EDP实操综合考试填空选择判断.docx
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EDP实操综合考试填空选择判断
EDP实操综合考试填空、选择、判断
知识点一基本器件常识:
1.电阻,电感,电容
(值的表示,基本单位:
欧姆、皮法)
电感阻碍电流,
电容阻碍电压;
电解电容有极性,低频特性好,用于电源滤波。
其他电容没有极性,瓷片电容高频特性好,
集成芯片滤波电容5V用103/104,12V用104/105。
多用涤纶电容。
电解电容包括钽电解电容,铝电解电容,铌电解电容等;
钽电容内部没有电解液,很适合在高温下工作。
滤波效果比铝电解电容要好,但也有缺点,就是耐电压不高。
1.(√)电容器的品质因素Q值一般要高于电感器的品质因素。
2.(×)电感器对交流信号是开路的,电容器对交流信号是短路的。
3.(╳)在电子电路中,电感器对交流信号是开路的,对直流信号是短路的。
4.(×)在电子电路中,对交流信号而言,电感器是开路元件,电容器是短路元件。
5.(√)纯电阻电路无相移,也无时延,其通带宽度为无穷大。
2.品质因数:
X/R;意义:
储能性能与耗能性能之比;
电容器的品质因数主要处决与介质的绝缘电阻和介质损耗,作为电容器介质的材料目前的绝缘电阻基本可以忽略不计,介质损耗都已经可以做到很小,一般tgδ%<0.2,所以其等效串联电阻很小。
而电感的是需要用导线绕制的,鉴于成本和体积,导线不可能用的很粗,其电阻不能忽略,如果电感中存在铁芯或磁芯,还得加上铁磁材料的损耗,因此其等效串联电阻的阻值与其电抗量相比还是可观的,所以电感的Q值一般会低于电容。
电阻器色标符号意义
颜色
有效数字第一位
有效数字第二位
倍乘数
允许误差%
棕
1
1
101
±1
红
2
2
102
±2
橙
3
3
103
—
黄
4
4
104
—
绿
5
5
105
±0.5
蓝
6
6
106
±0.2
紫
7
7
107
±0.1
灰
8
8
108
—
白
9
9
109
—
黑
0
0
100
—
金
—
—
10-1
±5
银
—
—
10-2
±10
无色
—
—
—
±20
例如:
红红棕金表示220Ω±5%
黄紫橙银表示47kΩ±10%
棕紫绿金棕表示17.5Ω±1%
常用电容值
【单位pF】
39P43P47P51P56P62P68P75P82P91P
100P120P150P
180P200P220P240P270P300P330P360P390P
470P560P620P
680P750P
【单位nF】
1.01.21.51.82.22.73.33.94.75.6101518222733
39566882
【单位uF】
0.10.150.220.330.471.0(1.5)2.2
常用电阻值(0—9中两个数字构成)
1101001.0K10K100K1.0M
1.1111101.1K11K110K1.1M
1.2121201.2K12K120K1.2M
1.3131301.3K13K130K1.3M
1.5151501.5K15K150K1.5M
1.6161601.6K16K160K1.6M
1.8181801.8K18K180K1.8M
2202002.0K20K200K2.0M
2.2222202.2K22K220K2.2M
2.4242402.4K24K240K2.4M
2.7272702.7K27K270K2.7M
3303003.0K30K300K3.0M
3.3333303.3K33K330K3.3M
3.6363603.6K36K360K3.6M
3.9393903.9K39K390K3.9M
4.3434304.3K43K430K4.3M
4.7474704.7K47K470K4.7M
5.1515105.1K51K510K5.1M
5.6565605.6K56K560K5.6M
6.2626206.2K62K620K6.2M
6.8686806.8K68K680K6.8M
7.5757507.5K75K750K7.5M
8.2828208.2K82K820K8.2M
