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钻孔
近年来,印制电路板在电子安装业界中越来越占据重要地位。
印制电路板的应用市场,也由原来传统的搭载半导体元器件和电子元件的“母板”,“派生”出作为半导体封装的“载板”,使印制电路板产品在应用领域上分出两大类有很大区别的品种,印制电路板作为半导体元器件和电子元件的“母板”,它的制造技术,与所组装的整机电子产品的电气性能、可靠性以及成本有很大的关联,而印制电路板作为半导体封装的“载板”,它的制造技术,对于半导体的运作频率、能源消耗、连接性、可靠性以及成本也都会带来很大的影响。
对于印制电路板技术在电子安装业发展中的重要地位,应该提高到上述重要影响的方面去加以认识。
所提及的这些影响也是印制电路板技术竞争的重要要素当前,无论是整机电子产品还是半导体封装,它们对印制电路板制造技术的要求,主要表现在以
下六个方面。
一是适应高密度化、高频化;二是适应绿色化;三是适应复合安装化;四是适应新功能元件搭载;五是适应低成本化;六是适应短交货期化。
本文将对印制电路业根据上述的六方而的要求,在工艺技术、设备与基板材料、生产体制的变革等方而的发展未来作预测和展望。
2适应高密度化、高频化要求的发展预测
21实现高密度化、高频化的中、长期目标
在国际半导体技术发展指南委员会(ITRs)在所发布的2001年版“指南报告书”中,出于半导体芯片所能达到的散热设计界限的考虑,将未来的半导体芯片的最大尺寸限定在3l0mm2以内,这就给原来半导体芯片的大型化趋势划上了卟“句号”。
但是,半导体lC的I/O数依然有增加的趋势。
由于“指南报告书”小对半导体芯片尺寸的选取作了最人尺寸限定,这样就促进了半导体lC载板上的芯片一侧端子及信号线间距的微细程度会进一步增加。
这也引起在IC板的端子及信号线间距方面,有着向极端微细化发展的趋向。
今后在尖端的电了:
产品中,将会出现信号线间距在20µm的配线要求。
图1表示了未来在IC板方面最小信号线问距的发展趋向。
在BGA戟板高密度安装要求方面,预测未来实现最小信号线间距的数值足:
在倒装,出片(Fc)安装形式所用的载板的端子设置上,将超过现有的微细限度,出现“3导线/4焊球凸点(3Line/4Row)”的没计制造,即这种的配线尺寸使线宽/间距实现ll.4µm/ll.4µm。
2.2在实现高密度化、高频化进程中。
制造工艺与基板材料的发展
有机树脂的IC板制造,传统的工艺法是采用全加成法,它与铜箔的铜镀层厚度减薄发展关系趋向相适应.而采用这种加成法,当线条间距蚀刻作到30µm时,由于导线横剖面已形成梯形状,对于传输线路来说已经不适应。
而容易制作出导线横剖面呈矩形的工艺法是半加成法,此种工艺法在今后将成为主流。
阿2所示了这两种电路制作工艺法,所制出的导线横剖面的情况.现在主流的孔方¨工技术是采用CO钻孔方式。
它在加工75µm以下的孔径时,就会在光学特性能力上表现恶劣。
尖端印制电路板的制造者.是采用YAG激光钻孔机去完成。
但用此类的激光机加工叫5µm孔径时,也会发生困难。
在这项课题面前,
等离子体(pJasma)蚀刻加工超微小孔,成为了1种解决的途径。
Dvconcx公司在此方面已经获得了工业化的经验。
由此可以看出,为了解决超微小通孔加工中所用的新型基材和孔加上的新技术开发,将起着十分重要的推动作用。
在超微细电路图形的制作中,还存在着其它诸多的难题。
从前传统方法是采用干膜感光形成电路图形。
有的印制电路板制造者为了实现微细电路图形制作,而采用了形成半导体集成电路用的下版印刷(1ilhogmphy)的逐级缩小投影型曝光装置(stepper)工艺法。
它在高解像度成像方面显示出其优势,但这种工艺的采用,要求绝缘基材在表面平坦度。
以及在与高频所适应性上,提出了更高的要求。
众所周知,在超过1.8GHz高频下所进行的信号传输的信号线中,会由于“表皮效应”而出现传输信号衰减的现象。
