半导体物理学期末总复习.ppt

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,半导体中的电子状态半导体中杂质和缺陷能级半导体中载流子的统计分布半导体的导电性非平衡载流子pn结金属和半导体的接触半导体表面与MIS结构半导体的光学性质和光电与发光现象,半导体物理学,晶体结构,半导体的晶格结构和结合性质半导体中的电子状态和能带半导体中的电子运动和有效质量本征半导体的导电机构空穴回旋共振硅和锗的能带结构IIIV族化合物半导体的能带结构IIVI族化合物半导体的能带结构,金刚石晶体结构,金刚石结构,原子结合形式：

共价键形成的晶体结构：

构成一个正四面体，具有金刚石晶体结构,半导体有:

化合物半导体如GaAs、InP、ZnS,闪锌矿晶体结构,金刚石型闪锌矿型,原子的能级,电子壳层不同支壳层电子1s；2s，2p；3s，2p，3d；共有化运动,+14,电子的能级是量子化的,n=3四个电子,n=28个电子,n=12个电子,Si,H,Si原子的能级,原子的能级的分裂,孤立原子的能级4个原子能级的分裂,原子的能级的分裂,原子能级分裂为能带,价带：

0K条件下被电子填充的能量的能带导带：

0K条件下未被电子填充的能量的能带带隙：

导带底与价带顶之间的能量差,半导体的能带结构,导带,价带,Eg,自由电子的运动,微观粒子具有波粒二象性,半导体中电子的运动,薛定谔方程及其解的形式,布洛赫波函数,半导体的能带,本征激发,半导体中E（K）与K的关系,在导带底部，波数，附近值很小，将在附近泰勒展开,半导体中E（K）与K的关系,令代入上式得,自由电子的能量,微观粒子具有波粒二象性,半导体中电子的平均速度,在周期性势场内，电子的平均速度u可表示为波包的群速度,自由电子的速度,微观粒子具有波粒二象性,半导体中电子的加速度,半导体中电子在一强度为E的外加电场作用下，外力对电子做功为电子能量的变化,半导体中电子的加速度,令即,有效质量的意义,自由电子只受外力作用；半导体中的电子不仅受到外力的作用，同时还受半导体内部势场的作用意义：

有效质量概括了半导体内部势场的作用，使得研究半导体中电子的运动规律时更为简便（有效质量可由试验测定）,空穴,只有非满带电子才可导电导带电子和价带空穴具有导电特性；电子带负电-q（导带底），空穴带正电+q（价带顶）,K空间等能面,在k=0处为能带极值,导带底附近,价带顶附近,K空间等能面,以、为坐标轴构成空间，空间任一矢量代表波矢导带底附近,K空间等能面,对应于某一值，有许多组不同的，这些组构成一个封闭面，在着个面上能量值为一恒值，这个面称为等能量面，简称等能面。

等能面为一球面（理想）,半导体中的电子状态半导体中杂质和缺陷能级半导体中载流子的统计分布半导体的导电性非平衡载流子pn结金属和半导体的接触半导体表面与MIS结构,半导体物理学,与理想情况的偏离,晶格原子是振动的材料含杂质晶格中存在缺陷点缺陷（空位、间隙原子）线缺陷（位错）面缺陷（层错）,与理想情况的偏离的影响,极微量的杂质和缺陷，会对半导体材料的物理性质和化学性质产生决定性的影响，同时也严重影响半导体器件的质量。

1个B原子/个Si原子在室温下电导率提高倍Si单晶位错密度要求低于,与理想情况的偏离的原因,理论分析认为，杂质和缺陷的存在使得原本周期性排列的原子所产生的周期性势场受到破坏，并在禁带中引入了能级，允许电子在禁带中存在，从而使半导体的性质发生改变。

