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你真的了解中芯国际
你真的了解中芯国际?
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晶圆代工厂是半导体产业链的重要组成局部,这也是我国台湾和欧美企业所擅长的领域,但在中芯国际等企业的努力下,中国大陆的代工产业也有了很长足的进步。
在此我们通过天风电子的这份报告,给大家展现一个完整的中芯国际。
世界领先的集成电路晶圆代工企业中芯国际是世界领先的集成电路晶圆代工企业之一,也是中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业。
中芯国际向全球客户提供0.35微米到28纳米晶圆代工与技术效劳,包括逻辑芯片,混合信号/射频收发芯片,耐高压芯片,系统芯片,闪存芯片,EEPROM芯片,图像传感器芯片及LCoS微型显示器芯片,电源管理,微型机电系统等。
2004年公司在港交所和纳斯达克完成上市。
另外,公司拥有多样化的实验室和工具,可用于化学和原材料分析、产品失效分析、良率改良、可靠性检验与监控,以及设备校准等。
在整个制作过程及从研发到量产的全程效劳中,中芯整合了全面的品质与控制系统。
中芯国际的开展历程公司是一家全球性半导体厂商,目前拥有多家全球化的制造和效劳基地。
公司成立于2000年,总部位于上海,晶圆厂主要设在大陆。
此外,中芯国际在美国、欧洲、日本和台湾地区设立营销办事处、提供客户效劳,同时在香港设立了代表处。
中芯国际在全球的制造和效劳基地公司主营业务多元化、客户优质、应用广泛。
从制程节点看,40nm以上成熟工艺占绝大多数;从客户构成来看,一半以上客户来自中国大陆地区,公司前10大客户,5家来自中国,3家来自美国,2家来自欧洲;从应用产品来分,通讯类产品占半壁江山,第二位是消费类产品。
公司现在拥有高产能利用率+持续扩产,其产能利用率维持高位。
自2021-2021年期间,公司产能利用率一直维持较高水平。
2021-2021年期间,公司产能利用率远高于行业产能利用率,其中2021年期间公司满产运行,较14Q1年上升16%。
而扩产还在继续。
2021年10月,中芯国际连续宣布新厂投资方案,在上海和深圳分别新建一条12英寸生产线,天津的8英寸生产线产能预计将从4.5万片/月扩大至15万片/月,成为全球单体最大的8英寸生产线,未来中芯国际将联合创新,带动中国半导体产业链的开展稳步前进。
产品结构上移叠加产能利用率持续高位有望进一步提升公司的盈利水平。
对中芯国际来说,正处于最好的时代,营收净利润持续放大,毛利净利改善。
公司2021年销售额增至29.2亿美元,比2021年大增31%,市占率提升1个百分点至6%。
2021年以来,中芯国际营收从12.2亿美元大幅增长至2021年的29.21亿美元,以19%的年复合增长率快速增长,表现出强大的增长趋势。
我们判断中芯国际现在处于一个最好的时间点,营收规模逐渐扩大,在毛利率也持续上升的水准下,给投资者带来持续的正回报。
中芯国际2002到2021业绩盈利能力逐步增强。
公司盈利拐点出现后的2021-2021期间的毛利率保持上行态势,证明公司的盈利能力正在逐步增强。
同时,公司的净利润每年持续上升,给股东的“赚钱〞能力正在变强。
中芯国际2021到2021的毛利率和净利率专注成熟工艺开发,剑指世界第二目前的中芯国际设计产能大陆第一,以45nm以上成熟工艺为主。
中芯国际现有3座12寸晶圆厂,4座8寸晶圆厂,合计约当于8寸设计产能为486K/月,其中45nm以上的成熟工艺产能为362K/月,占总产能比重为75%。
中芯在上海建有一座300mm晶圆厂和一座200mm晶圆厂;在北京建有一座300mm晶圆厂和一座控股的300mm先进制程晶圆厂;在天津和深圳各建有一座200mm晶圆厂;在江阴有一座控股的300mm凸块加工合资厂;在意大利有一座控股的200mm晶圆厂。
中芯国际各厂产能分布比照台积电,中芯国际更专注于成熟工艺的开发。