为此覆铜板上的铜箔粗糙度若是过大,会对它的传输信号衰减有更大的影响。
例如,铜箔平均粗糙度(Rz)在3um~5µm范围条件下,由于“表皮效应”而造成传输信号衰减较大,使这样的铜箔无法在高频电路配线的印制电路板中使用,过低的铜箔粗糙度,又会影响铜箔的剥离强度。
另外,IC载板还需要解决与半导体芯片在热膨胀系数上不一致的问题。
即使是适于微细电路制作的积层法多层板,也是存在绝缘基板在热膨胀系数上普遍过火(一般热膨胀系数在60ppm/℃)的问题。
而基板的热膨胀系数达到与半导体芯片接近的6ppm/℃左右,确实对基板的制造技术是个“艰难的挑战”。
基板的介电特性为了适应高速化的发展,需要它的介电常数能够实现2.0,介质损失划数能够接近0.001。
为此,超越传统的基板材料及传统的制造工艺界限的新一代印制电路板,预测在2005年左右会在世界上出现。
2.3围绕着高密度化、高频化发展,在印制电路板设备方面的发展预测
(1)孔加工设备方面。
在积层法多层板的导通加工技术,运用激光设备进行加工,已经积累了大约7年的实践期。
在2000年时,成功发明了双束光的CO:
激光钻孔设备。
这项技术的开发,使激光加工孔的速度达到了l000孔/秒,要比最初出现的激光钻孔机的成孔速度提高了约l0倍。
目前新型激光钻孔机开发,仍继续向着更高速度加工的方向迈进。
采用COz激光钻孔进行孔加工的孔径限度,是在30µm一40µm。
随着印制电路板更加微细化的发展,预测在2003年以后,适应于20µm~50µm孔径加工的UV激光设备将会扩大其使用的范围。
在需要30µm~40µm范围孔径加工的印制电路板中制造中,会在激光机的选择中出现CO2激光钻孔机为第一位,UV激光钻孔机为第二位的情况。
目前不断发展中的台有孔径在50µm以下的填充孔的多层板,其电镀工艺.孔的形状、绝缘层厚度的保证,都与基板材料的物理性能有更紧密依存关系。
预测今后几年,在基板材料和后期工程中,
对以上的课题将有新的解决方案会出台,同时新型的基板材料也将会出现。
这样,对于激光钻孔机会面临另一个重要课题,这就是如何配合新基板材料达到孔的位置高精度,所指的高精度是指精度控制在几微米到十微米的范围。
在机械钻孔设备方面,由于25万RPM(转/分)的超高速主轴的实用化,促进了机械钻孔技术的进步。
预测加之使用极薄钢箔工作的进展,加工孔径100µm以上的多层板与双面板,以提高其孔品质、提高生产效率为主要目标,机械钻孔技术会有很大的转变。
这种转变是直接与加工孔径100µm以下的激光加工方式相竞争的。
在这种技术竞争中,机械钻孔设备在加工200µm孔径窄间距、150µm~200µm孔径的要求中,必须解决提高加工孔品质、提高生产性、提高耐金属离子迁移性等方面的难题。
其中一个重要途径是采用高转速,以降低切削的负荷。
预测,随着超高速主轴的技术开发工作的推进,利用机械钻孔方式可以实现孔径50µm~70µm的加工。
由于对薄铜箔表面处理技术的出现及走向成熟,对双面板直接采用COz激光钻孔机对77µm~100µm贯通孔的加工就成为现实,而在孔加工后,现在一般要实行对孔入口处由于激光钻孔而形成铜隆起物进行清除工序。
今后随着激光钻孔设备技术的发展和适宜激光钻孔加工的基板材料的应用,会减少此钻孔加工的后期加工工序。
孔径为50µm以下导通孔的加工设备,主要是采用UV激光机。
目前,该激光钻孔设备进一步开发的工作,主要围绕着协调加工的孔品质与加工速
度两方面要求进行。
预测在2003~2005年,会出现激光加工孔和机械钻孔两种方式并存发展趋势。
在印制电路板外形加工的方式上,今后在较长一段时间内,仍是以刨槽加工法为中心。
在0.2mm以下薄板的外形加工上,今后会采用更适宜要求的激光加工方法。
(2)电镀设备方面。
电子产品电气信号高速化、高频化的发展.使得印制电路板的导线宽幅要求更加高精度。
而高精度主要表现在均一性、平滑性、上下部位尺寸偏差小(即侧蚀小)、析出的铜厚度的偏差小等方面,提高导线的精度应是以此为目标。