间隙式杂质、替位式杂质,杂质原子位于晶格原子间的间隙位置，该杂质称为间隙式杂质。

间隙式杂质原子一般比较小，如Si、Ge、GaAs材料中的离子锂（0.068nm）。

杂质原子取代晶格原子而位于晶格点处，该杂质称为替位式杂质。

替位式杂质原子的大小和价电子壳层结构要求与被取代的晶格原子相近。

如、族元素在Si、Ge晶体中都为替位式杂质。

间隙式杂质、替位式杂质,单位体积中的杂质原子数称为杂质浓度,施主：

掺入在半导体中的杂质原子，能够向半导体中提供导电的电子，并成为带正电的离子。

如Si中的P和As,N型半导体,半导体的掺杂,施主能级,受主：

掺入在半导体中的杂质原子，能够向半导体中提供导电的空穴，并成为带负电的离子。

如Si中的B,P型半导体,半导体的掺杂,受主能级,半导体的掺杂,、族杂质在Si、Ge晶体中分别为受主和施主杂质，它们在禁带中引入了能级；受主能级比价带顶高，施主能级比导带底低，均为浅能级，这两种杂质称为浅能级杂质。

杂质处于两种状态：

中性态和离化态。

当处于离化态时，施主杂质向导带提供电子成为正电中心；受主杂质向价带提供空穴成为负电中心。

半导体中同时存在施主和受主杂质，且。

N型半导体,N型半导体,半导体中同时存在施主和受主杂质，且。

P型半导体,P型半导体,杂质的补偿作用,半导体中同时存在施主和受主杂质时，半导体是N型还是P型由杂质的浓度差决定半导体中净杂质浓度称为有效杂质浓度（有效施主浓度；有效受主浓度）杂质的高度补偿（）,点缺陷,弗仓克耳缺陷间隙原子和空位成对出现肖特基缺陷只存在空位而无间隙原子间隙原子和空位这两种点缺陷受温度影响较大，为热缺陷，它们不断产生和复合，直至达到动态平衡，总是同时存在的。

空位表现为受主作用；间隙原子表现为施主作用,点缺陷,替位原子（化合物半导体）,位错,位错是半导体中的一种缺陷，它严重影响材料和器件的性能。

位错,施主情况受主情况,半导体中的电子状态半导体中杂质和缺陷能级半导体中载流子的统计分布半导体的导电性非平衡载流子pn结金属和半导体的接触半导体表面与MIS结构,半导体物理学,热平衡状态,在一定温度下，载流子的产生和载流子的复合建立起一动态平衡，这时的载流子称为热平衡载流子。

半导体的热平衡状态受温度影响，某一特定温度对应某一特定的热平衡状态。

半导体的导电性受温度影响剧烈。

态密度的概念,能带中能量附近每单位能量间隔内的量子态数。

能带中能量为无限小的能量间隔内有个量子态，则状态密度为,态密度的计算,状态密度的计算单位空间的量子态数能量在空间中所对应的体积前两者相乘得状态数根据定义公式求得态密度,空间中的量子态,在空间中，电子的允许能量状态密度为，考虑电子的自旋情况，电子的允许量子态密度为，每个量子态最多只能容纳一个电子。

态密度,导带底附近状态密度（理想情况）,态密度,（导带底）,（价带顶）,费米能级,根据量子统计理论，服从泡利不相容原理的电子遵循费米统计律对于能量为E的一个量子态被一个电子占据的概率为称为电子的费米分布函数空穴的费米分布函数？

费米分布函数,称为费米能级或费米能量温度导电类型杂质含量能量零点的选取处于热平衡状态的电子系统有统一的费米能级,费米分布函数,当时若，则若，则在热力学温度为0度时，费米能级可看成量子态是否被电子占据的一个界限当时若，则若，则若，则费米能级是量子态基本上被电子占据或基本上是空的一个标志,玻尔兹曼分布函数,当时，由于，所以费米分布函数转化为称为电子的玻尔兹曼分布函数,玻尔兹曼分布函数,空穴的玻尔兹曼分布函数,玻尔兹曼分布函数,导带中电子分布可用电子的玻尔兹曼分布函数描写（绝大多数电子分布在导带底）；价带中的空穴分布可用空穴的玻尔兹曼分布函数描写（绝大多数空穴分布在价带顶）服从费米统计律的电子系统称为简并性系统；服从玻尔兹曼统计律的电子系统称为非简并性系统费米统计律与玻尔兹曼统计律的主要差别：

前者受泡利不相容原理的限制,导带中的电子浓度,在导带上的间有个电子从导带底到导带顶对进行积分，得到能带中的电子总数，除以半导体体积，就得到了导带中的电子浓度,导带中的电子浓度,导带中的电子浓度,导带宽度的典型值一般，所以，因此，积分上限改为并不影响结果。

