半导体发光二极管标准综述.docx
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半导体发光二极管标准综述.docx
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半导体发光二极管标准综述
半导体发光二极管
11 范围
本标准规定了冰箱事业部半导体发光二极管的设计选用要求、试验方法、检验规则和包装、贮存。
本标准适用于冰箱事业部控制器、照明指示灯等所选用的半导体发光二极管。
12 规范性引用文件
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。
凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修改版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。
凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。
GB/T191包装储运图示标志
GB/T2423.3-1993电工电子产品基本环境试验规程试验Ca:
恒定湿热试验方法(idtIEC68-2-3:
1984)
GB/T4937-1995半导体分立器件机械和气候试验方法(idtIEC749:
1995)
GB/T4938-1985半导体分立器件接收和可靠性
GB/T17626.2-1998电磁兼容试验和测量技术静电放电抗扰度试验(idtIEC61000-4-2:
1995)
QMB-J10.010关于规范RoHS标识的操作指引
QMB-J10.011逐批检查计数抽样程序及抽样表
13 半导体发光二极管分类
按颜色分类
a)红色发光二极管(D:
620-660nm)
b)橙色发光二极管(D:
600-620nm)
c)黄色发光二极管(D:
580-600nm)
d)绿色发光二极管(D:
500-577nm)
e)兰色发光二极管(D:
430-480nm)
f)紫色发光二极管(P:
380-410nm)
g)白色发光二极管(TC:
3000-25000K)
按芯片材料分类
a)InGaAlP/GaAs
b)GaN/Al2O3或SiC衬底
c)InGaN/Al2O3或SiC衬底
14 要求
静电防护工艺要求
因产品易受静电破坏,生产及运输过程中应做好静电防护工作,ImGaAlP/GaAs系列及GaN基/SiC衬底系列静电等级要求控制在500V以下,GaN基/蓝宝石衬底系列静电等级要求控制在100V以下。
封装形式及外观要求
封装形式
采用环氧树脂全包封的封装形式。
外观要求
目测环氧表面无明显发花、划伤,出光面无明显气泡、黑点,无多缺料,无明显偏支架,外引线平整,无明显锈蚀、变色及镀层脱落现象。
极限值(绝对最大额定值)
极限值(绝对最大额定值)见表1。
表1极限值
参数
符号
条件
额定值
单位
正向电流
IFM
Tamb=(25±5)℃
15a
mA
20b
25c
30d
正向脉冲电流e
IFP
Tamb=(25±5)℃
100
mA
反向电压
VR
5
V
贮存温度
TStg
-40—+100
℃
工作温度
Tamb
-25—+85
℃
耗散功率
PM
Tamb=(25±5)℃
75
mW
焊接温度
Tsd
10s
260
℃
抗静电电压
InGaAlP
ESD
C=150PF,R=330Ω
±500
V
GaN基/Al2O3
±100
GaN基/SiC
±1000
GaN基加齐纳
±5000
a:
IF=15mA:
GaN/InGaN芯片12×12mil以下的发光二极管。
b:
IF=20mA:
InGaAlP芯片8×8mil以下、GaN/InGaN芯片13×13mil及14×14mil的发光二极管(白色除外);
c:
IF=25mA:
GaN/InGaN芯片13×13mil及14×14mil的白色发光二极管;
d:
IF=30mA:
InGaAlP芯片9×9mil至12×12mil的发光二极管;
e:
脉冲宽度0.1ms,占空比1/10。
注:
除非另有规定,下表的值在整个工作温度范围内适用。
光电特性
InGaAlP系列红色发光二极管光电参数
InGaAlP系列红色发光二极管光电参数应符合表2的规定。
表2InGaAlP系列红色发光二极管光电参数表Tamb=(25±5)℃
参数
符号
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
参数类别
正向电压
VF
IF=20mA
-
2.0
2.5
V
JS,LX,CP
反向电流
IR
VR=5V
-
-
10
JS,LX,CP
发光强度
IV
IF=20mA
3
HFR8B3×C/T×
1500
5000
mcd
JS,LX,CP
HFR863×××
100
1000
HFR883×××
100
1000
HFR803×××C/T×-××
500
-
5000
HFR803×××M×-××
100
-
5000
5
HFR8B5×C/T×
4000
20000
