ICP刻蚀工艺要点说明.docx
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ICP刻蚀工艺要点说明
ICP考试题库
一,选择题。
1、ICP刻蚀机的分子泵正常运行时的转速大约在(B
)RPM
A20000
B
32000
C40000
D
18000
2、
北微ICP本底真空和漏率指标为(A)时,
设备能够正常工作
A0一0.lmT B>2.5mT <2mT/min C0.3―0.5mT<1.OmT/min D>0.5mT 〈2.5mT/min 3、NMC刻蚀机当前SRF时间为(C)时,要求对设备进行开腔淸洁 A 50H B 100H C 200H D 2000H 4、SLR ICP托盘、螺丝等淸洗标准作业流程(ABC) A: 用DI水喷淋托盘(底盘和盖子)、耐髙温橡皮条(7根)、螺丝 B: 用N2吹干 C: 螺丝使用一次后淸洗: 托盘和橡皮条使用三次后淸洗;当天全部声波淸洗 5、ELEDEICP铝盘、石英盖、密封圈淸洗标准作业流程(ABCD) A.用DI水浸泡石英托盘20min B.用DI水冲洗一颯 C.用N: 吹干 D.用IPA擦拭密封圈 6、ELEDEICP卸晶片标准操作流程(ABC) A.用专用螺丝刀把托盘的螺丝拧松,用手拧开,放回固定位置 B.用手轻轻地取出石英盖 C.用专用银子将晶片夹放到相应的盒子里 7、CORIALICP卸晶片工艺步骤(ABC) A.用小起子将铝盖轻轻翘开 B.移开铝板 C.用真空吸笔将蚀刻片吸到相应的盒子里 二,填空题。 1.蚀刻好的晶片测得的髙度是1.75um底径是2.74um那么需要进行补刻大约300S 2.蚀刻时一般设置氮气的压力是4Torr当实际压力超过5.2Torr会报警氮漏 3.NMC机台正常工作时分子泵的转速是32000RPM 4.在NMC工作中氮气的作用是_吹扫腔体氮气的作用时冷却晶片(托盘)氧气的作用是淸洁腔室三氯化硼的作用是蚀刻晶片 5.1Torr二133Pa 6.淸洗晶片时丙酮的作用是淸洗有机物异丙醇的作用是淸洗丙酮 7.曝光使光刻胶有选择性,正胶光照地方,负胶未被光照地方,光刻胶被显影液反应掉 8.ICP的淸洁没有做好会造成晶片死区盲区等缺陷 9.造成马赛克的因素有晶片的平整度,匀胶的均匀性,曝光台的淸洁度 10.NMC机台连续工作5小时需要做Dryclean 11.每周五检查冷冻机冷冻液剩余情况,低于第一个金属环时应添加显丙醴 12.当机台闲苣纟小时以上再生产时,应对机台进行一次预热动作 13.作业过程中,毛: 绝晶片放错片盒,以工艺记录本的刻号为准 14.实验时装片要仔细查看晶片,避免把好晶片当成废片作为陪丿f刻蚀 15.实验片刻蚀完放回原来的盒子中,不可另外单独存放 16.每蚀刻完一个RUN,抽取璽片进行检测,检测数据如有异常,立即报告工艺人员 17.拿晶片测量数据时,不可用手触摸晶片表而,避免晶片污染导致测量误差 18.每班下班前保证有三盒有胶废片,用过的废片满一盒后要及时送往淸洗站 19.蚀刻前进行晶片的挑选,凡有马赛克、污染、针孔等缺陷超过竺血的不能蚀刻,收集到返工盒里,待满一盒,流到淸洗站淸洗 20.每次做完PM后连续做§个SEASON接着做生片实验,若实验片数据和外观0K就正常生产, 负责在做工个SEASON和生片实验,宜到能够生产为止 三,判断题: 1,ICP刻蚀的工艺气体是三氟甲烷(X) 2,Corial冷冻机里而装的是ACE(X) 3,ICP石英托盘用ACE淸洁(X) 4,真空吸笔头容易脱落,吸片前检査一遍吸笔头是否稳固(J) 5,每次生产时用无尘布加IPA擦拭片盒和CM腔室(J) 6,操作员可更改ICP生产程序(X) 四,问答题: 1.在检测发现有很多的废片如满天星;边不对称: 刮花等,试分析一下造成这些废片的原因。 答: 造成满天星的因素可能是1晶片曝光过程中光刻板污染、显影过程中脱胶等,但是刻蚀前没有镜检,2装完片没有进行吹扫有颗粒落在晶片上,3机台长久没有做PM有颗粒掉在晶片上。 边不对称: 1装片时没有调整好,2盖石英盖时造成晶片移位。 