X射线光电子能谱原理及应用1128.ppt
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X射线光电子能谱原理及应用X-rayPhotoelectronSpectroscopy(XPS)1一、前言一、前言二、二、XPS基本原理及特点基本原理及特点三、三、XPS仪器介绍仪器介绍四、样品制备四、样品制备五、应用分析五、应用分析主要内容2一、前言固体的表面(晶界和相界等内表面,100nm)对材料性能有重要影响。
由于涉及的层深很浅,故需要对样品的制备和分析过程进行严格控制,以防污染造成的假象和误差。
因此,要求分析仪器的真空度达到10-710-8Pa,同时要求信息检测系统有很高的灵敏度。
目前常用的表面成分分析方法有:
X射线光电子能谱(X-rayPhotoelectronSpectroscopy,XPS)俄歇电子能谱(AugerElectronSpectrometry,AES)34表面研究内容表面元素成分及其化学状态表面元素鉴定,存在化学状态,化学键合状态,定量情况表面几何结构原子的二维排列次序表面的电子结构电子能态密度分布等表面上的原子运动表面扩散,吸附以及反应等5表面分析信息表面元素分析表面元素的化学状态表面与界面的半定量分析元素与化学态沿深度方向的分布分析样品表面的选点分析样品表面的线扫描分析样品表面的元素面分布价态电子结构分析6表面分析特点表面性表面只占体相的很小部分,1010倍表面单分子层的电离截面很小。
要求有很高的灵敏度表面上存在大量悬挂化学健其化学状态可能与体相不同7前言表面概念表面分析,薄膜分析,体相分析的比较8常用分析方法X射线光电子能谱XPSorESCA(50%)俄歇电子能谱AES(40%)二次离子质谱SIMS(10%)其它主要用于专门研究9主要应用方面XPS的发展1905Einstein建立光电理论解释了碱金属经光线辐照产生光电流的光电效应;hv=Ik+Ek1940-50年代发现用X射线照射固体材料并测量由此引起的电子动能的分布,但当时可达到的分辩率还不足以观测到光电子能谱上的实际光峰。
1954年瑞典科学家KaiSiegbahn教授首先使用高分辨的电子能谱仪来分析X射线激发产生的低能电子,观察到可分辨的光峰,同时发现了化学位移效应。
由于这些化学位移分成有用,Siegbahn教授把这种研究方法命名为“化学分析光电子能谱”,EElectronlectronSSpectroscopyforpectroscopyforCChemicalhemicalAAnalysisnalysis,ESCAESCA。
1981年,KaiSiegbahn获得了诺贝尔物理奖。
10XPS的发展1960年代以来,随着微电子,超高真空以及计算机技术的发展,以及新材料对表面分析的需求,逐渐形成了X射线光电子能谱。
1970年代,商用仪器。
XPS已发展为表面元素定性、半定量分析及元素化学价态分析的重要手段。
目前该分析方法在日常表面分析工作中的份额约50%,是一种最主要的表面分析工具。
11电磁辐射与材料的相互作用RadiationBeamreflectionMaterialsLuminescencescaterTransmittanceabsorption12光谱学基础E=h=hc/13XX射线与物质的作用射线与物质的作用14二、基本原理二、基本原理能量关系可表示:
能量关系可表示:
