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电子选择性接触工程使钙钛矿太阳能电池的效率提高讲述
电子选择性接触工程使钙钛矿太阳能电池的效率超过15%
摘要:
近5年来,我们已经见证了高效有机金属卤化物钙钛矿型太阳能电池的崛起。
在常规的钙钛矿型太阳能电池中,致密的n型金属氧化物膜需要在透明的导电氧化物(TCO)基片上,为有效的电子选择性接触有一个阻挡层。
在这项工作中,有一个界面过程被证明避免了致密的n型金属氧化物阻挡层的沉积。
盐碱溶液用于修改TCO表面,可以实现优化的界面能级排列,形成有效的电子选择性接触。
不使用致密的n型金属氧化物的阻挡层,在AM1.5G,100mW·cm-2的光照条件下,实现了15.1%的显著的光电转换效率。
关键词:
电子选择性接触,钙钛矿太阳能电池,界面工程
在过去的几十年中,下一代光伏(PV)器件越来越吸引世界的兴趣。
一些有希望的候选者[1]已经被广泛研究,目的是提高光电转换效率(PCE),降低设备生产成本,并提高装置的稳定性,等等。
这些候选者包括:
有机本体异质结太阳能电池,量子点太阳能电池,锡薄膜太阳能电池和染料敏化太阳电池(DSSCs),等等。
光伏技术已经取得了相当大的进展,器件的优良性能已经实现[1]。
自2009年以来,一种新的可供选择的光伏技术—钙钛矿型太阳能电池,已经成为下一代光伏技术中快速升起的新星[2-8]。
自染料敏化太阳能电池发展以来,出现了一种应用有机—无机混合光伏技术的钙钛矿太阳能电池,它采用有机金属卤化物钙钛矿型化合物作为光吸收剂。
有机金属卤化物钙钛矿,例如CH3NH3PbI3,在2009年首次在液体电解质型染料敏化太阳能电池中被用作可见光敏化剂[9],获得的3.8%的光电转换效率。
然后,将钙钛矿活性层复合到固态混合器件架构实现了性能的显著提升[10,11]。
钙钛矿层被夹在电子选择性接触致密层和有机空穴选择接触致密层之间[12],使钙钛矿太阳能电池的光电转换效率达到了10%。
后来进一步优化了器件的制作工艺,是转换效率达到了15%[13-16]。
最近,一种光电转换效率为17.9%的钙钛矿太阳能电池被报道并且被证实[17]。
而且,据预测,未来几年内钙钛矿太阳能电池的光电转换效率将达到20%[2,3],这预示着更低成本的光伏技术蕴藏着的巨大潜力。
综上所述,在常规的钙钛矿型太阳能电池中,致密的n型金属氧化物膜需要在透明的导电氧化物(TCO)基片上,为有效的电子选择性接触(ESCs)有一个阻挡层。
这层阻挡层薄膜可以阻止TCO与空穴传输材料的直接接触[18]。
最常用的n型金属氧化物致密层是TiO2,它是通过溶胶喷雾热解法[10,19]或旋转涂布法[20,21]沉积制得的。
高温退火通常需要实现一个相对紧凑的或致密的结构。
这样不与塑料基板兼容,并且不利于低成本的制造工艺[15]。
为了避免高温处理ESCs薄膜,已经有一些方法被证明可以获得良好性能的器件。
例如,在石墨烯中掺入低温处理的TiO2纳米粒子[22],在钙钛矿太阳能电池中形成纳米复合电子收集层。
纳米复合材料石墨烯的优良性能确保器件的制造工艺可以在不高于150℃的温度下进行。
它显著的光伏特性得以体现,实现了高达15.6%的光电转换效率。
经过低温处理(<150℃)的晶体锐钛矿型TiO2纳米粒子已经被证明能够形成致密的电子选择性接触层[16]。
在标准测试的条件下,已经实现了最高达15.9%的光电转换效率。