若使所制出的20µm~30µm的导线宽幅实现优良的精度,就必须在电镀中采用与传统电镀不同的新工艺技术。
在此方面,镀膜厚的均一化技术是十分重要的。
在30µm导线宽幅的电路图形制造中,更加倾向于采用半加成法。
在采用此工艺过程中.为
了降低图形铜电镀的厚度分散问题,曾作了各种的工艺试验,进行了技术上的攻关。
而在电镀设备方而PPR整流器的采用和摇动装置及极间距的改善,都对这方面的技术突破起到推进作用。
在20µm—30µm导线宽幅的制作上,目前是以减成法一板面电镀工艺路线为主流的。
为了推进这方面技术,在蚀刻、电镀设备上所出现的创新技术有:
配合减少蚀刻深度而进行的蚀刻装置的改善;电镀设备的PPR整流器的采用;水平式电镀设备的采用;竖立式连续电镀设备的采用;特殊喷流方式的采用等。
由于当前高密度多层板填充孔的技术在迅速发展,也给电镀设备的制造技术提出了新课题。
采用电镀法去完成孔的铜金属填充,已经成为一个主要方法。
现在填充孔的孔径已经实现了l00µm的微细程度,并且填充孔的工程数量也在不断的增多。
在此种电镀实施中,要控制铜析出的问题,为此要用专一的电镀设备和药液去进行。
为了达到电镀填充孔的高品质、高工艺稳定性,就需在电镀设备、药液条件、添加剂、光亮剂电解条件等方面进行改善。
在高速电路发展需要下,高多层板的制造在增加。
尽管在近两年来这种高多层板生产量,受到市场不景气的影响而减慢了发展脚步,但它仍是发展高速电路用印制电路板的一个必然方向。
高多层板的厚度在3.2µm~6.0µm,孔径一般在0.2µm~0.4µm,板的厚径比达到12~16,甚至达到18。
高多层板制造所用的电镀没备,在改进技术方面面临着:
使铜离子能够连续的供给;使电解中可达到析出铜膜厚度的均一化;配合电解条件、药液浓度条件、添加剂的改进等当前迫切需要解决的课题。
为了减轻环境的负荷,已经在印制电路业中开始使用无铅化。
许多日本的公司已经发布了“实现无铅化”的宣言或承诺:
在2003年4月以后登上“无铅化之路”。
使用无铅焊剂的印制电路板,为了保证电路层与元件的连接强度的长期稳定性,要在印
制电路板最终表面进行耐热焊剂处理。
这种铜箔表面的处理,可采用化学镀镍一金(Ni—Au)处理、化学镀锡(Sn)处理、化学镀银(Ag)处理。
代替锡一铅(Sn—Pb)焊剂整平,实施二元的电镀(Sn—Zn、Sn—Ag、Sn—Cu)、三元的电镀以及元件的电极处理,也都在继续开发之中。
(3)曝光设备方面。
无论是上述的减成法工艺还是加成法工艺制造微细导线,今后其宽幅都要达到30µm,对于曝光技术来说,就需要在设备要求方面进行相应的改善,曝光时的对位精度需要比过去有更高的水平。
在曝光方式上,将会更多采用激光直接成像方式。
特别在积层法多层板的制造上,通过曝光设备的高直线性去实现更高精度化,已成为重点研究对象。
许多曝光没备制造厂在多方面开展了研究。
例如:
1采用x光的照射。
以下层的标记(mars)为目标,对贯通孔进行直射。
2在铜表面“开窗口”,越过绝缘树脂层对下层的标记进行测量。
③利用反射照明方式对电镀加工后的导通孔进行测量。
上述的方法,存在着各自的优缺点,它们的发展前景主要取决于如何克服其短处。
3满足IC封装对基板的特别要求的发展预测
IC封装载板(又称为lC封装基板)所有用的基板材料,除了要采用无卤、无锑的阻燃材料外,还需要随着IC封装的高频化、低消耗电能化的发展,在低介电常数、低介质损失因子、高热传导率等重要性能上得到提高。
今后研究开发的一个重要课题,就是热连接技术—热散出等的有效热协调整合。
为确保IC封装在设计上的自由度和新IC封装的开发,开展模型化试验和模拟化试验是必不可缺的。
这两项工作,对于掌握lC封装用基板材料的电气性能、发热与散热的性能、可靠性等特性要求是很有意义的。
另外,通过学会等团体形式,与IC封装设计业进一步沟通,以达成共识,将所开发的有关新材料(包括基板材料)的性能及时地提供给设计者,以使设计者能够建立准确、先进的数据基础,从这点上讲,此项工作是非常重要的。