原子的反冲能量原子的反冲能量忽略忽略(0.1eV(0.1eV)得)得电子结合能电子结合能电子动能电子动能光电效应过程1、光电子与物质的相互作用、光电子与物质的相互作用若若hv该电子结合能该电子结合能Eb,则此电子将脱离原来受束缚的能级,则此电子将脱离原来受束缚的能级,剩余的光子能量转化为该电子的动能剩余的光子能量转化为该电子的动能Ek。
15光电子发射可以分为三个过程,即:
光电子发射可以分为三个过程,即:
电子因光吸收而激发;电子因光吸收而激发;释放出的电子向固体表面移动;释放出的电子向固体表面移动;克服表面势场而射出克服表面势场而射出脱离固体表面。
脱离固体表面。
其中过程其中过程与电子的逸出深度和能量有关,与电子的逸出深度和能量有关,而过程而过程则与化学位移有关。
则与化学位移有关。
16入射光子的能量大于原子中电子的入射光子的能量大于原子中电子的结合能结合能及样品的及样品的功函数功函数,吸收了光子的电子可以逃逸样品表面进入真空,且具有一定吸收了光子的电子可以逃逸样品表面进入真空,且具有一定的动能,光电效应。
的动能,光电效应。
电子的结合能电子的结合能:
原子中某个电子吸收一个光子的全部能量:
原子中某个电子吸收一个光子的全部能量后,消耗一部分能量以克服原子核的束缚而到达样品的后,消耗一部分能量以克服原子核的束缚而到达样品的费费米能级,米能级,消耗的能量也即这个电子所在的消耗的能量也即这个电子所在的fermifermi能级能级。
17样品的功函数样品的功函数:
到达费米能级的电子还要继续前进所克到达费米能级的电子还要继续前进所克服的晶格对它的引力而消耗的能量。
服的晶格对它的引力而消耗的能量。
费米能级费米能级:
0K0K时固体能带中充满电子的最高能级。
时固体能带中充满电子的最高能级。
2、光电子能谱测量原理、光电子能谱测量原理对固体样品,必须对固体样品,必须考虑晶体势场和表考虑晶体势场和表面势场对光电子的面势场对光电子的束缚作用,通常选束缚作用,通常选取取费米能级费米能级为为EEbb的参考点。
的参考点。
0k0k时固体能带中充时固体能带中充满电子的最高能级满电子的最高能级对孤立原子或分子,对孤立原子或分子,EEbb就是把电子从所在轨道移到就是把电子从所在轨道移到真空需的能量,是以真空需的能量,是以真空能级真空能级为能量零点的。
为能量零点的。
电子由费米电子由费米能级进入自由能级进入自由电子能级所需电子能级所需的能量,即的能量,即克服功函数克服功函数内层电子内层电子跃迁到跃迁到费米能级费米能级所需的能量所需的能量自由电子自由电子所具有的所具有的动能动能18功函数功函数为防止样品上正电荷积累,固体样品必须保持为防止样品上正电荷积累,固体样品必须保持和谱仪的和谱仪的良好电接触良好电接触,两者费米能级一致。
,两者费米能级一致。
实际测到的电子动能为:
实际测到的电子动能为:
仪器功函数仪器功函数可测定,已知可测定,已知19XPS结合能在XPS分析中,由于采用的X射线激发源的能量较高,不仅可以激发出原子价轨道中的价电子,还可以激发出芯能级上的内层轨道电子,其出射光电子的能量仅与入射光子的能量及原子轨道结合能有关。
因此,对于特定的单色激发源和特定的原子轨道,其光电子的能量是特征的。
当固定激发源能量时,其光电子的能量仅与元素的种类和所电离激发的原子轨道有关。
因此,我们可以根据光电子的结合能定性分析物质的元素种类。
20X射线光电子谱基本原理射线光电子谱基本原理X射射线线光光电电子子能能谱谱的的理理论论依依据据就就是是Einstein的的光光电电子子发发射射公公式式,在在实实际际的的X射射线线光光电电子子谱谱分分析析中中,不不仅仅用用XPS测测定定轨轨道道电电子子结结合合能能,还还经经常常用用量量子子化化学学方方法法进进行行计计算算,并并将将二二者进行比较。