除了以为TiO2基础的n型材料外,在钙钛矿太阳能电池的ESCs中,ZnO也是一个很好的候选者[15,23]。
大家都知道,ZnO有优异的电子迁移率[24]。
我们发现,经溶液处理的ZnO纳米粒子不进行烧结步骤就可以形成致密层。
采用ZnO致密层可以使钙钛矿太阳能电池在模拟的标准光照条件下的光电转换效率达到接近16%[15]。
除了n型金属氧化物材料,在其他的有机或无机材料方面也做了一些努力,例如,[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯(PC61BM),聚[(9,9-双(3´-(N,N-二甲基氨基)丙基)-2,7-芴)-alt-2,7-(9,9-二辛基)](PFN)[25],和CdS[26]等。
然而,基于这些电子选择性接触的器件没有显著的性能。
在这项工作中,采用表面改性的方法被证明可以实现增强钙钛矿太阳能电池电子选择性接触的效率。
碳酸铯溶液用于修饰铟-锡-氧化物(ITO)表面,形成ITO和钙钛矿吸光剂之间最佳的界面能级排列。
结果表明,经铯盐溶液处理后,并没有形成在ITO上可见的紧凑铯盐层;然而,界面能级工程仍可以在AM1.5G100mW·cm-2的光照条件下,使光电转换效率显著地提升到15.1%。
这提供了一个不采用致密的n型金属氧化物的电子选择性层沉积的方法,而使钙钛矿太阳能电池获得有效的效率的一个例子。
此外,结果还表面,采用界面工程的方法可以实现钙钛矿太阳能电池高效的光电转换效率达到20%的目标[2,3]。
结果和讨论
图1a展示的是基于电子选择性接触工程的钙钛矿太阳能电池的器件结构。
器件加工中的ITO基板使用于在低温工艺中进行。
Cs2CO3溶液用于修饰ITO表面。
要多次重复处理盖表面,以确保获得所希望的表面改性。
通过连续的沉积过程,钙钛矿活动层被沉积到Cs2CO3的修饰ITO基片上(称为ITO:
Cs2CO3)。
然后,将p型2,2´,7,7´-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)-氨基]-9,9´-螺二芴(Spiro-OMeTAD)涂布到钙钛矿活动层上作为空穴导体。
最后,器件用Au作为顶层接触电极。
图1b展示了完成后的器件的横截面图像。
从截面图像可以看到,在钙钛矿层和ITO基板之间,没有额外清晰可见的阻挡层,这表明,Cs2CO3没有可见的致密层结构。
图1:
器件结构。
(a)器件结构的基底。
(b)基于Cs2CO3修饰的ITO基片的钙钛矿太阳能电池电池的SEM的截面图像。
(c)能级图
图2:
Cs2CO3改性过的ITO的扫描电子显微镜图像。
1(a)、2(b)、3(c)倍的Cs2CO3溶液改性过的ITO基片。
原始的(d)和Cs2CO3改性过的(e)ITO的放大的SEM图像
图3:
原子力显微镜图像和开尔文探针力显微镜图像。
Cs2CO3处理之前(a)和之后(b)ITO表面(一个)。
插图:
三维表面形貌的图像。
(c)ITO表面电位图片和(d)ITO:
Cs2CO3。
插图:
地形图像。
通过扫描电子显微镜(SEM)对Cs2CO3改性过的ITO表面进行研究。
图2a-c中,比较了经过1倍,2倍,3倍的Cs2CO3溶液处理过的ITO表明的扫描电子显微镜的图片。
根据SEM图像,溶剂蒸发后,Cs2CO3盐沉淀并在ITO表面聚集形成子微尺度斑点。
随着处理的溶液密度的成倍增加,Cs2CO3点的密度不断增大,像岛屿一样分布。
图2d,e比较了原始的ITO表面和经3倍溶液处理后的ITO表面的放大的SEM图片。
