料一 名词解释准费米能级费米能级和统计分布函数都是指的热平衡状态,而当半导体的平衡态遭到破坏而存在非平衡载流子时,可以认为分就导带和价带中的电子来讲,它们各自处于平衡态,而导带和价带。