HFR865×××
100
1000
HFR8E5×××××
200
3500
HFR885×××
100
1000
HFR805×××C/T×-××
150
-
15000
HFR805×××M×-××
100
-
15000
8
HFR808×C/T×
1000
-
25000
HFR808×M×
100
20000
10
HFR8010×C/T×
1000
-
30000
HFR8010×M×
100
-
30000
HFR8B10×C/T×
1500
-
50000
HFR84×××C/T×
100
1000
HFR8F××C/T
500
4000
HVR84××C/T
100
-
1500
峰值发射波长
D
IF=20mA
620
-
660
nm
JS,LX,CP
光谱辐射带宽
IF=20mA
-
20
-
nm
C
半强度角
1/2
IF=20mA
3
HFR8B3×C/T×
5
15
度
C
HFR863×××
100
HFR883×××
120
HFR803×××C/T×-××
10
-
120
HFR803×××M×-××
10
-
180
5
HFR8B5×C/T×
5
-
15
HFR865×××
100
HFR8E5×××××
15/50
-
40/110
HFR885×××
-
120
-
HFR805×××C/T×-××
10
-
120
HFR805×××M×-××
10
-
180
8
HFR808×C/T×
10
-
120
HFR808×M×
10
-
180
10
HFR8010×C/T×
10
-
120
HFR8010×M×
10
-
180
HFR8B10×C/T×
5
-
15
HFR84×××C/T×
120
HFR8F××C/T
30
80
HVR84××C/T
-
120
-
注:
LX—例行试验最后测试参数;JS—交收检验测试参数;CP—成品测试参数;C—参考参数。
以下同。
InGaAlP系列黄色发光二极管光电参数
InGaAlP系列黄色发光二极管光电参数应符合表3的规定。
表3InGaAlP系列黄色发光二极管光电参数表Tamb=(25±5)℃
参数
符号
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
参数类别
正向电压
VF
IF=20mA
-
2.0
2.5
V
JS,LX,CP
反向电流
IR
VR=5V
-
-
10
JS,LX,CP
发光强度
IV
IF=20mA
3
HFY8B3×C/T×
1500
5000
mcd
JS,LX,CP
HFY863×××
100
1000
HFY883×××
100
1000
HFY803×××C/T×-××
500
-
5000
HFY803×××M×-××
100
-
5000
5
HFY8B5×C/T×
4000
20000
HFY865×××
100
1000
HFY8E5×××××
200
3500
HFY885×××
100
1000
HFY805×××C/T×-××
150
-
15000
HFY805×××M×-××
100
-
15000
8
HFY808×C/T×
1000
-
25000
HFY808×M×
100
20000
10
HFY8010×C/T×
1000
-
30000
HFY8010×M×
100
30000
HFY8B10×C/T×
1500
-
50000
HFY84×××C/T
100
-
1000
HFY8F××C/T
500
4000
HVY84××C/T
100
-
1500
峰值发射波长
D
IF=20mA
580
600
nm
C
光谱辐射带宽
IF=20mA
-
15
-
nm
C
半强度角
1/2
IF=20mA
3
HFY8B3×C/T×
5
-
15
度
C
HFY863×××
100
HFY883×××
120
HFY803×××C/T×-××
10
120
HFY803×××M×-××
10
180
5
HFY8B5×C/T×
5
15
HFY865×××
100
HFY8E5×××××
15/50
40/110
HFY885×××
120
HFY805×××C/T×-××
10
120
HFY805×××M×-××
10
180
8
HFY808×C/T×
10
120
HFY808×M×
10
180
10
HFY8010×C/T×
10
120
HFY8010×M×
10
120
HFY8B10×C/T×
5
15
HFY84×××C/T
120
HFY8F××C/T
30
80
HVY84××C/T
-
120
-
InGaAlP系列橙色发光二极管光电参数
InGaAlP系列橙色发光二极管光电参数应符合表4的规定。
表4InGaAlP系列橙色发光二极管光电参数表Tamb=(25±5)℃
参数
符号
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
参数类别
正向电压
VF
IF=20mA
-
2.0
2.5
V
JS,LX,CP
反向电流
IR
VR=5V
-
-
10
