磁控溅射制备铝薄膜.docx
- 文档编号:13065885
- 上传时间:2023-06-10
- 格式:DOCX
- 页数:54
- 大小:1.65MB
磁控溅射制备铝薄膜.docx
《磁控溅射制备铝薄膜.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《磁控溅射制备铝薄膜.docx(54页珍藏版)》请在冰点文库上搜索。
磁控溅射制备铝薄膜
磁控溅射制备铝薄膜
摘要
铝金属具有良好的导电性、导热性、耐腐蚀性、吸引性及耐核辐射性等优良性质,并且具有良好的光电性能等优良性质。
其优异的光学性质和电学性质,使得铝薄膜在微电子电路、薄膜电路和光学薄膜中被广泛应用。
目前,铝薄膜的研究主要有两个方面:
一方面研究超薄铝薄膜的光学特性和电性能;另一方面研究铝薄膜在制备多层薄膜中的作用。
本设计利用磁控溅射法来制备铝薄膜,并通过对工作气压以及溅射温度的控制来研究这些参数条件对铝薄膜折射率以及其微观结构的影响。
利用椭圆偏振测厚仪来测量薄膜折射率,用原子力显微镜以及金相显微镜来观测铝薄膜的表面形貌以及颗粒大小等。
从数据的分析中得到工作气压以及基片温度与铝薄膜的复折射率和表面形貌的关系。
实验结果表明:
随着工作气压的增大,薄膜沉积速率先变大后减小;随着基片温度升高,薄膜粗糙度上升,颗粒变大。
关键词:
磁控溅射;铝薄膜;微结构;表面形貌
Magnetronsputteringthinfilmofaluminum
Abstract
Aluminummetalhasgoodelectricalconductivity,thermalconductivity,corrosionresistance,drawresistanceandradiationresistanceandotherexcellentproperties,andhasgoodopticalpropertiessuchasexcellentproperties.Itsexcellentopticalpropertiesandelectricalproperties,makingaluminumfilmsinmicroelectroniccircuits,athinfilmcircuitandtheopticalthinfilmiswidelyusedin.Atpresent,theAlthinfilmresearchmainlyhastwoaspects:
ontheonehandultrathinaluminumfilmsopticalandelectricalproperties;ontheotherhandthealuminumthinfilmsinthefabricationofmultilayerfilminrats.
ThisdesignusesamagnetronsputteringmethodtopreparetheAluminumfilm,andthroughtheworkpressureandsputteringtemperaturecontroltostudytheinfluenceoftherefractiveindexofAluminum,aswellasthemicrostructureoftheseparametricconditions.EllipsometryThicknessGaugetomeasuretherefractiveindex,usingatomicforcemicroscopyandmetallographicmicroscopetoobservethesurfacemorphologyandparticlesizeoftheAluminumfilm.FromthedataanalysisoftherelationshipbetweenworkingpressureandsubstratetemperatureandthecomplexrefractiveindexandsurfacemorphologyoftheAluminumfilm.Theexperimentalresultsshowthat:
withtheincreaseofworkingpressure,depositionratefirstlargerdecreases;filmroughnessincreasedwithincreasingsubstratetemperature,theparticlesbecomelarger.