刮花: 1装片调整时银子刮到晶片,2目检时遗漏了刮花缺陷,3拧螺线时手指衣袖等碰到晶片。 2.NMC机台在进行手动操作时,机台里只有一个托盘,托盘真正的位置在机械手臂上,但是系统显示托盘位置为未知状态,此时该如何操作? 答: 点击手动模式再点击托盘同步,在“设置托盘存在状态下”设置腔室的选项为托盘不存在,机械手臂为托盘存在托盘1,2,3,4,5的位巻都设豊为托盘不存在然后点击“与系统记录同步”点击“与设备信号同步”此时机械手臂上会显示有托盘,其他地方都没有托盘,这样就可以进行接下来的操作了。 3.什么叫做选择比? 如果晶片上光刻胶的厚度是2.5um,要刻出高度约为1.55um的产品,那么理想的选择比应该是多少? 答: 选择比就是蚀刻蓝宝石衬底的速度与蚀刻光刻胶的速度的比值。 要刻出髙度为1.55um的晶片理想的选择比应该是0.62以上 选择比=1.55/2.5=0.62 4.下图是一简化的NMC机台的工艺配方,描述一下各个参数的含义。 参数 Stable 1 Etchl Stable 2 Etch2 Stabl e3 Etch 3 flow Pressure(mTorr) 3 3 3 3 1.5 1.5 0 SRFPower(W) 0 1900 0 1400 0 1900 0 BRFPower 0 200 0 200 0 700 0 HeliumPressure(Torr) 4 4 4 4 4 4 4 GasBCL3(300sccm) 80 80 SO 80 40 40 0 Time(sec) 20 600 10 600 10 450 60 PenvlvPositionDelayTime 0 0 0 0 0 0 1000 SRFReflectPower(W) 50 50 50 50 50 50 50 BRFReflectPower(W) 50 50 50 50 50 50 50 C5SetPoint 10 40 10 40 40 40 40 答: Pressure(mTorr)工艺腔室压力,SRFPower(W)Js电极加载功率,BRFPower 卜电极加载功率,HeliumPressure(Torr)氨气压力,GasBCL3(300sccm)三氮化硼流量,Time(sec)蚀刻时间,PenvlvPositionDelayTimePV仪阀位置SRFReflectPower(W)上电极反射功率,BRFReflectPower(W)下电极反射功率,CSSetPoint等离子体密度」 5.简述CORIALICP作业流程图 6.简述CORIALICP装片工艺步骤 1.装备好材料,包括石英托盘、带密封圈的铝盖、蓝宝石晶片; 2.用无尘布蘸IPA擦拭石英托盘、铝盖: 3.将密封圈均匀陷于铝板小槽中: 4.石英托盘背而朝上,用真空吸笔吸取晶片背而,按一左顺序放在晶片位苣上,晶片平边对准托盘平边: 5.将铝盖放在晶片顶部,并轻压,使铝板嵌入托盘小槽中: 6.装好后,用无尘布蘸些许IPA擦拭托盘背而,将托盘翻转,轻轻擦拭托盘边缘,小心碰到晶片表面。 7.简述CORIALICPj青洗托盘作业流程图 9.简述CORIALICP托盘淸洗标准作业流程 A.用DI水浸泡石英托盘20min: B.用DI水冲洗一遍; C.用N2吹干; D.用IPA擦拭; E.用真空硅脂涂抹真空密封圈。 10.简述CORIALICP淸洗反应室方法及步骤 A.进入〈maintenance〉状态,选择〈Sequence”VentReactor”>; B.点击<LoadSequence>显示步骤,再点击〈RunSequence>: C.等待<Sequence>结束,反应室处于破真空状态,拧掉反应炉室上4颗锁紧螺丝,打开反应室: D.拆下石英细管,先用无尘布龍上DIW,擦洗反应室壁和石英窗口,再用无尘布蘸•上IPA擦洗。 注意检查下电极上的弹簧圈是否有损坏,如有损坏,请及时更换,最后淸洁完后,按照图示安装石英细管: E.用真空硅脂涂抹真空密封橡皮条,再放置好: F.