9.1919109.1K91K910K9.1M
10M11M12M13M15M18M20M
()在色环(带)标识的电阻体中,黑色代表数字:
A、0B、1
C、2D、4
()标识为2K7的电阻器及103的电容器,其标称值分别为:
A、2.7KΩ的电阻器,10000PF的电容器
B、2.7Ω的电阻器,10000PF的电容器
C、2.7Ω的电阻器,1000PF的电容器
D、220Ω的电阻器,10000PF的电容器
(×)可以直接购买到100PF电容器,1110Ω电阻器。
(√)标称为223的贴片电阻,其电阻值为22kΩ
(╳)钽电解电容器的性能要优于普通电解电容器,但其价格更高,体积更大。
具有正负极性的电容器有铝电解、钽电解等几大类。
(C)标注为223的片状电阻(贴片电阻)器,其阻值为:
A、22ΩB、223Ω
C、22KΩD、220Ω
(C)标注为4n7的电容器,其电容值为:
A、47pFB、470pF
C、4700pFD、4.7pF
(B)标识为4R3、1K5的电阻器,其阻值分别为:
A、43Ω、1.5KΩB、4.3Ω、1.5KΩ
C、4.3Ω、1.5ΩD、43Ω、15KΩ
(A)标识为272、6P8的电容器,其电容值为:
A、2700PF、6.8PFB、272PF、6.8PF
C、2700PF、68PFD、272PF、68PF
(C)无损电感上电压与电流的相位关系是:
A、二者同相B、二者反相
C、电压超前电流90°D、电压落后电流90°
(C)已知电路如图三,输入电流为锯齿波,则电感L的电压波形为:
A、为锯齿波B、为方波C、为矩形波D、为正弦波
1.(√)电容器的品质因素Q值一般要高于电感器的品质因素。
2.(×)电感器对交流信号是开路的,电容器对交流信号是短路的。
5.(√)纯电阻电路无相移,也无时延,其通带宽度为无穷大。
磁环/磁珠:
磁珠专用于抑制信号线、电源线上的高频噪声和尖峰干扰,电感是储能元件,而磁珠是能量转换(消耗)器件。
电感多用于电源滤波回路,侧重于抑止传导性干扰;磁珠多用于信号回路,主要用于EMI方面;
抑制高频干扰。
抑制高频干扰用镍锌铁氧体工作频率1M-300MHz;阻值较大;抑制低频干扰用锰锌铁氧体工作频率1K-10MHz;阻值小于150K;
()锰锌铁氧体(MXO系列)适用的工作频率范围为:
A、几KHZ~几十KHZB、几KHZ~几百KHZ
C、几百KHZ~几MHZD、几百KHZ~几百MHZ
2.二极管
发光二极管电流:
小功率20mA;大功率几百毫安;单片机标准I/O口的拉电流不大于1mA,灌电流最大约为10mA左右;
稳压二极管工作于反压;动态电阻(交流等效电阻)越小稳压能力越好;
变容二极管工作于反压;二极管反向偏压越高,结电容则越少,反向偏压与结电容之间的关系是非线性的.(自动频率控制)
光电二极管是在反向电压作用之下工作的。
在光照下,其电压与光照强度成比例,一般可达0.2—0.4V。
(传感器)
红外发光二极管其外形和发光二极管LED相似,发出红外光。
管压降约1.4v,工作电流一般小于20mA。
(遥控器)
7段码显示;
小信号模型:
热可以激发更多的载流子;
(D)发光二极管的正常工作电流大约为:
A、0.1~1mAB、1~几mA
C、几~几百mAD、几~几十mA
(B)已知常温下晶体二极管的工作点电流为2mA,则其交流等效电阻rd为多少,且与温度之关系:
A、13Ω、随温度加大而加大
B、13Ω、随温度加大而减小
C、26Ω、随温度加大而加大
D、26Ω、随温度加大而减小
(B)稳压二极管、变容二极管正常工作时,应:
A、二者均加正向电压B、二者均加反向电压
C、前者加正向电压,后者加反向电压
D、前者加反向电压,后者加正向电压
(A)7段LED共阴极数码管,显示数字0的16进制代码为:
A、3FB、4FC、7FD、06
(×)半导体二极管正向导通电阻的大小与工作点处的电流大小无关。
(√)三只普通硅二极管串联,可作2.1伏稳压管使用。
(√)两只硅晶体二极管串接后,可作1.4伏的低压稳压管使用。
√)普通晶体二极管的正向伏安特性可作低压稳压管使用。
(√)在很高频率的条件下工作,晶体二极管将失去单向导电性能。