由此可得导带中电子浓度为,价带中的空穴浓度,同理得价带中的空穴浓度,载流子浓度乘积,同理得价带中的空穴浓度热平衡状态下的非简并半导体中，在一定的温度下，乘积是一定的，如果电子浓度增大，空穴浓度就会减小；反之亦然,本征半导体载流子浓度,本征半导体无任何杂质和缺陷的半导体,本征费米能级,本征载流子浓度,（既适用于本征半导体，也适用于非简并的杂志半导体）,杂质半导体载流子浓度,一个能级能容纳自旋方向相反的两个电子杂质能级只能是下面两种情况之一被一个有任一自旋方向的电子占据不接受电子,杂质半导体载流子浓度,施主能级上的电子浓度（没电离的施主浓度）受主能级上的电子浓度（没电离的受主浓度）,杂质半导体载流子浓度,电离施主浓度电离受主浓度,n和p的其他变换公式,本征半导体时，,费米能级,对掺杂半导体，,半导体中的电子状态半导体中杂质和缺陷能级半导体中载流子的统计分布半导体的导电性非平衡载流子pn结金属和半导体的接触半导体表面与MIS结构,半导体物理学,载流子输运,半导体中载流子的输运有三种形式：

漂移扩散产生和复合,欧姆定律,金属导体外加电压，电流强度为电流密度为,欧姆定律,均匀导体外加电压，电场强度为电流密度为欧姆定律的微分形式,漂移电流,漂移运动当外加电压时，导体内部的自由电子受到电场力的作用而沿电场的反方向作定向运动（定向运动的速度称为漂移速度）,电流密度,漂移速度,漂移速度,半导体的电导率和迁移率,半导体中的导电作用为电子导电和空穴导电的总和当电场强度不大时，满足，故可得半导体中电导率为,半导体的电导率和迁移率,N型半导体P型半导体本征半导体,Question,导体在外加电场作用下，导体内载流子的漂移电流有两种表达形式,恒定,不断增大,热运动,在无电场作用下，载流子永无停息地做着无规则的、杂乱无章的运动，称为热运动晶体中的碰撞和散射引起净速度为零，并且净电流为零平均自由时间为,热运动,当有外电场作用时，载流子既受电场力的作用，同时不断发生散射载流子在外电场的作用下为热运动和漂移运动的叠加，因此电流密度是恒定的,散射的原因,载流子在半导体内发生撒射的根本原因是周期性势场遭到破坏附加势场使得能带中的电子在不同状态间跃迁，并使得载流子的运动速度及方向均发生改变，发生散射行为。

电离杂质的散射,杂质电离的带电离子破坏了杂质附近的周期性势场，它就是使载流子散射的附加势场散射概率代表单位时间内一个载流子受到散射的次数,电离施主散射,电离受主散射,晶格振动的散射,格波形成原子振动的基本波动格波波矢对应于某一q值的格波数目不定，一个晶体中格波的总数取决于原胞中所含的原子数Si、Ge半导体的原胞含有两个原子，对应于每一个q就有六个不同的格波，频率低的三个格波称为声学波，频率高的三个为光学波长声学波（声波）振动在散射前后电子能量基本不变，称为弹性散射；光学波振动在散射前后电子能量有较大的改变，称为非弹性散射,晶格振动的散射,声学波散射在能带具有单一极值的半导体中起主要散射作用的是长波在长声学波中，只有纵波在散射中起主要作用，它会引起能带的波形变化声学波散射概率光学波散射在低温时不起作用，随着温度的升高，光学波的散射概率迅速增大,与的关系,N个电子以速度沿某方向运动，在时刻未遭到散射的电子数为，则在时间内被散射的电子数为,因此,与的关系,上式的解为,则被散射的电子数为,与的关系,在时间内被散射的所有电子的自由时间为，这些电子自由时间的总和为，则个电子的平均自由时间可表示为,、与的关系,平均漂移速度为,、与的关系,N型半导体P型半导体本征半导体,与及的关系,电离杂质散射声学波散射光学波散射,与及的关系,电离杂质散射声学波散射光学波散射,影响迁移率的因素,与散射有关晶格散射电离杂质散射,N型半导体P型半导体本征半导体,电阻率,电阻率与掺杂的关系,N型半导体P型半导体,电阻率与温度的关系,本征半导体本征半导体电阻率随温度增加而单调地下降杂质半导体,（区别于金属）,速度饱和,在低电场作用下，载流子在半导体中的平均漂移速度v与外加电场强度E呈线性关系；随着外加电场的不断增大，两者呈非线性关系，并最终平均漂移速度达到一饱和值，不随E变化。

n-Ge:

半导体中的电子状态半导体中杂质和缺陷能级半导体中载流子的统计分布半导体的导电性非平衡载流子pn结金属和半导体的接触半导体表面与MIS结构,半导体物理学,平衡载流子,在某以热平衡状态下的载流子称为平衡载流子非简并半导体处于热平衡状态的判据式,（只受温度T影响）,由于受外界因素如光、电的作用，半导体中载流子的分布偏离了平衡态分布，称这些偏离平衡分布的载流子为过剩载流子，也称为非平衡载流子,过剩载流子,非平衡载流子的光注入,平衡载流子满足费米狄拉克统计分布,过剩载流子不满足费米狄拉克统计分布,且公式,不成立,载流子的产生和复合：

电子和空穴增加和消失的过程,过剩载流子,过剩载流子和电中性,平衡时过剩载流子,电中性：

小注入条件,小注入条件：

注入的非平衡载流子浓度比平衡时的多数载流子浓度小的多,N型材料,P型材料,非平衡载流子寿命,假定光照产生和，如果光突然关闭，和将随时间逐渐衰减直至0，衰减的时间常数称为寿命，也常称为少数载流子寿命单位时间内非平衡载流子的复合概率非平衡载流子的复合率,复合,n型材料中的空穴,当时，故寿命标志着非平衡载流子浓度减小到原值的1/e所经历的时间；寿命越短，衰减越快,费米能级,热平衡状态下的非简并半导体中有统一的费米能级,统一的费米能级是热平衡状态的标志,准费米能级,当半导体的热平衡状态被打破时，新的热平衡状态可通过热跃迁实现，但导带和价带间的热跃迁较稀少导带和价带各自处于平衡态，因此存在导带费米能级和价带费米能级，称其为“准费米能级”,准费米能级,注：

非平衡载流子越多，准费米能级偏离就越远。

在非平衡态时，一般情况下，少数载流子的准费米能级偏离费米能级较大,准费米能级,注：

两种载流子的准费米能级偏离的情况反映了半导体偏离热平衡状态的程度,产生和复合,产生电子和空穴（载流子）被创建的过程产生率（G）：

单位时间单位体积内所产生的电子空穴对数复合电子和空穴（载流子）消失的过程复合率（R）：

单位时间单位体积内复合掉的电子空穴对数产生和复合会改变载流子的浓度，从而间接地影响电流,复合,直接复合间接复合Auger复合,（禁带宽度小的半导体材料）,（窄禁带半导体及高温情况下）,（具有深能级杂质的半导体材料）,产生,直接产生R-G中心产生载流子产生与碰撞电离,陷阱效应,当半导体处于非平衡态时，杂质能级具有积累非平衡载流子的作用，即具有一定的陷阱效应所有杂质能级都具有陷阱效应具有显著陷阱效应的杂质能级称为陷阱；相应的杂质和缺陷称为陷阱中心杂质能级与平衡时的费米能级重合时，最有利于陷阱作用,扩散,粒子从高浓度向低浓度区域运动,扩散电流,半导体内总电流,扩散+漂移,扩散系数和迁移率的关系,考虑非均匀半导体,爱因斯坦关系,在平衡态时，净电流为0,连续性方程,半导体中的电子状态半导体中杂质和缺陷能级半导体中载流子的统计分布半导体的导电性非平衡载流子pn结金属和半导体的接触半导体表面与MIS结构,半导体物理学,PN结杂质分布,PN结是同一块半导体晶体内P型区和N型区之间的边界PN结是各种半导体器件的基础，了解它的工作原理有助于更好地理解器件典型制造过程合金法扩散法,PN结杂质分布,下面两种分布在实际器件中最常见也最容易进行物理分析,突变结:

线性缓变结:

浅结、重掺杂（3um）或外延的PN结,PN结的形成,PN结中的能带,PN,内建电势,内建电势,PN结的内建电势决定于掺杂浓度ND、NA、材料禁带宽度以及工作温度,能带内建电势电场,VA0条件下的突变结,外加电压全部降落在耗尽区，VA大于0时，使耗尽区势垒下降，反之上升。