台积电的成熟工艺占总产能的比重为55%,而中芯国际那么高达86%。
比照2021年中芯国际和台积电的产能,台积电的总产能是中芯国际总产能的5倍,而成熟工艺方面,台积电产能是中芯国际的3.5倍。
中芯国际和台积电差能比照从技术路径上来看,未来半导体产品的开展会将分化为MoreMoore和MorethanMoore两条路线。
MoreMoore是纵向开展的路径,要求芯片不断的遵从摩尔定律,不断往比例缩小制程的路径上走。
需要满足摩尔定律的芯片,主要以数字芯片为主,包括AP\CPU\存储芯片等。
在制程上,需要最先进的节点来满足性能要求。
目前最先进的逻辑芯片代工制程是16/14nm,供给商为台积电,客户有高通,苹果,英伟达等客户。
产品占到了50%左右的市场。
MorethanMoore是横向开展的路线,芯片开展从一味追求功耗下降及性能提升方面,转向更加务实的满足市场的需求。
这方面的产品包括了模拟/RF器件,无源器件、电源管理器件等,大约占到了剩下的那50%市场。
这其中的代工供给商有中芯国际,台联电,台积电等。
摩尔定律路径然而,时至今日,摩尔定律正在逐渐失效。
半导体的技术开展也似乎走到了一个十字路口。
行业的开展不会再像之前那样似乎还能按照摩尔定律的节奏继续往下走。
按照2021年最新的国际半导体技术路线图给出的预测,半导体技术在10nm之后将会逐步停滞。
摩尔定律走向极限同时,摩尔定律的经济效应也不再明显,原因是因为:
追求摩尔定律要求复杂的制造工艺,该工艺高昂的本钱超过了由此带来的本钱节约。
新工艺越来越难,投资额越来越大,下列图可见,目前建一个最新制程的半导体工厂本钱达120亿美元之多,而赚回投资额的时间将会很漫长。
最新制造的Fab本钱具体到每个晶体管的制造本钱,起初随着摩尔定律的开展,制程的进步会带来本钱的下降,从130nm-28nm,每个晶体管的制造本钱相对上一代都有下降。
但是,下降的幅度在收窄。
到了20nm以后,本钱开始逐步提高。
这也意味着,开展先进制程在本钱方面不再具有优势。
制程本钱比拟显而易见,在先进制程制造本钱不断攀升,开展先进制程也不再具有本钱优势的情况下,晶圆制造会越来越垄断地集中在几家手上。
也只有巨头才能不断地研发推动技术的向前开展。
拥有20nm代工能力的厂家,只有台积电、三星、Intel等寥寥几家。
在晶圆制造方面,集中度越来越高。
晶圆制造寡头垄断中芯国际已经构建相对完整的代工制造平台。
从工艺技术角度看,中芯国际引入了8代工艺技术,分别是28nm、40nm、65/55nm先进逻辑技术;90nm、0.13/0.11μm、0.18μm、0.25μm、0.35μm成熟逻辑技术以及非挥发性存储器、模拟/电源管理、LCD驱动IC、CMOS微电子机械系统等产品线。
特别是在28nm工艺上,中芯国际现在仍是中国大陆唯一能够为客户提供28nm制程效劳的纯晶圆代工厂。
此外,对于更先进的14nm工艺制程,中芯国际也一直在持续开发。
2021到2021各工艺制程收入占比成熟工艺,中芯国际的护城河成熟制程制程是指90nm,0.13/0.11μm,0.18μm,0.25μm,0.35μm以及公司独有的SPOCULL。
2021Q1-2021Q2年期间,成熟逻辑技术业务收入占比55%以上,是公司主要业务来源,为公司业绩提供了平安边际。
成熟逻辑制程收入占比现在的成熟逻辑技术包括了90nm,0.13/0.11μm,0.18μm,0.25μm,0.35μm,我们来看一下中芯在上面的布局。
1〕90nm中芯国际的300毫米晶圆厂已有多个90纳米工艺的产品进入大规模的生产,中芯国际拥有丰富的制程开发经验,可向全球客户提供先进的90纳米技术。
中芯90纳米制程采用Low-k材质的铜互连技术,生产高性能的元器件。
利用先进的12英寸生产线进行90纳米工艺的生产能确保本钱的优化,为客户未来技术的提升提供附加的资源。