者进行比较。
21突然近似突然近似体体系系受受激激射射出出光光电电子子后后,原原稳稳定定的的电电子子结结构构受受到到破破坏坏,这这时时体体系系处处于于何何种种状状态态、如如何何求求解解状状态态波波函函数数及及本本征征值值遇遇到到了了很很大大的的理理论论处处理理困困难难。
突突然然近近似似认认为为,电电离离后后的的体体系系同同电电离离前前相相比比,除除了了某某一一轨轨道道被被打打出出一一个个电电子子外外,其其余余轨轨道道电电子子的的运运动动状状态态不不发发生生变变化化而而处处于于某某一一种种“冻冻结状态结状态”。
22绝热近似绝热近似实实测测的的XPS谱谱是是同同电电离离体体系系的的终终态态密密切切相相关关的的,Koopmans定理所假设的离子轨道冻结状态是不存在的。
定理所假设的离子轨道冻结状态是不存在的。
绝绝热热近近似似认认为为,电电子子从从内内壳壳层层射射出出,结结果果使使原原来来体体系系的的平平衡衡势势场场破破坏坏,离离子子处处于于激激发发态态。
这这时时轨轨道道电电子子结结构构将将作作出出调调整整,电电子子轨轨道道半半径径会会出出现现收收缩缩或或膨膨涨涨,这这一一过过程程叫叫“电电子弛豫子弛豫”。
23结合能参照基准结合能参照基准在在用用XPS测测定定内内层层电电子子结结合合能能与与理理论论计计算算结结果果进进行行比比较较时时,必须有一共同的结合能参照基准。
必须有一共同的结合能参照基准。
对对于于孤孤立立原原子子,轨轨道道结结合合能能的的定定义义为为把把一一个个电电子子从从轨轨道道移移到到核核势势场场以以外外所所需需的的能能量量,即即以以“自自由由电电子子能能级级”为为基基准准的的。
在在XPS中中称称这这一一基基准准为为“真真空空能能级级”,它它同同理理论论计计算算的参照基准是一致的。
的参照基准是一致的。
24绝热近似绝热近似实实测测的的XPS谱谱是是同同电电离离体体系系的的终终态态密密切切相相关关的的,Koopmans定理所假设的离子轨道冻结状态是不存在的。
定理所假设的离子轨道冻结状态是不存在的。
绝绝热热近近似似认认为为,电电子子从从内内壳壳层层射射出出,结结果果使使原原来来体体系系的的平平衡衡势势场场破破坏坏,离离子子处处于于激激发发态态。
这这时时轨轨道道电电子子结结构构将将作作出出调调整整,电电子子轨轨道道半半径径会会出出现现收收缩缩或或膨膨胀胀,这这一一过过程程叫叫“电电子弛豫子弛豫”。
25X射线光电子谱仪的能量校准射线光电子谱仪的能量校准X射射线线光光电电子子能能谱谱分分析析的的首首要要任任务务是是谱谱仪仪的的能能量量校校准准。
一一台工作正常的台工作正常的X射线光电子谱仪应是经过能量校准的。
射线光电子谱仪应是经过能量校准的。
X射射线线光光电电子子谱谱仪仪的的能能量量校校准准工工作作是是经经常常性性的的,一一般般地地说说,每工作几个月或半年,就要重新校准一次。
每工作几个月或半年,就要重新校准一次。
26荷电效应荷电效应用用XPS测测定定绝绝缘缘体体或或半半导导体体时时,由由于于光光电电子子的的连连续续发发射射而而得得不不到到足足够够的的电电子子补补充充,使使得得样样品品表表面面出出现现电电子子“亏亏损损”,这种现象称为,这种现象称为“荷电效应荷电效应”。
荷荷电电效效应应将将使使样样品品出出现现一一稳稳定定的的表表面面电电势势VS,它它对对光光电电子子逃离有束缚作用。
逃离有束缚作用。
27荷电效应荷电效应-中和法中和法制备超薄样品;制备超薄样品;测试时用测试时用低能电子束低能电子束中和试样表面的电荷,使中和试样表面的电荷,使EcOCH4个C元素所处的化学环境不同33