Keywords:
Magnetronsputtering;thinfilmofaluminum;Microstructure;Surfacemorphology
第一章绪论
1.1薄膜概述
1.1.1引言
人工薄膜的出现是20世纪材料科学发展的重要标志。
自70年代以来,薄膜材料、薄膜科学、与薄膜技术一直是高新技术研究中最活跃的研究领域之一,并已取得了突飞猛进的发展。
薄膜材料与薄膜技术属于交叉学科,其发展几乎涉及所有的前沿学科,其应用与推广渗透到了各相关技术领域。
正是由于薄膜材料和薄膜技术的发展才极大地促进了微电子技术、光电子技术、计算机技术、信息技术、传感器技术、航空航天技术和激光技术的发展,也为能源、机械、交通等工业部门和现代军事国防部门提供了一大批高新技术材料和器件。
薄膜是不同于其它物质(气态、液态、固态和等离子态)的一种新的凝聚态,有人称之为物质的第五态。
顾名思义,薄膜就是薄层材料。
它可以理解为气体薄膜,如吸附在固体表面的气体薄层;也可理解为液态薄膜,如附着在液体和固体表面的油膜。
我们这里所指的薄膜是固体薄膜,即使是固体薄膜,也可分为薄膜单体和附着在某种基体上的另一种材料的固体薄膜,这里所指的薄膜属于后者[1]。
薄膜的基底材料有绝缘体,如玻璃、陶瓷等;也有半导体,如硅、锗等;也各种金属材料。
薄膜材料也可以是各种各样的,如从导电性来分,可以是金属、半导体、绝缘体或超导体。
从结构上来分,它可以是单晶、多晶、非晶(无定形)、微晶或超晶格的。
从化学组成上来看,它可以是单质,也可以是化合物,它可阻是无机材料,也可以是有机材料。
1.1.2薄膜研究的发展概况
薄膜科学是由多个学科交叉、综合、以系统为特色,逐步发展起来的新兴学科,以“表面”及“界面”为研究核心,在有关学科的基础上,应用表面技术及其复合表面技术为特点,逐步形成了与其他学科密切相关的薄膜科学。
60年代初以来,伴随着超高真空技术及各种复杂的表面分析技术的发展,薄膜科学的研究内容得到了极大的丰富,并逐步发展成为多学科相互交叉、理论与实验相结合的一门新学科。
表面原子无论在原子运动、原子结构、表面缺陷以及其他物理化学过程都与体内原子有不同的变化规律和特点。
尽管作为凝聚态物理的一个重要分支和多种科密切联系的交叉学科,薄膜科学在很大程度受固体物理的影响,并与材料科学、化学、微电子学等多种学科互相渗透,密切联系。
固体物理中的声子色散、电子能带和输运机制都与界面现象有关,为获取材料表面信息而出现的多种粒子探测技术正是依赖各种粒子(如低能电子、离子、原子、分子等)与材料表面相互作用,而这些粒子束探测技术反过来又极大地推动了现代薄膜科学的迅速发展。
在表面吸附以及薄膜生长机制研究中,分子物理和分子化学知识则是必不可少和非常重要的。
伴随着薄膜科学在基础研究方面的不断深入,各种表面分析技术也日渐成熟,使人们逐渐可以在微观的尺度上对材料的结构、形貌、成分和化学状态等进行直接的观察、分析。
一批新的表面微区结构与成分分析方法以及一些新的表面加工技术应运而生。
首先使用与纳米加工和微区成分分析的各种扫描探针技,用于描述薄膜生长和原子迁移动力学过程的实时监测技术以及从一般尺度到原子尺度进行表面研究的综合系统。
许多表面分析技术已经在工业界得到广泛应用,这包括:
x射线衍射仪(XRD)、Auger电子能谱(AES)、x光电子谱(XPS)、低能电子衍射(LEED)、热能原子散射(TEAS)、扫描隧道显微镜(STM)、和椭偏仪(ellipsometry)等分析技术的出现,不仅为表面科学和薄膜科学提供了利的研究手段,而且极大的推动了表面科学和薄膜科学的飞速发展。
另一些表面分析技术,如二次离子质谱(SIMS)以及配有电子能量损失谱(EELS)的原子分析透射电镜(TEM)和反射高能电子衍射谱(RHEED)也在被工业界接受。