同时,中芯90纳米技术可以满足多种应用产品如无线,数字电视,机顶盒,移动电视,个人多媒体产品,无线网络接入及个人计算机应用芯片等对低能耗,卓越性能及高集成度的要求,此外,中芯国际的90纳米技术可以为客户量身定做,到达各种设计要求,包括高速,低耗,混合信号,射频以及嵌入式和系统集成等方案。
在90纳米技术上,中芯国际向客户提供生产优化的方案,以期竭尽所能地为客户产品的性能的提升,良率的改善和可靠性的保证提供帮助。
对于90纳米相关的单元库,IP及输入/输出接口等可通过中芯国际的合作伙伴获得。
2〕0.13/0.11μm中芯国际的0.13微米制程采用全铜制程技术,从而在到达高性能设备的同时,实现本钱的优化。
中芯国际的0.13微米技术工艺使用8层金属层宽度仅为80纳米的门电路,能够制作核心电压为1.2V以及输入/输出电压为2.5V或3.3V的组件。
中芯国际的高速、低电压和低漏电制程产品已在广泛生产中。
中芯国际通过标准单元库供给伙伴,提供0.13微米的单元库,内存编译器,输入输出接口和模拟IP。
0.13/0.11μm性能优异。
和0.15微米器件的制程技术相比,中芯国际的0.13微米工艺能使芯片面积缩小25%以上,性能提高约30%。
与0.18微米制程技术比拟,芯片面积更可缩小超过50%,而其性能也提高超过50%。
3〕0.18μm中芯的0.18微米为消费性、通讯和计算机等多种产品应用提供了在速度、功耗、密度及本钱方面的最正确选择。
此外,它也在嵌入式内存、混合信号及CMOS射频电路等应用方面为客户提供灵活性的解决方案及模拟。
此工艺采用1P6M〔铝〕制程,特点是每平方毫米的多晶硅门电路集成度高达100,000门以及有1.8V、3.3V和5V三种不同电压,供客户选择。
中芯国际在0.18微米技术节点上可提供低本钱、经验证的智能卡、消费电子产品以及其它广泛的应用类产品。
公司的0.18微米工艺技术包括逻辑、混合信号/射频、高压、BCD、电可擦除只读存储器以及一次可编程技术等。
这些技术均有广泛的单元库和智能模块支持。
目前0.18um工艺产品仍然是公司业务收入的主体来源。
0.18um工艺产品收入占比4〕0.25μm中芯国际的0.25微米技术能实现芯片的高性能和低功率,适用于高端图形处理器、微处理器、通讯及计算机数据处理芯片。
中芯国际同时提供0.25微米逻辑电路和3.3V和5V应用的混合信号/CMOS射频电路。
5〕0.35μm中芯提供本钱优化及通过验证的0.35微米工艺解决方案,可应用于智能卡、消费性产品以及其它多个领域。
中芯国际的0.35微米制程技术包括逻辑电路,混合信号/CMOS射频电路、高压电路、BCD、EEPROM和OTP芯片。
这些技术均有广泛的单元库和智能模块支持。
3.2.2.SPOCULLSPOCULLTM是中芯国际的一种特殊工艺技术。
SPOCULLTM中包括两个工艺平台:
95HV和95ULP。
95HV主要是支持显示驱动芯片相关的应用,而95ULP主要支持物联网相关方面的应用。
TheSPOCULLTM技术提供了在8寸半导体代工技术中最高的器件库密度和最小的SRAM。
同时SPOCULLTM技术还具有极低的漏电流,低功耗和低寄生电容的优秀的半导体晶体管特性。
SPOCULLTM工艺平台和技术另外,中芯国际还有65/55nm工艺,这种融合高性能低功耗、仍是主力工艺平台。
中芯国际65纳米/55纳米逻辑技术具有高性能,节能的优势,并实现先进技术本钱的优化及设计成功的可能性。
65/55nm仍然是主力工艺平台、2021-2021年收入占比均维持在24%。
65/55nm技术工艺元件选择包含低漏电和超低功耗技术平台。
此两种技术平台都提供三种阈值电压的元件以及输入/输出电压为1.8V,2.5V和3.3V的元件,而形成一个弹性的制程设计平台。
此技术的设计规那么、规格及SPICE模型已完备。
55纳米低漏电/超低功耗技术和65纳米低漏电技术重要的单元库已完备。
中芯国际65nm/55nm技术平台进展和规划中芯国际65纳米/55纳米射频/物联网的知识产权组合能够支持无线局域网、全球定位系统、蓝牙、近距离无线通讯和ZigBee有关的产品应用。