(2)化学位移与原子氧化态的关系)化学位移与原子氧化态的关系原子内壳层电子的结合能随原子氧化态增高而增大;氧化态愈高,化学位移也愈大。
从一个原子中移去一个电子所需能量(从一个原子中移去一个电子所需能量(Eb)随原)随原子中正电荷增加而增加。
子中正电荷增加而增加。
(正电荷(正电荷,吸引电子能力,吸引电子能力,Eb)34举例举例金属金属Be氧化氧化金属金属Be的的1s电子结合能为电子结合能为110eV。
实测金属实测金属Be的光电子能谱则有的光电子能谱则有分裂峰分裂峰分裂峰分裂峰,二者能量差,二者能量差2.90.leV。
其中其中110.0eV的峰值对应的是金属的峰值对应的是金属Be(Bels),),另一能量稍大的峰值对应的是另一能量稍大的峰值对应的是BeO的的Bels。
说明说明Be在氧化后,使在氧化后,使Bels电子结合能增大。
电子结合能增大。
注注意意:
原原子子氧氧化化态态与与结结合合能能位位移移之之间间并并不不存存在在数数值值上上的的绝绝对对关关系系,在在测测得得某某原原子子的的结结合合能能之之后后,还还应应当当与与标标准准数数据据或或谱谱线线对对照照,以以便便正正确确地地得得出出各各种种氧氧化化态与化学位移的对应关系。
态与化学位移的对应关系。
原子内壳层的电子结合能随化学环境而变化,反映原子内壳层的电子结合能随化学环境而变化,反映在光电子能谱图上就是在光电子能谱图上就是结合能谱线位置发生位移结合能谱线位置发生位移。
35XPS特点能在不太高的真空度下进行表面分析研究,这是其它方法都做不到的。
当用电子束激发时,如用AES法,必须使用超高真空,以防止样品上形成碳的沉积物而掩盖被测表面。
X射线比较柔和的特性使我们有可能在中等真空程度下对表面观察若干小时而不会影响测试结果。
化学位移效应也是XPS法不同于其它方法的另一特点,即采用直观的化学认识即可解释XPS中的化学位移,相比之下,在AES中解释起来就困难的多。
364、XPS谱线标志法XPS谱图分析中原子能级的表示用两个数字和一个小写字母表示。
例如:
E3d5/2第一个字母3代表主量子数(n),小写字母代表角量子数;右下角的分数代表内量子数jj=l1/2l为角量子数,l=0,1,2,3,n小的壳层的峰比n大的壳层的峰要强;同一壳层内,l越大(轨道越圆)峰越高,l越小(轨道越扁)峰越弱;自旋和轨道角动量同方向的(j=l1/2)比反方向(j=l1/2)的峰要强。
37量子数38391.光电子峰和俄歇峰(PhotoelectronLinesandAugerLines)2.X射线伴峰和鬼峰(X-raysatellitesandX-rayGhosts)3.携上伴峰(ShakeupLines)4.多重分裂峰(MultipletSplittingLines)5.特征能量损失峰(EnergyLossLines)光电子谱图中峰的种类4041X射线激发俄歇线射线激发俄歇线在光子激发原子产生光电子后,其原子变成激发态离子。
该激发态离子是不稳定的,会产生退激发。
在多种退激发途径中,最常见的退激发过程就是产生俄歇电子跃迁的过程,因此X射线激发俄歇谱是光电子谱的必然伴峰。
其原理与电子束激发的俄歇谱相同,仅是激发源不同。
42XX射线与物质的作用射线与物质的作用43不同射线源产生光电子示意图44X射线激发俄歇线射线激发俄歇线与电子束激发俄歇谱相比,XAES具有能量分辨率高,信背比高,样品破坏性小及定量精度高等优点。
同XPS一样,XAES的俄歇动能也与元素所处的化学环境有密切关系。
同样可以通过俄歇化学位移来研究其化学价态。