即耗尽区两侧电压为Vbi-VA,反偏PN结,反偏电压能改变耗尽区宽度吗？

准费米能级,理想二极管方程,PN结正偏时,理想二极管方程,PN结反偏时,耗尽层边界,P型一侧,P,N,耗尽层边界（续）,N型一侧,耗尽层边界处非平衡载流子浓度与外加电压有关,PN结电流,PN结电流与温度的关系,空间电荷区的产生与复合,正向有复合电流反向有产生电流,空间电荷区的产生与复合-1,反向偏置时,正向偏置时,计算比较复杂,VA愈低，IR-G愈是起支配作用,VAVbi时的大电流现象,串联电阻效应,q/kT,Log（I）,VA,VAVbi时的大电流现象-1,大注入效应,大注入是指正偏工作时注入载流子密度等于或高于平衡态多子密度的工作状态。

pnnno,VAVbi时的大电流现象-2,VAVbi时的大电流现象-3,VA越大,电流上升变缓,反向击穿,电流急剧增加可逆雪崩倍增齐纳过程不可逆热击穿,雪崩倍增,齐纳过程,产生了隧穿效应,E,隧道穿透几率P：

隧道长度:

隧道击穿:

VB6Eg/q,PN结二极管的等效电路,小信号加到PN结上,+-,va,VA,+-,P,N,Rs,G,C,反向偏置结电容,也称势垒电容或过渡区电容,反向偏置结电容-1,反向偏置结电容-2,耗尽近似下线性缓变结的空间电荷区电荷总量,参数提取和杂质分布,CV测量系统,VA,1/C2,Vbi,扩散电容,扩散电容-1,表现为电容形式,扩散电容-2,扩散电容与正向电流成正比,半导体中的电子状态半导体中杂质和缺陷能级半导体中载流子的统计分布半导体的导电性非平衡载流子pn结金属和半导体的接触半导体表面与MIS结构,半导体物理学,金属和半导体的接触,金属和半导体的功函数,金属和半导体的接触,金属和半导体的接触,整流理论,金属和N型半导体的接触,扩散理论,对于N型阻挡层，当势垒的宽度比电子的平均自由程大地多时，电子通过势垒区要发生多次碰撞，这样的阻挡层称为厚阻挡层。

扩散理论适用于厚阻挡,肖特基势垒二极管与二极管的比较,相同点单向导电性不同点正向导通时，pn结正向电流由少数载流子的扩散运动形成，而肖特基势垒二极管的正向电流由半导体的多数载流子发生漂移运动直接进入金属形成，因此后者比前者具有更好的高频特性肖特基势垒二极管的势垒区只存在于半导体一侧肖特基势垒二极管具有较低的导通电压，一般为0.3V，pn结一般为0.7V,欧姆接触,欧姆接触不产生明显的附加阻抗，而且不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著的改变，为非整流接触若，金属和n型半导体接触可形成反阻挡层；时，金属和p型半导体接触也能形成反阻挡层，反阻挡层没有整流作用，可实现欧姆接触实际生产中利用隧道效应的原理，把半导体一侧重掺杂形成金属n+n或金属p+p结构，从而得到理想的欧姆接触,半导体中的电子状态半导体中杂质和缺陷能级半导体中载流子的统计分布半导体的导电性非平衡载流子pn结金属和半导体的接触半导体表面与MIS结构,半导体物理学,MIS结构,能带图,能带图-1,无偏压时MOS结构中由于功函数差引起的表面能带弯曲,MIS结构,理想情况金属与半导体间功函数差为零绝缘层内没有任何电荷且绝缘层完全不导电绝缘体与半导体界面处不存在任何界面态,积累,耗尽,耗尽-1,（边界条件）,反型,反型-1,耗尽层电荷:

外加偏置,Qs,s,s=0,Qs=0,=0,flatband,s0,accumulation,s0,Qs0,depletion,s0,Qs0,weakinversion,s=2F,theonsetofstronginversion,s2F,Stronginversion,MIS结构的基本公式,MOS结构的基本公式-1,总电势差:

平带,FlatBandVoltage,MIS电容,MIS电容,电容的定义:

MIS电容-2,积累态:

耗尽态:

MIS电容-3,反型,实验结果,深耗尽,从耗尽扫描到反型时,需要少子,