特别是已有的嵌入式闪存和射频技术,使中芯国际55纳米无线解决方案能很好的符合与物联网有关的无线连接需求。
65nm/55nm无线连接知识产权组合28nm需求强劲,中芯增长的重要动力我们也知道,推动集成电路前进的主要动力之一是光刻工艺尺寸的缩小。
目前28nm采用的是193nm的浸液式方法,当尺寸缩小到22/20nm时,传统的光刻技术已无能为力,必须采用辅助的两次图形曝光技术,然而这样会增加掩模工艺次数,从而导致本钱增加和工艺循环周期的扩大,这就造成了20/22nm无论从设计还是生产本钱上一直无法实现很好的控制,其本钱约为28nm工艺本钱的1.5-2倍左右。
因此,综合技术和本钱等各方面因素,28nm将成为未来很长一段时间类的关键工艺节点。
28nm制程工艺主要分为多晶硅栅+氮氧化硅绝缘层栅极结构工艺〔Poly/SiON〕和金属栅极+高介电常数绝缘层〔High-k〕栅结构工艺〔HKMG工艺〕。
Poly/SiON工艺的特点是本钱地,工艺简单,适合对性能要求不高的和移动设备。
HKMG的优点是大幅减小漏电流,降低晶体管的关键尺寸从而提升性能,但是工艺相对复杂,本钱与Poly/SiON工艺相比拟高。
截止2021年底,台积电是目前全球28nm市场的最大企业,产能到达155000片/月,占整个28nm代工市场产能的62%;三星,GlobalFoundry,联电的产能分别到达了30000片/月,40000片/月和20000片/月。
从供给端来看,全球28nm的产能供给为25万片/月。
28nm产能占比从需求端来看,随着28nm工艺的成熟,市场需求呈现快速增长的态势。
从2021年的91.3万片/年到2021年的294.5万片/年,年CAGR达79.6%,并且将延续到2021年。
根据赛迪参谋统计,2021-2021年28nm市场需求如下。
28nm产能需求〔万片/年〕28nm的市场需求仍然保持强劲,2021年的市场需求为38.6万片/月,而以台积电,联电等为首的供给端为25万片/月,有接近13.6万片/月的供给-需求错配,对于中芯国际等国内制造商来说,潜在的市场空间很大。
从应用端来看,28nm工艺目前主要应用领域仍然为应用处理器和基带。
2021年之后,28nm工艺虽然在领域的应用有所下降,但在其他多个领域的应用那么迅速增加,目前能看到的应用领域有OTT盒子和智能电视领域。
在2021-2021年,混合信号产品和图像传感器芯片也将规模使用28nm工艺。
目前28nm应用主要以处理器和基带为主在28nm上,明年来看,市场需求和供给之间有13.6万片/月左右的错配,因此,这个gap中芯国际就有可能来填上。
主要逻辑是台积电、三星和GF都在比拼先进制程,并没有在28nm上扩产的方案。
,市场需求转好的时候,二线晶圆代工厂的产能利用率将随着台积电的产能满载而持续走高,因此很多IC设计厂商开始接触中芯国际寻求调配产能分散风险。
在28nm上,中芯国际主要竞争对手为联电。
一座晶圆厂的投资,必须到达4万片的产能,产能利用率75%,才能盈亏平衡。
中芯国际是中国大陆第一家提供28纳米先进工艺制程的纯晶圆代工企业。
中芯国际的28纳米技术是业界主流技术,包含传统的多晶硅〔PolySiON〕和后闸极的高介电常数金属闸极〔HKMG〕制程。
中芯国际28纳米技术于2021年第四季度推出,现已成功进入多工程晶圆〔MPW〕阶段,可依照客户需求提供28纳米PolySiON和HKMG制程效劳。
来自中芯国际设计效劳团队以及多家第三方IP合作伙伴的100多项IP,可为全球集成电路〔IC〕设计商提供多种工程效劳,目前已有多家客户对中芯国际28纳米制程表示兴趣。
28纳米工艺制程主要应用于智能、平板电脑、电视、机顶盒和互联网等移动计算及消费电子产品领域。
中芯国际28纳米技术可为客户提供高性能应用处理器、移动基带及无线互联芯片制造。
我们在这里要讨论28nm给中芯国际带来的业绩增长弹性。
我们认为,28nm在市场需求和供给错配的情况下,将是未来中芯国际业绩增长弹性的主要推手。
目前中芯国际在28nm上的产能为1.7万片/月,其中北京厂产能为1万片/月,上海厂产能为7000片/月。