从图2e中可以看到,Cs2CO3点周围的表面形态和原始的ITO表面类似。
这证明Cs2CO3没有在ITO表面形成致密层薄膜。
用原子力显微镜(AFM)进一步观察表面形态。
图3展示了用Cs2CO3处理之前和之后的表面图像。
对于原始的ITO表面(图3a),整个扫描区域的表面粗糙度的算术平均值(Ra)和均方(Rq)分别为2.61nm和3.40nm。
经Cs2CO3处理后,形成高度为50至100nm的子微尺度斑点。
然而,不包含Cs2CO3斑点区域的算术平均值和方差分别为2.61nm和3.65nm,这和原始的ITO是类似的。
这和图2中的扫描电子显微镜图片是一致的。
表1:
基于不同电子选择接触层的钙钛矿型太阳能电池的性能概要(器件的性能在AM1.5G100mW·cm-2的模拟光照条件下测量)
图4:
光伏性能表征。
Cs2CO3改性的ITO基材制造的钙钛矿太阳能电池最佳的性能。
插图:
相同设备的IPCE谱
图5:
稳定性测试。
(a)使用碳酸铯改性的ITO作为电子选择性接触的器件的光伏性能的稳定性。
(b)沉积在Cs2CO3改性或ZnO涂层的ITO基材的CH3NH3PbI3薄膜的热稳定性测试。
退火条件:
(b1)ITO:
Cs2CO3/CH3NH3PbI3,130℃,30min;(b2)ITO:
ZnO/CH3NH3PbI3,130℃,5min;(b3)ITO:
ZnO/CH3NH3PbI3,80℃,60min。
为了探索最好的Cs2CO3处理条件,采用不同溶液浓度倍数在ITO上涂层。
我们对基于电子选择性接触的钙钛矿太阳能电池的光电特性进行了研究。
表1总结了器件在AM1.5G100mW·cm-2的模拟光照条件下的性能。
器件的加工过程得到了良好的控制,电子选择性接触层是唯一变量。
没有经过Cs2CO3处理的器件性能较差,随着经Cs2CO3处理的溶液浓度倍数增加,器件的性能更好。
用3倍的Cs2CO3溶液浓度处理ITO时,器件获得了最佳性能。
实现了器件的开路电压(Voc)为1.05V,短路电流密度(Jsc)为19.1mA·cm-2,填充因子(FF)为0.72,光电转换效率达到了14.4%。
进一步处理溶液的浓度倍数,器件的性能并没有得到提高。
如图4展示的那样,基于Cs2CO3修饰的ITO基片(3倍)的器件获得了最高为15.1%的光电转换效率,其中Voc=1.07V,Jsc=19.9mA·cm-2,FF=0.71。
入射光电转换效率(IPCE)的光谱也包含在(图4的插图)内。
从IPCE光谱上计算得Jsc=18.6mA·cm-2,这和在1日光条件下模拟J-V特性的Jsc值是一致的。
为了确定器件制造工艺的可靠性,表1还提供了使用ZnO或TiO2作为电子选择性接触层的器件性能作为参考。
基于ZnO的器件的光电转换效率为13.6%[15]。
使用TiO2(用喷雾热解法氟掺杂的氧化锡(FTO)上沉积)致密层的器件获得的光电转换效率为14.2%[10,19],这和先前的报道一致。
图S2中显示在支持信息的以Cs2CO3为基础的器件性能的统计信息,确保了该器件加工的可重复性。
这些结果表明,在ITO基片上用Cs2CO3处理可以实现钙钛矿活性层和没有n型金属氧化物阻挡层的TCO之间有效的电子选择性接触。
为了测试器件的稳定性,将未封装的器件存放与空气环境(温度约20℃,湿度约20%)中,并在AM1.5G,1太阳光的模拟光照条件下测试。
图5a显示了稳定性测试的结果。
在器件加工完成后的12h内,由于填充因子的增加,设备的效率提高了7%。
存储了24h之后,开路电压和填充因子的下降导致效率的大幅下降。