在薄膜材料制备方面,由表面技术发展起来的各种现代手段,如以蒸发沉积为基础发展出了真空蒸发沉积、分子束外延薄膜生长、加速分子束外延生长;以载能束与固体相互作用为基础,先后出现了离子柬溅射沉积、电子束蒸发沉积、脉冲激光溅射沉积、强流离子束蒸发沉积;以等离子体技术为基础出现了化学气相沉积、物理气相沉积、磁控溅射镀膜;同时,人们将载能束与薄膜生长相结合发展了离子束辅助沉积、低能离子束沉积、离子束混合等。
例如,应用离子镀膜、射镀膜、化学气相沉积、离子束辅助沉积等方法制备的TiN、这些薄膜制备方法已经可以通过控制应力、成分和掺杂条件来获取各式各样的人造多层膜结构。
这些具有特殊功能和目的的新材料己被制作成各种器件,如高电子迁移晶体管、激光器、异质结双极晶体管(HBT)、巨磁电阻、x射线光学器件等,并广泛应用于电子、磁光和通信等领域。
而在材料研究方面,尤其以SiC薄膜、Ⅲ一V族氮化物薄膜、硅化物薄膜、纳米粉材料最引人注意。
利用先进的超高真空生长技和原位观测手段以及对生长机理的深入研究,有可能使性质差异更大的材料以薄膜的形式结合起来,从而提高器件的工作效率,扩大器件的功能。
在理论研究方面,人们越来越感兴趣在一些小尺寸或与之相关的材料系统中发现新的物理和化学现象。
例如,表面对量子点或原子团簇中杂质和缺陷的影响。
可以说计算机的发展对薄膜科学做出了重要贡献。
与此同时先进的计算机与现代算方法结合,可以用来研究各种复杂的表面系统,从而提供了检验和比较各种似理论的标准。
同时,通过计算机模拟可以沟通理论和实验,实现在实验上很难或者根本无法完成的某些物理过程和极限情况的研究。
对于薄膜形成机理的研究起始于二十世纪二十年代,1924年,Frenkel提出了描述成核过程的原子模型[2]。
1958年,人们提出薄膜生长的外延模型[3],建了薄膜生长的三种模式:
即层状生长模式,层状+三维岛状生长模式和三维岛生长模式。
同时,基于统计物理学的原子成核和生长模型及相关理论丌始逐渐形成[4,5],如:
描述表面原子成核和生长的速率方程和关于表面原子扩散的点阵气体模型等。
这些理论的出现不仅解释了薄膜生长初期的一些物理现象,促进了薄膜生长研究的发展,而且激励着人们在原子、分子的水平上进一步探讨薄膜的生长行为。
1985年,Rahman等人报道了Lennard。
Jones体系的薄膜生长的分子动力学模拟[6]。
1986年,Voter在点阵气体模型的基础上提出了表述表面原予运动的MonteCarlo方法[7]。
随着一些有效的原子间相互作用势的出现,计算机模拟方法开始逐渐成为研究原子水平上的薄膜生长机制的主要手段之一。
1.1.3薄膜的制备方法
薄膜制备方法很多,并可将它们分类,如分为化学法、物理法或化学物理法。
现我们按气相、液相法分类,如表1.1。
气相法是利用各种材料在气相间、气相和固体基体表面间所产生的物理、化过程而沉积薄膜的一种方法。
它又可以分为化学气相沉积(ChemicalVapourDeposition,简称CVD)和物理气相沉积(PhysicalVapourDeposition,简称PVD)。
根据促使化学反应的能量可以来自加热、光照和等离子体,因此CVD又可分为热CVD、光CVD和等离子CVD。
物理气相沉积也可分为利用加热材料而产生的热蒸发沉淀、利用气体放电产生的正离子轰击阴极(靶材)所产生的溅射沉积、把蒸发和溅射结合起来的离子镀以及分子束外延。
应该指出的是CVD中不是单一的只存在着化学过程,它同时也存在着物理过程,如原子或分子的激发、电离,各种粒子的扩散和在固体表面的吸附等。
反之,PVD中也可能产生化学过程,如在蒸发和溅射过程中充入活性气体(02、N2等),则它们可和蒸发和溅剩出来的粒子产生化学反应而生成不同于靶材的薄膜,即所谓反应镀膜。
液相法又可分为化学镀、电镀和浸渍镀。
本论文将会主要介绍溅射镀膜法。
1.1.4薄膜的特征
薄膜与大块材料相比,它具有某些特有的性能[8]。