JS,LX,CP
发光强度
IV
IF=20mA
3
HFO8B3×C/T×
1500
5000
mcd
JS,LX,CP
HFO863×××
100
1000
HFO883×××
100
1000
HFO803×××C/T×-××
500
-
5000
HFO803×××M×-××
100
-
5000
5
HFO8B5×C/T×
4000
20000
mcd
JS,LX,CP
HFO865×××
100
1000
HFO8E5×××××
200
3500
HFO885×××
100
1000
HFO805×××C/T×-××
150
-
15000
HFO805×××M×-××
100
-
15000
8
HFO808×C/T×
1000
-
25000
HFO808×M×
100
20000
10
HFO8010×C/T×
1000
-
30000
HFO8010×M×
100
30000
HFO8B10×C/T×
1500
-
50000
HFO84×××C/T
100
-
1000
HFO8F××C/T
500
4000
HVO84××C/T
100
-
1500
峰值发射波长
D
IF=20mA
600
620
nm
C
光谱辐射带宽
IF=20mA
-
20
-
nm
C
半强度角
1/2
IF=20mA
3
HFO8B3×C/T×
5
-
15
度
C
HFO863×××
100
HFO883×××
120
HFO803×××C/T×-××
10
120
HFO803×××M×-××
10
180
5
HFO8B5×C/T×
5
15
HFO865×××
100
HFO8E5×××××
15/50
40/110
HFO885×××
120
HFO805×××C/T×-××
10
120
HFO805×××M×-××
10
180
8
HFO808×C/T×
10
120
HFO808×M×
10
180
10
HFO8010×C/T×
10
120
HFO8010×M×
10
120
HFO8B10×C/T×
5
15
HFO84×××C/T
120
HFO8F××C/T
30
80
HVO84××C/T
-
120
-
InGaAlP系列绿色发光二极管光电参数
InGaAlP系列绿色发光二极管光电参数应符合表5的规定。
表5InGaAlP系列绿色发光二极管光电参数表Tamb=(25±5)℃
参数
符号
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
参数类别
正向电压
VF
IF=20mA
-
2.0
2.5
V
JS,LX,CP
反向电流
IR
VR=5V
-
-
10
JS,LX,CP
发光强度
IV
IF=20mA
3
HFG8B3×C/T×
600
2500
mcd
JS,LX,CP
HFG863×××
50
500
HFG883×××
50
500
HFG803×××C/T×-××
200
-
2500
HFG803×××M×-××
50
-
2500
5
HFG8B5×C/T×
1000
8000
HFG865×××
50
500
HFG8E5×××××
100
2000
HFG885×××
50
500
HFG805×××C/T×-××
100
-
8000
HFG805×××M×-××
50
-
8000
8
HFG808×C/T×
100
-
10000
HFG808×M×
50
10000
10
HFG8010×C/T×
100
-
10000
HFG8010×M×
50
10000
HFG8B10×C/T×
100
-
10000
HFG84×××C/T
50
-
500
HFG8F××C/T
200
2000
HVG84××C/T
50
-
800
峰值发射波长
D
IF=20mA
565
577
nm
C
光谱辐射带宽
IF=20mA
-
20
-
nm
C
半强度角
1/2
IF=20mA
3
HFG8B3×C/T×
5
-
15
度
C
HFG863×××
100
HFG883×××
120
HFG803×××C/T×-××
10
120
HFG803×××M×-××
10
180
5
HFG8B5×C/T×
5
15
HFG865×××
100
HFG8E5×××××
15/50
40/110
HFG885×××
120
HFG805×××C/T×-××
10
120
HFG805×××M×-××
10
180
8
HFG808×C/T×
10
120
HFG808×M×
10
180
10
HFG8010×C/T×
10
120
HFG8010×M×
10
120
HFG8B10×C/T×
5
15
HFG84×××C/T
120
HFG8F××C/T
30
80
HVG84××C/T
-
120
-
GaN基系列绿色发光二极管光电参数
GaN基系列绿色发光二极管光电参数应符合表6的规定。
表6GaN系列绿色发光二极管光电参数表Tamb=(25±5)℃
参数
符号
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