在接下来的100h,效率小幅回升。
与厨师的性能相比,器件在空气中存储300h之后,光电转换效率减小约为4%。
这些结果表明,基于Cs2CO3修饰的ITO的器件与使用TiO2致密层的器件具有相似的稳定性[11]。
除了器件的稳定性,我们也可以发现,电子选择性接触层会影响覆盖在它上面的CH3NH3PbI3薄膜的稳定性。
图5b展示了经退火温度处理后,在Cs2CO3修饰的或ZnO覆盖的ITO上的CH3NH3PbI3图像。
退火处理在填充N2的手套箱中进行,这能消除湿度对CH3NH3PbI3膜的影响。
退火实验首先在130℃下进行。
退火30min之后,Cs2CO3修饰的ITO薄膜保留了它的深色(图5b1)。
与此相反,退火5min之后,ZnO涂覆的ITO薄膜的颜色由暗变为亮黄色。
黄色薄膜表示CH3NH3PbI3已经分解,衬底上只留下PbI2[27-29]。
进一步对ZnO涂覆的ITO上的CH3NH3PbI3薄膜在80℃下退火,1h后,如图5b3所示,在薄膜中会看到黄色斑点,这说明CH3NH3PbI3已经分解。
这些结果表明,基于ZnO的电子选择性接触层可能会加速的CH3NH3PbI3分解。
与之相反,Cs2CO3修饰的ITO对CH3NH3PbI3的稳定性有较小的影响,这与基于TiO2的电子选择性接触层类似。
然而,氧空位和TiO2的紫外诱导降解也可能降低器件的稳定性。
界面或表面过程常用于电子器件的性能优化,例如,有机太阳能电池[31,32],固态染料敏化太阳能电池[32],等等。
一些最近的报道也表明了钙钛矿类太阳能电池中界面的重要性[26,30,34,35]。
TiO2或ZnO之类的电子选择性接触致密层,被认为是高效率的钙钛矿类太阳能电池中必要的层结构。
在过去的工作中,电子选择性接触的效率通过Cs2CO3溶液修饰的ITO表面实现。
改性的ITO可调谐表面功函数,并在活性层和ITO之间建立更好的欧姆接触[36,37],形成有效率的器件性能。
基于铯盐的处理是ITO表面改性的候选者。
先前的研究已经表面,Cs-O键可以在ITO表面上产生,这被认为是ITO调谐功函数的原因[37,38]。
在这项工作中,用开尔文探针力显微镜(KPFM)观测Cs2CO3处理之前和之后的ITO表面电位的变化(见图3)。
结果表明,ITO的表面功函数为0.4eV,这更接近Cs2CO3处理后的真空能级(如图3c,d所示)。
根据文献报道,图1c中展示了ITO,CH3NH3PbI3,和Spiro-OMeTAD的能级[11,36]。
这能提高从钙钛矿层到TCO基片的电子收集效率。
与常见的金属氧化物的电子选择性接触致密层不同,Cs2CO3的处理没有形成连续的基于CS的致密层;然而,改性的ITO表面可以实现电子选择的功能。
换句话说,ITO就是锡掺杂的氧化铟,这也是一个TiO2或ZnO之类的金属氧化物致密层薄膜。
在In2O3中掺杂锡提供了一个金属性质的膜。
Cs2CO3处理的ITO的表面可以调节表面掺杂条件,从而在ITO基板的表面形成电子选择性和空穴阻挡功能。
因此,Cs2CO3处理的ITO的可被理解为,在散装ITO薄膜的表面上形成了n型掺杂的ITO致密层,导致钙钛矿材料和ITO导电衬底之间的欧姆接触得到提高。
总结与展望
总之,改性后的ITO表面实现钙钛矿太阳能电池电子选择性接触的效率。
这能避免n型金属氧化物电子选择性致密层的沉积。
整个器件可以在相对低温且基于溶液的温和条件下进行加工。
基于改性后的ITO避免的器件可以实现超过15%的光电转换效率,并且可以在特定的条件下提高器件的稳定性。