预测根据IC封装设计、制造技术的开展,对它所用的基板材料有更严格的要求。
这主要表现在以下诸方面:
①与无铅焊料采用所对应的高职性;
②达到与特性阻抗匹配的低介质损失凶予性;
③与高速化所对应的低介电常数性(e应接近2):
④低的翘曲度性,对基板表而的平坦性的改善;
⑤低吸湿率性;
⑥低热膨胀系数性,使热膨胀系数接近6ppm;
⑦IC封装载板的低成本性;
⑧低成本性的内藏元器件的基板材料;
⑨为了提高耐热冲击性,而在基本的机械强度上的进行改善,适于温度由高到低的变化循环下而不降低性能的基板材料;
⑩达到低成本性、适于高再流焊温度的无卤、无锑的绿色型基板材料。
4满足绿色化要求的发展预测
41以欧洲为中心的环境保护法规的发布与实施
以环境保护为实质内容的绿色化问题(日本称为“环境调和问题”)实际上既足个技术问题,也是个经济问题、社会问题。
近年来,在电子安装业界及印制电路板业界中,在此问题上主要一直围绕着“何时彻底实施”(时间轴)和“材料开发的方向性”两个具体问题开展争歧。
在对待开展电子产品的“绿色化”态度的积极性上(或者谚皂程度上),目前世界上各个围家、地区已有差异。
对此问题分析,日本印制电路及基板材料的著名专家——青木正光先生讲的较为深刻。
他近
期提出:
在美国,认为2l世纪的“关键产业”是“IT”业。
而在欧洲,认为2l世纪的“关键产业”是“环境”。
欧洲是电子产品绿色化的“发源地”。
他们在印制电路板方面主要围绕着三个方面去开展绿色化的进程。
这三个方面是“无铅化”、“无卤化”、“产品的循环再利用化”。
这是今后要坚持的方针,并且通过法规的建立和实施,去推进这项工作。
与印制电路板相关的环境保护的法规.在欧洲主要有两件。
这就是:
“电气、电子产品废弃物指令fEuDi—rectiveonWastefromElectricalandElectronicEquipment,简称:
wEEE)”和“特定有害物质使用限制令(Rest—ctionofHazardoussubstances,简称RoHs)”。
在这两份法规中都明确的提到了要禁止使用铅和卤化物的问题,它已丁2002年l0月11日在欧盟会议上通过,并且要在2006年7月l日起正式全面的实施。
这两个“欧洲指令”的发布和未来的实施,必然对世界各国的PCB的绿色化上作带来了深刻的影响。
4.2绿色化的发展指南
日本环境保护安装技术委员会在近期提出了有关印制电路业(包括对电子元件在印制电路板上安装业)在绿色化方面的发展指南,它所含的主要内容在表l中所示。
43无卤化基板材料的开发与应用
对全世抖在无卤化基板材料的采用量方面的统汁,在1999年问,世界无卤化基板材料使用量约占整个基板材料使用量的3%,近一两年又有所增长。
预测2005~2010年,由于欧洲有关法规(WEEE、RoHs)的实施,世界无卤化基板材料的采用量将迅速地增加到占基板材料总体的50%~80%。
无卤化基板材料的开发,除了解决一个环保要求外,还要解决达到一个性能要求问题,要满足下一代的高密度安装所要求的电气、机械的可靠性要求;还要满足机械钻孔加工、激光钻孔加工、铜配线与基板材料的粘接性、耐药性等诸方面基板加工性的要求。
这种开发难度,要比无卤化电子产品的结构体的开发要大。
根据各种印制电路板的用途的不同,对基板材料性能的要求也有所不同,因此在开发无卤化基板材料时要区别对待。
为此,可以将无卤化基板材料划分为_三类:
①一般基板用的无卤化基板材料。
这类基板主要应用在家用电器、电脑等一般基板(包括移{层法多层板)。
②大型高多层基板用的无卤化基板材料。
这类基板主要应用在高速数据保存管理计算机、通信用发射台装置等的大型高多层基板用无卤化基板材料。
③挠性基板用的无卤化基板材料。
(1)一般基板用的无卤化基板材料的开发与应用。
目前出现在市场的无卤化基板材料是以一般基板用无卤化基板材料占绝大部分,用环氧树脂作为主要构成成分是这类基板构成的主流。
它是以低成本性、高加工互换性、高性能稳定性、比较低的传输速度(在500MHz以下)要求,为主要性能要求的特点。