(1)结构特征:
由于薄膜有很大的表面积,很容易受环境气氛和基片状况的影响,所以除分子束外延法外,一般镀膜方法制成的薄膜的有序化程度较大块材料差,杂质浓度和缺陷都高于大块材料。
(2)金属薄膜的电导:
薄膜的电子性质与大块材料的电子性质的差异非常明显,某些在薄膜上见到的物理效应,在大块材料上根本不存在。
对大块金属来说,其电阻因温度降低而减小,在高温区,电阻随温度的一次方减小,而在低温区,电阻随温度的五次方减小。
但薄膜的电阻率要比大块金属的电阻率大,温度降低后薄膜的电阻率不如大块样品下降得那样快。
因为在薄膜的情况下,表面散射对电阻的贡献很大。
一般厚度小于30nm的薄膜,即使在300K的温度,表面散射对电阻的贡献也已经表现出来。
薄膜电导异常的另一表现是磁场对薄膜电阻的影响。
处于外磁场中的薄膜的电阻要比大块样品的电阻大一些,这是因为在这种情况下,电子在薄膜中沿螺旋形路线前进。
只要螺旋线的半径大于薄膜的厚度,电子在运动过程中在表面处的散射就会产生附加电阻;使得薄膜在磁场中的电阻大于块材料的电阻,也大于薄膜在零磁场中的电阻。
这种薄膜电阻对磁场的依赖关系叫磁阻效应。
(3)通过绝缘薄膜层的电导:
当夹在两块金属电极之间的绝缘层变得很薄时,它的导电性会发生很大变化。
因为在这种情况下,绝缘薄膜的导电性能不再由绝缘体的固定性质所决定,而主要由金属与绝缘体接触界面的特性来决定。
金属与绝缘体问一个合适的欧姆接触,可以向绝缘薄膜中注入附加载流子,改变了绝缘体的电子态结构。
加到薄膜绝缘层上的一个不大的电压也可以在靠近界面处的绝缘体内产生很强的电场。
在这种情况下,由于场发射,可从阴极向绝缘体的导带中注入大量电流。
实验表明,加到两个金属电极之间的绝缘薄层上的电压比较低时,它的电导表现为欧姆型,但当电场加大,则其伏一安特性就要偏离线性,而且电场愈强,偏离线性愈严重。
缘薄膜层表现出来的这种反常电导行为,它的部分原因来自其非晶特性。
在非晶态绝缘层的情况下,原来意义上的禁带已不存在,导带和禁带的界面变得模糊不清,再加上蒸发的绝缘层中往往还含有杂质和缺陷。
甚至还有化学成份比的偏离,这些也会导致附加电导。
当夹在两金属电极之间的绝缘层变得很薄,如5nm时,通过绝缘层出现隧道电导,即使加到电极之间的电压低于界面势垒高度,导电电子也能通过这层绝缘薄膜。
(4)超导薄膜:
超导薄膜的性质与大块超导体有明显差异。
虽然薄膜的临界温度与大块超导体一般无多大差别,但如果某些超导薄膜与大块超导体结构明显不同,则薄膜超导体的临界温度可能变化很大。
另~个对薄膜的性质有明显影响的因素是所谓邻近效应,当在一超导薄膜上再叠加另一层异质薄膜时,超导薄膜的临界温度会明显变化,尤其当超导膜的厚度很小时,这种影响就更显著。
超导薄膜的临界磁场与大块超导体有明显差别。
理论计算表明,薄膜厚度愈小,它的临界磁场比大块超导样品的临界磁场愈高。
(5)薄膜的磁学性质:
铁磁薄膜对信号的存贮很有用,可制成各种磁盘、磁带和薄膜存贮器。
现已知道,不但用Fe、Ni、Co、Gd等金属可以制成铁磁薄膜,用非金属的铁氧体,石榴石及硫族化合物也可以制出铁磁薄膜。
这种铁磁薄膜的特点是磁化强度向量M在薄膜平面内,且处于平面内的这个易极化轴可以处于平面内任意方位角;外加一个小磁场还可使磁化强度矢量反转。
FeNi薄膜很强的磁各向异性主要来源于薄膜的特殊几何状况。
外加一个磁场使铁磁薄膜磁化强度M的方位角发生改变的快慢,是这种薄膜的重要参量。
研究结果表明,M在异磁化轴方向的反转时间为lns,因而用这种铁磁薄膜可制成快速存贮元件,如磁膜存贮器。
1.1.5薄膜的应用
薄膜的应用非常广泛,有以下一些主要用途。
薄膜用于大规模集成电路以增加器件的物理化学特性,用作合金涂层以提高合金的耐磨性和抗腐蚀性,用作光学涂层以增加或减少光线的反射和透射,按要求使得光线吸收和通过。