这些结果意味着,界面工程为钙钛矿太阳能电池提供了一种富有前景的方法,以简化其装置结构,降低其制造成本。
研究方法
材料:
所有液体试剂均自Acros公司购买并直接使用。
Cs2CO3和PbI2从Sigma-Aldrich公司购买。
Spiro-OMeTAD从SunaTech公司购买。
CH3NH3I根据文献介绍的方法由CH3NH2和HI合成[11,12]。
ZnO纳米颗粒根据文献介绍的方法制备[15]。
装置制造:
将特制的ITO基材(1.5cm×1.5cm,15Ω/□)用洗涤剂稀释在去离子水中形成的溶液清洗,再分别用去离子水、丙酮、2-丙醇清洗。
对于基于Cs2CO3的器件,将0.5%的Cs2CO3溶液溶解在2-乙氧基乙醇中,然后在清洁的衬底上在3000rpm下旋涂30s,在150℃下干燥1min。
此过程可以根据实验的要求重复操作多次。
以上全部过程都在周围条件(温度约20℃,湿度约20%)下完成。
将460mg·mL-3的PbI2溶液溶于N,N-二甲基甲酰胺中,然后于充N2的手套箱中,在Cs2CO3修饰的衬底上旋涂(2500rpm,15s)。
在100℃下干燥10min之后,将器件浸入Cs2CO3溶液(溶于2-丙醇的10mg·mL-3的溶液)中处理30s,然后在充氮的手套箱中130℃下加热30min。
接着,Spiro-OMeTAD基的空穴传输层(80mg的Spiro-OMeTAD,17.4μL的锂双(三氟甲烷磺酰)-亚胺(Li-TFSI)溶液(520mg的Li-TFSI溶于1mL的乙腈中)。
且28.5μL的4-叔丁基吡啶全部溶解在1mL的氯苯中)在充氮的手套箱中,通过旋涂的方法在2000rpm下进行30s被沉积得到。
最后,器件利用热蒸发法沉积金电极完成。
对于在ITO使用ZnO或TiO2致密层的器件,其制作工艺根据报道的方法进行[10,15]。
器件特性:
伏安特性曲线由Keithley2400源测量单元测量。
电池(有效面积:
8.5mm2)通过150W的AAA级装有AM1.5G的滤波器太阳模拟器(XES-40S1,SAN-EI),在100mW·cm-2的标准强度下照射。
光强度是由一个NewportTAC-PV实验室制造的标准单晶硅光电二极管校准确定。
IPCE光谱使用锁相放大器加上单色器(Crowntech,QTESTStation2000)在空气中测定[15]。
光强度通过使用标准单晶Si光伏电池来校准。
所有的测量均在室温下的空气中的未封装的器件上进行(温度约20℃,湿度约20%)。
其他特性:
SEM图像是由一个FEINova_NanoSEM430的场发射扫描电镜收集。
AFM图像采用Agilent5500SPM系统(安捷伦科技,USA)收集。
KPFM也通过Agilent5500SPM系统测量。
利益冲突:
作者宣称没有经济利益竞争。
致谢:
该工作得到中国国家自然科学基金(61377025,11121091)和中国973计划(2015CB932200)的支持。
作者感谢王新强教授和王广兵先生的太阳模拟器的校准和萧立新教授的IPCE测量。
感谢阳阳教授在加州大学洛杉矶分校提供的有关太阳能研究的指导。
可用的支持信息:
其它的SEM图像,设备性能静力学,基于Cs2CO3的器件制造过程中的图片,和在不同的扫描条件下的光伏性能表征。
通过互联网http:
//pubs.acs.org免费提供的材料。
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