(×)光电二极管的正向电压与普通二极管一样,也为0.2~0.3V或0.6~0.7V。
(√)稳压二极管的动态电阻(交流等效电阻)通常是很小的。
(√)变容管的结电容随外加反向电压变化而变化。
3.电源电路
开关型稳压电源:
效率高、稳压范围宽,主要缺点是纹波大、高频干扰重。
常用三端稳压器:
7805输入电压大于7V-20V,7812大于14.5V-27V,输出电流1A;
电源滤波电容要用1000uF的电解电容;耐压为输入交流有效值的1.4倍。
名称
VL(空载)
VL(带载)
二极管反向最大电压
每管平均电流
半波整流
IL
全波整流电容滤波
1.2V2*
0.5IL
桥式整流电容滤波
1.2V2*
0.5IL
桥式整流电感滤波
0.9V2
0.5IL
满足上述条件时。
电容滤波近似公式:
VL=1.2V2
(×)桥式整流,负载为电容滤波的电路中,若电容器上的电压为17伏,则整流器输入的交流信号有效值一般要大于17伏。
开关型稳压电源的主要优点是效率高、稳压范围宽、主要缺点是纹波大、高频干扰重。
7812滤波电容容量大致为几千uF,其耐压至少为25伏。
2、用7812等元器件制成串联调整稳压电源,其7812输入端的滤波电容容量大致为几千uF,其耐压至少为25伏。
(C)78××、79××系列三端稳压电路的工作电流为:
A、0.1AB、0.5AC、1AD、1.5A
5.(×)串联调整型稳压电源的输出电压为12V,则电源变压器次级(初级为220V)的有效值一般要大于18伏。
6.(╳)交流市电供电的直流稳电路中,整流后的滤波电容一般为几十μF。
7.(×)交流220V市电电网应是电压源,它的内阻愈大愈好。
8.(×)交流市电供电的直流稳压电源电路中,整流后的滤波电容器的容量一般为几微法拉。
4、(B)已知桥式整流滤波电路如示,输入交流电压为10V,则二极管的耐压为:
A、大于10V
B、大于14V
C、大于20V
D、大于28V
4常用仪表
示波器:
1.(×)当示波器探头拨至×10位置时,此时输入信号被放大了10倍。
2.(√)带探头的示波器的输入电阻要比不带探头的输入电阻大很多。
3.(×)要使示波器显示屏上的信号波形个数由少增多,则X轴上扫描信号的频率应由低变高。
4.(√)示波器校准信号电压的幅度为0.5VPP,频率为1KHZ的方波。
5.(×)示波器中的标准信号电压的幅度为0.5VPP,频率为1KHz的正弦波。
6.(√)示波器的输入电阻应愈大愈好,以减轻它对被测电路的影响。
7.(×)在测量大幅度信号时,常将示波器探头置于×1的位置。
8.(√)示波器的探头应和示波器配合使用,不能互换,特别是在高频使用时更应如此。
9.(√)在检测幅度较小的输入信号时,示波器输入探头的衰减开关应置于X1的位置。
10.用模拟示波器测一信号幅度,已知探头置于×10位置,垂直灵敏度旋钮置于50mv/格,屏幕上的波形峰峰间高度为4格(度),则被测信号的幅值为1V伏,有效值为0.707伏。
11.(B)下列论述哪一项是正确的:
A、模拟示波器只能观察模拟信号
B、数字示波器也能观察模拟信号
C、数字示波器只能观察数字信号
D、模拟示波器比数字示波器更便宜
()在电子系统调试中,用示波器观察单片机产生写控制信号时,应将示波器调整为:
A、交流输入,直流触发B、直流输入、交流触发
C、交流输入,交流触发D、直流输入、直流触发
12、()常用示波器的输入电阻大致为:
A、10KΩ左右B、100KΩ左右
C、1MΩ左右D、10MΩ左右
电压电流表、有效值、压电源:
1.(×)直流稳压电源的内阻愈高,它的输出电压稳定性能就愈好。
2.(×)电压源的内阻应愈大愈好,否则输出电压不会稳定。
3.(×)为使输出电压稳定,稳压电源的输出电阻应愈大愈好。
4.(X)实验室中常用的稳压电源,其内阻较大,输出电压很稳定。
5.(×)串联调整型稳压电源的输出电压为12V,则电源变压器次级(初级为220V)的有效值一般要大于18伏。
6.(╳)交流市电供电的直流稳电路中,整流后的滤波电容一般为几十μF。
7.(×)交流220V市电电网应是电压源,它的内阻愈大愈好。