在〈maintenance〉状态,选择〈sequence"ResetCurrentRunCounter">,将<CurrentRunCounter>淸零,<ResetCounter>自动加1; G.结朿后,盖上反应室,拧上螺丝,注意先不用拧紧,点击〈EXITmode〉退出maintenancemode,,等机台进入vacuumready状态,拧紧反应室上的螺幺幺。 11.简述ELEDEICP作业流程图 12.简述ELEDEICP装晶片标准操作流程 A.用无尘布蘸IPA擦拭铝托盘表而(包括0-ring); B.用专用银子将晶片按照一左顺序夹放到托盘的各个位置上(如上图),以边缘均匀盖住密封圈为准(除平边),如左下图(不含石英盖)所示; C.放置石英盖时不能移动晶片,对准立位销将石英盖轻放至托盘上,以边缘均匀盖住密封圈为准(除平边),如右下图(含石英盖)所示: D.拧上螺丝(注意不拧紧,避免衣袖、手套碰到晶片表面); E.用力矩螺丝刀拧中外圈螺丝,每隔2个拧一次,分2次拧紧,1次检查; F.检查一遍晶片是否放好,并用专用吹扫工具吹扫一遍: G.用无尘布蘸.IPA擦拭铝托盘底部,注意不可将IPA沾到晶片上: H.将装载托盘轻放至片盒上。 13.简述ELEDEICP蚀刻作业操作 1,打开传输腔室门,将片盒轻放在卡板上,刚好卡住泄位销,切忌左右移动片盒: 2,点击〈配方〉,打开<工艺配方〉,检查所选配方的工艺参数: 3,点击<片盒配方〉,打开所选的片盒配方;若没有要选择的配方,则新建一个: 4,点击<主界面〉,査看片盒配方详细信息,确认无误,点击<开始工艺〉: 5,待工艺结朿后,打开传输腔室门,取出片盒及托盘,卸下晶片: 14.简述ELEDEICP淸洗石英盖、铝盘、螺丝作业流程图 15.简述ELEDEICP淸洗反应室作业流程图 16.简述ELEDEICP螺丝淸洗标准作业流程 A.把螺丝装在小烧杯里,倒入IPA覆盖为宜,超声波振动lOmin: B.用%把螺丝吹干 17.简述ELEDEICP淸洗反应室方法及步骤 A.进入[维护/工艺模块],在[腔室操作]中点击[吹扫],至少吹扫100次; B.吹扫完毕后,点击[吹大气],进行腔室破頁•空动作; C.按照正确的流程打开反应室: D.移走反应室零部件(石英盖、密封圈、衬、压环等); E.先用浸有DI水的无尘布擦拭反应室壁,再用IPA擦拭,直到擦拭的无尘布上看不到残余物的颜色为止; F.按照步骤E擦拭反应室其余每个地方,特別是真空测量孔: G.手动把升降针升起,用浸有IPA的无尘布擦拭三针; H.用浸有IPA的无尘布擦拭卡盘、聚焦环表而: I.按照步骤E擦拭其他的部件(衬、压环等); J.安装反应室零部件(石英盖、密封圈、衬、压环等): K.关闭反应室; L.恢复反应室状态 18.简述SLRICP作业流程图 19.简述SLRICP装晶片标准操作流程 A: 用打圈圈的方式使橡皮条均匀分布在底盘的各个小槽上: B: 判断托盘的方向,以中间的区域为标准,若左位横边往下的,则托盘两边的两个小孔分别为左右两孔; C: 用专用摄子将晶片夹放到托盘的各个位置上,并对准位豊: D: 把螺丝放在盖子的小孔里: E: 以盖子边缘的一个小孔为左边,对应托盘的左边位置,小心地放在底盘上: F: 用六角起子对角地拧螺丝,分两次拧。 第一次拧的程度为7成紧,第二次力度相对均匀地稍微拧紧; G: 用专用吹扫工具吹扫已装好片的托盘一遍。 20.简述SLRICP淸洗托盘、螺丝作业流程图 21.简述SLRICP晴洗反应室作业流程图 22.简述SLRICP反应室淸洗步骤 A: 打开反应室(同时按住2个上升开关一向右推开腔体) B: 用DI水淸洗反应室(包括底座、腔壁、夹具) C: 用吸尘器吸走遗留的尘埃和水分子 D: 用异丙醇淸洗反应室 E: 用貞•空硅脂涂抹真空密封橡皮条,再用无尘布擦均匀 F: 放置真空密封橡皮条(对角放置一►压平整) G: 关闭反应室(向左推腔体回原位一►同时按住2个下降开关) 23.简述本工站的详细工作流程、操作规及注意事项。
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