光学薄膜还可以对色彩进行合成和还原,近代的彩色摄影、彩色电视、激光、太阳能电池、集成光学等都离不开薄膜技术。
高质量的超导薄膜的临界电流密度超过块状材料几个数量级,能满足制各电子器件的需要。
铁电材料除具有铁电性以外,还具有电性、热释宅性、线性电光效应、非线性光学效应等,在现代电子技术和光电子技术中具有重要的应用。
过去利用铁电材料制作相关器件,大多采用体材料。
随着电子器件和光电子器件微型化与集成化,铁电薄膜材料的应用越来越广泛。
硅基铁电薄膜材料还可以用于研制神经网络元器件。
第二章射频反应磁控溅射制备方法机理分析
所谓“溅射”是指荷能粒子(如正离子)轰击靶材,使靶材表面原子或原子团逸出的现象,射出的粒子大多呈原子状态,常称为溅射原子。
溅射镀膜是指利用高能粒子(大多数是被电场加速的正离子)轰击固体靶材表面,在与固体表面的原子或分子进行能量或动量交换后,从固体表面飞出原子或分子并沉积在衬底上的镀膜方法。
溅射现象在1842年由英国人Grove发现,从1870年开始将溅射现象用于薄膜的制备,真正达到实用是在1930年以后,特别是进入70年代,半导体制造工艺的发展促进了溅射镀膜的广泛应用。
溅射可以用于制备金属、合金、半导体、氧化物、绝缘介质薄膜,也可以用于制备化合物半导体薄膜、碳化物及氮化物薄膜。
现在溅射已经发展成为薄膜技术中重要的一种镀膜方式,本实验采用的是射频反应磁控溅射镀膜法。
2.1射频反应磁控溅射法原理
溅射技术都要建立在气体辉光放电的基础上,溅射离子都来源于气体放电。
不同的溅射技术所采用的辉光放电方式有所不同:
直流二极溅射利用的是直流辉光放电:
三极溅射是利用热阴极支持的辉光放电;射频溅射是利用射频辉光放电;磁控溅射是利用环状磁场控制下的辉光放电。
而射频磁控溅射是两种技术的结合,以获得更好的溅射镀膜效果[9-14]。
2.1.1直流辉光放电
溅射是在辉光放电中产生的,因此辉光放电是溅射的基础。
辉光放电是发生在卜10Pa的稀薄气体中,两个电极之f目J3n上电压时产生的一种气体放电现象。
对于溅射经常用到直流辉光放电和射频辉光放电。
当两电极之间加上直流电压时所发生的放电现象为直流辉光放电。
气体放电时,两电极间的电压和电流的关系不能用简单的欧姆定律来描述,因为二者之间不是简单的直线关系。
根据电压和电流密度的大小以及二者之间变化规律的不同,可以将直流放电分成不同的放电区,即无光放电区、汤森放电区、正常辉光放电区、非正常辉光放电区和弧光放电区。
在正常辉光放电区,维持辉光放电的电压较低且不变。
由于正常辉光放电的电流密度比较小,所以溅射选择在电流密度比较大的非正常辉光放电区。
非正常辉光放电的特点是:
电流增大时,两放电极板间电压升高,并且阴极电压降的大小与电流密度和气体压强有关。
因为此时辉光己布满整个阴极,再增加电流时离子层己无法向四周扩散,这样,正离子层便向阴极靠拢,使正离子层与阴极间的距离缩短,这时若想要提高电流密度,则必须增大阴极压降使正离子有更大的能量去轰击阴极,使阴极产生更多的二次电子才_彳亍。
在气体成分和电极材料一定的条件下,起辉电压V只与气体压强P和电极距离d的乘积有关,起辉电压有一最小值。
若气体压强太低或电极间距离太小,二次电子在到达阳极前不能使足够的气体分子被碰撞电离,形成一定数量的离子和二次电子,会使辉光放电熄灭。
气压太高或电极间距离太大,二次电子因多次碰撞而得不到加速,也不能产生辉光。
在大多数辉光放电溅射过程中要求气体压强低,需要相当高的起辉电压。
在极间距小的电极结构中,经常需要瞬时地增加气体压强以启动放电。
异常辉光放电时,在某些因素的影响下,常有转变为弧光放电的危险。
此时,电极间电压陡降,电流突然增大,相当于电极间短路。
且放电集中在阴极的局部地区,致使电流密度过大而将阴极烧毁。
同时,骤然增的电流有损坏电源的危险。
因此,在溅射过程中,要避免弧光放电发生[15]。