在工艺技术方面,向客户提供包括28nm多晶硅〔PolySiON〕和28nm高介电常数金属闸极〔HKMG〕在内的多项代工效劳。
主要客户有高通等。
从营收角度来看,2021年28nm工艺营收占总体营收的比重为1%左右,体量还非常小。
我们预计未来3年28nm产能的情况将实现快速的增长,从2021年的1.7万片/月,到2021年的6万片/月,CAGR为88%。
以2021年的产能来计算,28nm全年营收为10.8亿美元,预计将占到全年营收的30%。
中芯国际28nm产能〔万片/月〕布局新技术,未来的成长来源现在的中芯国际也正在新技术上进行研发。
如启动14nm研发,预计2021年投入风险性试产,突破国际技术封锁,自力更生寻出路。
目前一代的FinFET工艺中,TSMC是16nm节点,三星、Intel各自开发了14nmFinFET工艺,GlobalFoundries那么使用了三星的14nm工艺授权。
由于受到出口限制,中国只能选择自己开发,15年中比利时国王访华时,华为、高通、中芯国际及比利时微电子中心宣布合作开发14nm工艺,中芯国际现在建设的12英寸晶圆厂就是为此准备的,预计最早2021年投入风险性试产。
上海的12英寸晶圆厂不止会上14nm工艺,未来还会升级10nm以及7nm工艺。
台积电、三星和中芯国际制程概况2021年四季,公司宣布在上海开工建设新的12英寸晶圆厂,投资超过675亿人民币,明年底正式建成,这座工厂将使用14nm工艺,这是中芯国际最先进、同时也是国内最先进的制造工艺。
新的12吋生产线工程预计总投资超过100亿美元,将通过合资方式建设未来每个月可容纳7万片的产能规模。
公司董事表示,在加速研发过程中,力争在2021年底实现突破。
另外,45/40nm进军PRAM存储,蚕食三星份额。
中芯国际是中国大陆第一家提供40纳米技术的晶圆厂。
40纳米标准逻辑制程提供低漏电(LL)器件平台,核心组件电压1.1V,涵盖三种不同阈值电压,以及输入/输出组件2.5V电压(超载3.3V,低载1.8V)以满足不同的设计要求。
40纳米逻辑制程结合了最先进的浸入式光刻技术,应力技术,超浅结技术以及超低介电常数介质。
此技术实现了高性能和低功耗的完美融合,适用于所有高性能和低功率的应用,如基带及应用处理器,平板电脑多媒体应用处理器,高清晰视频处理器以及其它消费和通信设备芯片。
40nm工艺组件选择携手Crossbar,进入PRAM存储领域。
公司与阻变式存储器〔RRAM〕技术领导者Crossbar,共同宣布双方就非易失性RRAM开发与制造达成战略合作协议。
作为双方合作的一局部,中芯国际与Crossbar已签订一份代工协议,基于中芯国际40纳米CMOS制造工艺,提供阻变式存储器组件。
这将帮助客户将低延时、高性能和低功耗嵌入式RRAM存储器组件整合入MCU及SoC等器件,以应对物联网、可穿戴设备、平板电脑、消费电子、工业及汽车电子市场需求。
价格竞争加剧和固定资产加速折旧,2021年营收占比预降1-2%。
我们估计在2021/18年,45/40nm将占销售额的24%/24%。
由于价格竞争剧烈和固定资产的加速折旧,我们预计2021年45/40nm工艺将同比下降1-2个百分点。
2021/18年45/40nm产能的减少将转化为28nm产能增加。
重视技术落地,应用领域不断拓宽中芯国际精通技术移植的应用、多领域解决方案陆续推出。
该公司同行专注于在先进的数字逻辑局部的竞争,而中芯国际的战略是有选择的研发突破并领导相应细分领域技术,同时坚持投资先进的数字逻辑技术。
公司将其制程工艺广泛应用于CMOS图像传感器(CIS)、多元化eNVM技术平台、IoTSolutions、混合信号/射频工艺技术、面板驱动芯片(DDIC)、CMOS微电子机械系统以及非易失性存储器等领域。
公司通过陆续推出新技术,稳固已有市场份额,同时获得新的市场份额。
技术移植的应用陆续推出新的应用产品1〕CMOS图像传感器(CIS)CMOS图像传感器产业保持高速增长。