目前这类基板用的无卤化基板材料,主要采用的阻燃剂是交联型(即反应型)有机磷和金属氧化物、氧化物填料所构成的。
它可以达到高的耐漏电起痕性和UL94的VO级的标准要求。
由于添加型的有机磷,在高湿度环境下的铜配线会被腐蚀,这种现象是随着阻燃剂中磷酸的发生量而变得更严重。
目前还对有机磷的安全性(它含有热分解生成物)存在着不同的看法而引起争沦。
尽早的对其安全性加以验证,是当前急需解决的问题。
表2所示了无卤化基板材料阻燃方式、特点。
表2可以看出,阻燃化与树脂物理性能是相互对立的,要将它们统一,是一件比较难的开发工作,目前急需下一代的阻燃材料问世。
另外对于这类环氧树脂使用量大的基板,如何使基板能否实现再循环应用,甚至基板的玻璃纤维布能否实现再循环应用,都是近期研究开发的重点。
(2)大型高多层基板用的无卤化基板材料的开发与应用。
大型高多层基板其有为实现高速信号传送而要求达到的低介电常数(ε=3.5以下)、介质损失因子(tanδ=0.005以下)的高电气性能;还要具备为了耐高温无铅焊安装的热冲击,而要求达到的高Tg性(TE=200℃以上)和低吸水率(0.3%以下)的高物理性能。
因此,这类的基板材料所用树脂,是由聚苯醚树脂(PPE)、氰酸酯树脂(CE)及它的改性树脂(BT)、聚四氟乙烯树脂(PTFE)等所组成的,或者是以上树脂对环氧树脂改性所组成的。
在大型高多层基板用的无卤化基板材料,在开发中所使用阻燃剂,目前是以采用有机磷为主要技术路线。
这样,在所要达到的高电气性能、物理性能方面与所要达到的阻燃性能方面的两者矛盾方面,会比一般基板用无卤化基板材料开发更加突出,这也使得它的开发工作更加困难。
近期有的厂家将阻燃金属氧化物作为高填充性微填料加以配合,来解决上述的难题,获得一定的成果。
在基板材料的再循环开发方面,氟类树脂基板材料,作为已经采用在高频(RF)电子产品上的基板材料,是最有希望首先实现再循环化的一种。
(3)挠性基板用的无卤化基板材料的开发与应用。
随着电子产品薄型轻量化的不断加速发展,挠性基板在整个电子基板中的重要性也就更加突出。
它目前占整个电子基板产量的20%,而在2007年时预测将增加到:
30%以上。
目前主要使用的聚酰亚胺树脂薄膜和近两年问世并开始使用的液晶聚合物(LCP)薄膜,本身就具有阻燃性。
预测今后基板材料由于在再循环化方而的开展,容易实现再循环化的热塑性LCP会更加得以重视。
另外,用于移动电活、高频模块等内藏元件的基板,在制造上也期望选择像LCP等热塑性树脂的基板材料,这样可以解决再循环化问题。
在印制电路板的绝缘层形成方面,正在开发许多新的工艺方式,例如通过印刷、喷墨、盖印(imprjnt)等加工方式而形成基板上的绝缘层。
而这些新方式所使用的绝缘材料从具有再循环性方面考虑,就会大量使用液晶聚合物等热塑性树脂。
5适应于复合安装化方面的发展预测
5.1埋入无源元件技术
采用基板埋入无源元件技术可以达到:
①节约封装安装的面积;②由于信号线长度的缩短,使传送性能得到提高;③元件在组装成本卜会降低;④可靠性得到提高。
埋入电阻、电容、电感的研究开发,是以欧美为中心所开展的。
在这项研究中,对于埋入无源元件的设计工程、统一的封装设计工具、模拟试验、检查方法等都是很重要的。
今后期待于利用与积层法多层板的组合,去发挥其潜在的性能。
预测在埋入元件的基板制造的“据点”的全球竞争上,日本和中国台湾都有着得胜的优势。
埋入元件的基板的材料特性提高、加工特性的提高及低成本化,对今后埋入元件的基板的应用领域的扩大,起着很重要的推动作用。
5.2埋入有源器件技术
近期,在世界和日本的PCB销售额排名(2002年)都为第一位的日本Ibiden公司,发表了以BBuL(bumplessbuild—uplayer)为代表的有源器件埋入的印制电路板。
这可以看作基板埋入元件技术向半导体IC封装渗透的开始。
埋入有源器件化的优点有:
①可实现高性能和低功率化。