参数类别
正向电压
VF
IF=20mA
GaN基/Al3O2
2.9
-
3.8
V
JS,LX,CP
GaN基/SiC
3.0
4.5
反向电流
IR
VR=5V
-
-
10
JS,LX,CP
发光强度
IV
IF=20mA
3
HFG9/AB3×C/T×
1500
5000
mcd
JS,LX,CP
HFG9/A63×××
100
1000
HFG9/A83×××
100
1000
HFG9/A03×××C/T×-××
500
-
5000
HFG9/A03×××M×-××
100
-
5000
5
HFG9/AB5×C/T×
4000
20000
HFG9/A65×××
100
1000
HFG9/AE5×××××
200
3500
HFG9/A85×××
100
1000
HFG9/A05×××C/T×-××
150
-
15000
HFG9/A05×××M×-××
100
-
15000
8
HFG9/A08×C/T×
1000
-
25000
HFG9/A08×M×
100
20000
10
HFG9/A010×C/T×
1000
-
30000
HFG9/A010×M×
100
30000
HFG9/AB10×C/T×
1500
-
50000
HFG9/A4×××C/T
100
-
1000
HFG9/AF××C/T
500
4000
HVG9/A4××C/T
100
-
1500
峰值发射波长
D
IF=20mA
500
540
nm
C
光谱辐射带宽
IF=20mA
-
30
-
nm
C
半强度角
1/2
IF=20mA
3
HFG9/AB3×C/T×
5
-
15
度
C
HFG9/A63×××
100
HFG9/A83×××
120
HFG9/A03×××C/T×-××
10
120
HFG9/A03×××M×-××
10
180
5
HFG9/AB5×C/T×
5
15
HFG9/A65×××
100
HFG9/AE5×××××
15/50
40/110
HFG9/A85×××
120
HFG9/A05×××C/T×-××
10
120
HFG9/A05×××M×-××
10
180
8
HFG9/A08×C/T×
10
120
HFG9/A08×M×
10
180
10
HFG9/A010×C/T×
10
120
HFG9/A010×M×
10
120
HFG9/AB10×C/T×
5
15
HFG9/A4×××C/T
120
HFG9/AF××C/T
30
80
HVG9/A4××C/T
-
120
-
GaN基系列蓝色发光二极管光电参数
GaN基系列蓝色发光二极管光电参数应符合表7的规定。
表7GaN系列蓝色发光二极管光电参数表Tamb=(25±5)℃
参数
符号
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
参数类别
正向电压
VF
IF=20mA
GaN基/Al3O2
2.9
-
3.8
V
JS,LX,CP
GaN基/SiC
3.0
4.5
反向电流
IR
VR=5V
-
-
10
JS,LX,CP
发光强度
IV
IF=20mA
3
HFB9/AB3×C/T×
500
2500
mcd
JS,LX,CP
HFB9/A63×××
20
500
HFB9/A83×××
20
500
HFB9/A03×××C/T×-××
50
-
2500
HFB9/A03×××M×-××
10
-
2500
5
HFB9/AB5×C/T×
300
8000
HFB9/A65×××
20
500
HFB9/AE5×××××
80
2000
HFB9/A85×××
20
500
HFB9/A05×××C/T×-××
50
-
8000
HFB9/A05×××M×-××
10
-
8000
8
HFB9/A08×C/T×
50
-
10000
HFB9/A08×M×
10
10000
10
HFB9/A010×C/T×
50
-
10000
HFB9/A010×M×
10
10000
HFB9/AB10×C/T×
50
-
10000
HFB9/A4×××C/T
20
-
500
HFB9/AF××C/T
50
3000
HVB9/A4××C/T
20
-
500
峰值发射波长
D
IF=20mA
430
480
nm
C
光谱辐射带宽
IF=20mA
-
30
-
nm
C
半强度角
1/2
IF=20mA
3
HFB9/AB3×C/T×
5
-
15
度
C
HFB9/A63×××
100
HFB9/A83×××
120
HFB9/A03×××C/T×-××
10
120
HFB9/A03×××M×-××
10
180
5
HFB9/AB5×C/T×
5
15
HFB9/A65×××
100
HFB9/AE5×××××
15/50
40/110
HFB9/A85×××
120
HFB9/A05×××C/T×-××
10
12
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- 关 键 词:
- 半导体 发光二极管 标准 综述