8.(×)交流市电供电的直流稳压电源电路中,整流后的滤波电容器的容量一般为几微法拉。
9.(√)信号源的输出阻抗一般均较低,电压表的输入阻抗均较高。
10(√)低通滤波电路对信号的相移为正值,即输出信号的相位要落后于输入信号一个相角。
11.(×)可用普通三用表检测音频信号的电压大小。
:
电压表:
1.(√)电压表的输入电阻应愈大愈好。
2.(×)测量某一电路上的电压时,希望电压表的输入阻抗尽可能小一点。
3.(√)电压表的输入电阻应愈大愈好,以尽量减小对被测电路的影响。
3.(√)在各类正弦波振荡器中,石英晶体振荡器的频率稳定性能最好
有效值:
1.(A)在实验数据处理中,从精度出发,2A、2×103mA、2000mA表述的数据:
A、三者精度均一样B、2A、2×103mA精度一样
C、2A、2000mA精度一样D、2×103mA、2000mA精度一样
2.(╳)叠加定理既适用于线性电路,也适用于非线性电路。
扫频仪频谱分析仪:
前者测电路(电网络),后者测信号;
1.(×)扫频仪是用来检测、分析信号频谱结构的一种测量仪器。
2.(√)扫频仪器是检测放大器或网络幅频特性和相频特性的仪器。
3.(×)频谱分析仪是检测放大器或网络幅频特性和相频特性的仪器。
4.测量一电路(系统)的频率特性,应选用的仪器是扫频仪,要分析一信号的频率成份,应选用的仪器是频谱分析仪。
知识点二模电知识
1.信号的放大:
基本参数:
放大倍数(电压电流功率);输入电阻(大点好,吸收电流小)输出电阻(大点好,帯载能力强;输出最大电流小了)通频带(增益是频率的函数,增益下降到中频增益的0.707倍时的上下限频率差)
晶体管电流控制,前级吸取能量多,输入电阻小;场管电压控制,吸收前级电流小,输入电阻大;场管动态范围大;放大倍数与工作点,和频率有关;
增益和带宽是矛盾量(放大器本身);交流负载线越陡,放大倍数越小;输入回路串联电阻越大,Ib越小,电压放大倍数越小;集电极限流电阻越大,放大倍数越大(不失真情况下)。
多级放大器级间耦合电容越小,输入信号低频衰减大,低频特性将变差,fL升高;
放大与失真;集电结正偏,发射结反偏时放大;集电结正偏,发射结反偏时截止;集电结反偏,发射结正偏时饱和;
饱和区特点:
iC不再随iB的增加而线性增加,
截止区特点:
iB=0,iC=ICEO
当工作点进入饱和区或截止区时,将产生非线性失真
饱和失真:
由于放大电路的工作点达到了三极管的饱和区而引起的非线性失真。
对于NPN管,输出电压表现为底部失真。
截止失真:
由于放大电路的工作点达到了三极管的截止区而引起的非线性失真。
对于NPN管,输出电压表现为顶部失真;
基本共射电路:
空载时的放大倍数比带载时高
(√)BJT管的输出伏安特性近似于恒流特性,故其输出电阻甚大。
(√)场效应管是电压控制器件,故其输入电阻要比BJT管的输入电阻大得多。
(×)只要工作点合适,被晶体管放大器放大的信号就不会失真。
(√)在晶体管放大器中,放大管的β值既与工作点高低有关,也与工作频率高低有关。
(√)NPN晶体管放大器中,不同工作点处管子的β值是不一样的。
(√)对输入信号而言,场效应管放大器的动态范围要比BJT管放大器的动态范围大许多。
(√)BJT管的动态范围要比FET管的动态范围小得多。
(×)BJT管的β值通常为一常数,与管子的工作频率无关。
(√)温度升高后,电路中BJT管的工作点电流应增大一点。
(√)BJT管的输入特性呈指数型变化,FET管的转换特性(传输特性)呈平方律变化。
(×)BJT管的β值通常为一常数,与管子的工作区无关。
(√)FET管的输入电阻与输出电阻均是很大很大的。
(×)BJT管的输入电阻、输出电阻均是很大的。
(√)CMOS电路是互补对称式金属-氧化物-半导体电路之意,它的显著特点是静态功耗甚低。
(√)MOS场效应管属电压控制器件,故其输入电阻很高。
(╳)场效应管和双极型晶体管均属电压控制器件。
(√)晶体管BJT与场效应管均为非线性器件,前者为指数型,后者为平方律型。
(√)CMOS门电路的噪声门限通常要高于TTL门电路的噪声门限。
场效应管共漏极放大器(源极输出放大器)的特点是:
.