由于连接距离的缩短,削减了电感。
由于电容就在芯片旁配置,促进了电源传输加快。
由于驱动电压的下降,减少了杂波的发生;②安装密度的提高。
由于与芯片的连接而积提高,可实现一醛片的高l/O化;③可实现薄型化、轻量化;④可实现复数的芯片的搭载,使实现SiP(svsteminapackage)成为可能。
埋入有源器件化现有的缺点存①由于有埋入有源器件,所供给的基板材料的性能需要有更严格的限制;②要在印制电路板制造中,建立更多的检查项目,以避免出现有源器件的不合格品即漏检。
③要确立新的芯片供给体制。
在产业结构上,要解决渚多的课题。
5.3SlP技术
SiP(systeminapackage)是一种不同半导体元器件和不同技术混合在“一个整体封装”中的模块。
它的定义是这样的描述的“在单个芯片的封装中,加入无源元件或者是在单个封装中设置有多个芯片或积层芯片及无源元件等,它起到给电子整机产品提供功能集合的辅助系统。
”SiP比SoC(systemonachip)要具有开发费用低、开发周期短的优点。
S-P的连接技术,可以采用金属丝的连结,也可以是TAB、倒装芯片等的连结方式。
所用的载板,可以是有机树脂基板,也可以是陶瓷基板、金属基板等。
一般采用连接盘形式达到与载板的连接,有的SiP在载板中还有埋入芯片。
今后的传感器是会发展成为MEMS(microelectmnicsmechanjcalsystem,极微小电子机械系统)的新结构。
MEMS在一个封装中内,搭载上光电子元件、射频(RF)一混合信号装置,而SiP是易于实现这种MEMS的形式。
6适应于搭载新功能电子元件要求的发展预测
6.1EMS要求
预测MEMS技术在今后十年间,在汽车、医疗器械、通信、民用电子产品应用领域中得到扩大,并将是推动封装技术进步的动力之一。
MEMS与标准的半导体元器件一样,在环境保护对策、电气信号的完整性、机械支撑、热散发管理等方面,都成为十分重要的研究课题。
在多个MEMS在封装内,要保持其惰性气体或真空的封闭状态。
为了达到MEMS装置的制品性能要求和与此封装的整合要求,设汁者对它的设计结构上所要把握的重要因素,主要是信号处理与电力条件的关
系,信号与能量的变化关系,还有材料技术、检查技术等,还要进行它的多芯片封装或三维立体封装的开发。
62光电子元器件的要求
光电子元器件的在基板卜-的安装,面临两方面的技术挑战:
其一,在多芯片封装的模块内搭载光电子元器件。
在这种情况下,它有着外形尺寸小、I/O数少的特点。
其二,在模块内光学性能的集成,衍射光栅、滤波器等无源元件与激光元件、检波器等的有源元件的集成。
这种封装的技术关键,是光路精密的调整与使用环境下位置精度的维持。
它的装配的主要课题足调整上的自动化、光导纤维终端部的自动化处理的问题及它的系统标准化问题,还有就是热管理的问题。
由于波长对温度十分敏感,凶此它与电气的对应的控制就更加严格。
出于不同的热膨胀系数的部晶的复合化,也使得对其位置精度的有所影响的原因,使得在封装内的热管理就显得更加重要。
63RF与混合信号的要求
RF与混合信号领域的封装,无论是低成本的家电产品,还是在高频电子产品中,今后都会采用。
由于它在许多电子产品发展中的重要地位,预测在今后这种封装器件中会有很大的增加。
在此领域的封装,现在采用的是低成本的金属丝连接形式。
从长远发展看,为了缩短信号线的长度,而被倒装芯片的方式所代替,并且有望采取封装内藏无源元件的方式,使电气性能获得提高。
还有,在RF领域的频率数预测今后会超过5GHz:
,这样,在改善载板的介质损失因数,在制造上的多样化方面、在正确的电气模拟试验方而,都是十分重要的。
7适应于低成誊化要求的发展预测
在IPC所发布的2001年版的“指南报告书"中预测了丰要电子产品在应用基板材料方面今后的变化,见表3。
表3中,Dk表示介电常数;GI表示聚酰亚胺树脂基板材料盯FE表
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