2.1.2射频辉光放电
在一定的气压下,当阴极和阳极间所加交流电压的频率增至射频频率时,即可产生稳定的射频辉光放电,射频频率一般为5-30MHz。
射频辉光放电有两个重要特征:
第一,在辉光放电空间产生的电子,获得了足够的能量,足以产生碰撞电离,因而减少了放电对二次电子的依赖,并且降低了击穿电压。
第二,射频电压能通过任何一种类型的阻抗耦合进去,所以电极并不需要导体,因而可以溅射包括介质材料在内的任何材料。
因此射频辉光放电在溅射技术中的应用十分广泛。
当阴极和阳极间加以射频信号时,外加电压的变化周期小于电离和消电离所需时间(一般在104秒左右),等离子体浓度来不及变化。
由于电子质量小,很容易跟随外电场从射频场中吸收能量并在场内作振荡运动。
但是,电子在放电空间的运动不是简单的由一个电极到另一个电极,而是在放电空间不断来回运动,经过很长的路程。
因此,增加了与气体分子的碰撞几率并使电离能力显著提高,从而使击穿电压和维持放电的工作电压均降低(其工作电压只有直流辉光放电的1/10)。
所以射频自持放电要比直流放电容易得多。
通常,射频辉光放电可以在较低的气压下进行。
例如,直流辉光放电常在10-1-1Pa运行,射频辉光放电可以在10-2-10-1Pa运行。
另外由于正离子质量大,运动速度低,跟不上电源极性的改变,所以可以近似认为正离子在空间不动,并形成更强的正空间电荷,对放电起增强作用。
2.1.3射频原理
射频溅射的基本原理如图2.1所示,它是利用射频电磁辐射来维持低气压(10-2Pa)的辉光放电。
阴极安装在紧贴介质靶材的后面,把射频电压加在靶子上,这样在一个周期内正离子和电子可以交替地轰击靶材,从而实现溅射介质靶材的目的。
当靶材电极为射频电压的负半周时,正离子对靶材进行轰击引起溅射,如图2.1(a)所示。
与此同时靶材表面有正电荷积累,如图2.1(b)所示。
当靶材处于射频电压的正半周时,由于电子对靶材的轰击中和了积累在靶材上的正电荷(如图2.1(c)所示),就为下一周期的溅射创造了条件。
由于在一个周期内既有溅射又有中和,故能使溅射持续进行,这就是射频溅射能够溅射介质薄膜的原因[11]。
图2.1溅射原理示意图
然而,对于一个具有两个面积相等的金属电极的溅射系统束浣,当加上射频电压使它产生辉光放电时,两个电极上会形成两个厚度和电压降相等的暗区。
在一个周期内,由于每个电极交替为阴极和阳极,于是受到等量离子流和电子流的轰击,即在一个周期内两个电极都有一半的时间受到相同能量的离子流的轰击,显然这种结构的溅射系统难以沉积薄膜。
因此,实用的溅射系统中,采用面积大小不等的金属电极,即构成非对称平板型结构。
把射频电源接在小的电极上,而大电极和屏蔽罩连接后接地作为另一电极。
两个电极之间的电压降有以下关系:
(2.1)
其中A为电极的面积。
实际的射频溅射系统中接地极的面积比溅射靶的面积大得多。
如果大电极的面积大到足以使流向它的离子的能量小于溅射阈值,则大电极上就不会发生溅射。
因而只要用小电极作为溅射靶,而把衬底放在大电极上,就可以进行溅射镀膜了。
2.1.4磁控原理
磁控溅射是70年代在阴极溅射的基础上加以改进而发展的一种新型溅射镀膜法。
由于它有效地克服了阴极溅射速率低和电子使基片温度升高的致命弱点,因此,它一问世便获得快速的发展和广泛的应用。
磁控溅射是在射频溅射系统中引入正交电磁场,电场和磁场方向垂直。
从物理学中可知,处在电场E和磁场B正交的电子,其运动方程为:
(2.2)
式中e和m分别是电子的电量和质量,电子的运动轨迹是以轮摆线的形式沿着靶子表面向垂直于E
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 磁控溅射 制备 薄膜
![提示](https://static.bingdoc.com/images/bang_tan.gif)