在移动设备和汽车应用的驱动下,2021年~2021年,CMOS图像传感器〔CIS〕产业的复合年增长率为10.4%,预计市场规模将从2021年的103亿美元增长到2021年的188亿美元。
运动相机似乎已经到达市场上限,但是新的应用,如无人机、机器人、虚拟现实〔VR〕和增强现实〔AR〕等,正促使CMOS图像传感器市场焕发新的生机。
与此同时,汽车摄像头市场已经成为CMOS图像传感器的一个重要增长领域。
先进驾驶辅助系统〔ADAS〕的开展趋势进一步提高对传感器供给商的压力,以提升其传感技术能力。
图像分析是新兴需求,并且人工智能的早期应用正吸引众人的目光。
预计2021年-2021年,汽车CMOS图像传感器市场的复合年增长率将高达23%。
因此,我们认为2021年之前,全球CMOS图像传感器的市场增长不会出现放缓的趋势。
公司作为CMOS头像传感器晶圆制造企业,是产业的关键节点,未来将受益于行业增长,分享行业红利。
中芯国际的CMOS图像传感器增长状况公司拥有十年以上在CMOS图像传感器(CMOSImageSensor,CIS)的制造经验。
目前,中芯国际为客户提供1.75微米/1.4微米像素尺寸的反面照射和1.75微米像素尺寸的正面照射技术。
同时我们也可以为客户提供从晶片、彩色滤光片、微透镜到封装测试的一站式效劳。
公司已于2021年成功开发0.11微米CMOS图像传感器(CIS)工艺技术,在此工艺下生产的CIS器件,其分辨率、暗光噪声和相对照度都将得到增强。
公司在中国提供完整的CIS代工效劳,基于其丰富的领域经验,该0.11微米CIS技术能力可以为客户提供除0.15,0.18微米以外领先的解决方案及有竞争力的本钱优势。
该高度集成、高密度CIS解决方案,同时适用于铝和铜后端金属化工艺,可广泛应用于摄像、个人电脑、工业和平安市场等领域。
公司在该技术领域已经开始进入试生产阶段,未来几个月后也将在其200和300毫米芯片生产线上实现商业化生产。
2〕推出多元化eNVM技术平台公司早在2021年推出多元化嵌入式非挥发性记忆体〔eNVM〕平台。
目前公司拥有公认的制造能力,可以提供具有本钱竞争力的嵌入式非挥发性记忆体平台。
公司提供了完整的嵌入式非挥发性存储技术与广泛IP支持,可应用于智能卡、MCU和物联网应用。
这些嵌入式非挥发性存储技术提供高性能,低功耗与卓越的耐久性和资料保存性能。
这些工艺可提供客户制造出具有本钱效益,低功耗,高可靠性的产品,和更具经济效益的解决方案。
包括OTP、MTP、0.18微米和0.13微米〔μm〕eEEPROM〔嵌入式EEPROM〕技术和0.13微米低功耗〔LL〕的嵌入式闪存〔eFlash〕技术,以及正在进行的新型非挥发性存储技术,如相变化存储技术、阻变式存储技术和磁阻式存储技术。
公司eNVM平台适用于消费者、工业产品、汽车电子等广泛的产品应用,诸如MCU〔微控制器〕、触控屏;以及一系列的智能卡应用领域〔涵盖SIM卡、社会保障、交通运输和银行卡等〕。
通常这些应用对性能、可靠性、尺寸、功耗具有较高的要求。
公司现已与诸多业界知名企业在eNVM平台上合作,目前该平台处于量产阶段。
3〕IoTSolutions公司提供完整的一站式IoT技术平台打造智能、平安的物联世界通过不断优化成熟工艺平台,公司提供完整的一站式物联网〔InternetofThings,IoT〕工艺、制造和芯片设计效劳。
并携手集成电路生态链合作伙伴,为设计公司生产物联网智能硬件相关芯片产品,用于智能家居、能源、安防、工业机器人、可穿戴式设备、汽车、交通、物流、环境、智能农业、健康监护及医疗等多个领域。
作为中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业,公司能够提供专业、平安、完整的外乡化效劳,帮助设计公司缩短入市时间,降低本钱,在蓬勃开展的物联网市场中占据有利地位。
8寸和12寸技术平台均已完备–55纳米低漏电嵌入式闪存平台已进入稳定量
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