2.分压式偏置的单级低频放大电路分析
实验电路以图2-3为例,为一分压式偏置的单级低频放大电路。
1.电路中上偏置电阻Rb1由1R3和RP1串联组成,下偏置电阻为1R4,1R5为集电极电阻RC,1R7、1R8为发射极电流负反馈电阻,起到稳定直流工作点的作用,1C1和1C2为交流耦合电容,1C3为发射极旁路电容。
输入的交流信号Ui经1C1送到三极管基极,经放大后从集电极输出,经1C2耦合到负载电阻1R9(RL)上。
放大器的静态工作点Q主要由上偏置电阻、下偏置电阻、RE、RC及电源电压+VCC所决定,该电路利用上偏置电阻、下偏置电阻的分压固定基极电位VBQ。
如果满足I1>>IBQ,当温度升高时,ICQ
—VEQ
—VBQ
—IBQ
—ICQ
,结果抑制了ICQ的变化,从而获得稳定的静态工作点。
2、基本关系式
只有当I1>>IBQ时才能保证VBQ恒定。
这是工作点稳定的必要条件,一般取
I1=(5~10)IBQ(硅管)I1=(10~20)IBQ(锗管)
负反馈愈强,电路的稳定性愈好,所以要求VBQ>>VBE,即VBQ=(5~10)VBE,一般取VBQ=(3~5)V(硅管)VBQ=(1~3)V(锗管)
电路的静态工作点由下列关系式确定:
对于小信号放大器,一般取
=0.5mA~2mA
=(0.2~0.5)VCC
3.组态:
双极性:
共发射极()、共集电极、共基极
(1)共射放大电路:
共射组态放大电路,以发射极为输入和输出回路的公共端,外来信号从基极输入、放大后的信号从集电极输出。
(2)共集放大电路:
共集组态放大电路,以集电极为输入和输出回路的公共端,外来信号从基极输入、放大后的信号从发射极输出。
(3)共基放大电路:
共基组态放大电路,以基极为输入和输出回路的公共端,外来信号从发射极输入、放大后的信号从集电极输出。
13.()在共e(共发射极)、共c(共等电极)晶体管放大电路中,输出信号与输入信号的相位关系是:
A.二者输入、输出均同相
B.二者输入、输出均反相
C.共e放大器输出与输入同相,共c放大器输出与输入反向
D.共e放大器输出与输入反相,共c放大器输出与输入同相
1.晶体管共集电极放大器(射极输出器)的特点是__________________________
场效应管共漏极放大器(源极输出放大器)的特点是.
1、在共e、共b、共c三类放大器中,输出阻抗最低的是共c
放大器,输入阻抗最低者是共b放大器。
场效应管
1.输出信号与输入信号反相的是共e放大器,同相的是共b、共c放大器。
2.在共e、共b、共c三类放大器中,输出信号与输入信号反相的是共e放大器,同相的是共b、共c放大器。
3.(D)在共e、共b、共c三种放大电路中,输入阻抗最高的放大器是:
A、共e放大器B、共b放大器
C、共e、共b放大器D、共c放大器
(D)共e、共b、共c三类放大器中,输出电压与输入电压反相180°的是:
A、共C放大器
B、共c、共b放大器
C、共b放大器
D、共e放大器
5(D)已知放大电路如图示,若电阻RC值减小,则
A、增益下降、通频带变宽
B、增益下降、通频带变窄
C、增益增大、通频带变宽
D、增益增大,通频带变窄
6(D)已知放大电路如图示:
输出V01、V02与输入Vi信号间的相位关系为:
A、V01、V02均与Vi同相
B、V01、V02均与Vi反相
C、V01与Vi同相,V02与Vi反相
D、V01与Vi反相,V02与Vi同相
(B)晶体管共发射极的截止频率fβ的定义是:
A、β=β0时的工作频率B、β=0.707β0时的工作频率
C、β=2β0时的工作频率D、β=1时的工作频率
()放大电路如下图(EDP0702205),当工作点正确时,其输入正弦信号幅值约为多大时,输出信号不失真。
A、0.6~0.7VB、0.2~0.3V
C、几伏D、几毫伏~十几毫伏
4、(A)晶体管共集电极放大器与场效应管共漏极放大器的输出电压与输入电压间的相位关系为:
A、均为同相
B、均为反相
C、前者为同相,后者为反相
D、前者为反相,后者为同相
3、(D)已知音频共发射极放大电路和如图一所示,放大器输出信号波形不失真的条件是输入νi的幅值为:
A、0.2~0.3VB、0.6~0.7V
C、50~100mVD、几mV~十
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