由于俄歇过程涉及到三电子过程,其化学位移往往比XPS的要大得多。
这对于元素的化学状态鉴别非常有效。
对于有些元素,XPS的化学位移非常小,不能用来研究化学状态的变化。
不仅可以用俄歇化学位移来研究元素的化学状态,其线形也可以用来进行化学状态的鉴别。
45Auger谱线:
谱线:
在在XPS中中,可可以以观观察察到到KLL,LMM,MNN和和NOO四个系列的四个系列的Auger线。
线。
因因为为Auger电电子子的的动动能能是是固固定定的的,而而X射射线线光光电电子子的的结结合合能能是是固固定定的的,因因此此,可可以以通通过过改改变变激激发发源源(如如Al/Mg双双阳阳极极X射射线线源源)的的方方法法,观观察察峰峰位位的的变变化与否而识别化与否而识别Augar电子峰和电子峰和X射线光电子峰。
射线光电子峰。
46XPS谱中的伴峰(谱中的伴峰(卫星峰卫星峰)在XPS谱中,由于激发源的能量很高,可以激发出各种物理过程的电子。
X射线一般不是单一的特征X射线,而是还存在一些能量略高的小伴线,所以导致XPS中,除K1,2所激发的主谱外,还有一些小的伴峰。
在普通的XPS谱中,主要存在的伴峰主要有:
自旋轨道分裂,多重分裂(静电分裂),携上峰和携下峰以及等离子体激元损失峰,价带电子峰以及俄歇电子峰等。
47谱线的类型谱线的类型48X射射线线“鬼鬼峰峰”:
有有时时,由由于于X射射源源的的阳阳极极可可能能不不纯纯或或被被污污染染,则则产产生生的的X射射线线不不纯纯。
因因非非阳阳极极材材料料X射射线所激发出的光电子谱线被称为线所激发出的光电子谱线被称为“鬼峰鬼峰”。
ContaminatingRadiationAnodeMaterialsMgAlO(K)Cu(L)Mg(K)Al(K)728.7323.9-233.0961.7556.9233.0-携上峰携上峰(shake-up,震激震激)和和携下峰携下峰(shake-off,震离震离)震激和震离线:
在光发射中,因内层形成空位,原子中心电位发生突然变化将引起外壳电子跃迁,这时有两种可能:
(a)若外层电子跃迁到更高能级,则称为电子的震激(shake-up);(b)若外层电子跃过到非束缚的连续区而成为自由电子,则称为电子的震离(shake-off)。
无论是震激还是震离均消耗能量,使最初的光电子动能下降。
携上峰与未成对电子有关,一般具有未成对电子的元素就可以产生shakeup峰。
通常情况其强度是主峰的5%-10%,但对于稀土元素有时可以和主峰强度相近。
同样利用shakeup峰可以研究分子的结构。
49携上峰和携下峰携上峰和携下峰50多重裂分(静电裂分)多重裂分(静电裂分)多重分裂多重分裂:
当原子的价壳层有当原子的价壳层有未成对未成对的自旋的自旋电子电子时,时,光致电离所形成的光致电离所形成的内层空位内层空位将与之发生将与之发生耦合耦合,使体系,使体系出现出现不止一个终态不止一个终态,表现在,表现在XPS谱图上即为谱线分裂。
谱图上即为谱线分裂。
分裂间隔正比于(2S1),S为价壳层中未成对电子的总自旋。
内层芯电子电离后产生的两个分裂峰面积比应为:
51能量损失峰能量损失峰对对于于某某些些材材料料,光光电电子子在在离离开开样样品品表表面面的的过过程程中中,可可能能与与表表面面的的其其它它电电子子相相互互作作用用而而损损失失一一定定的的能能量量,而而在在XPS低动能侧出现一些伴峰,即能量损失峰。
低动能侧出现一些伴峰,即能量损失峰。
当当光光电电子子能能量量在在1001500eV时时,非非弹弹性性散散射射的的主主要要方方式式是是激激发发固固体体中中自自由由电电子子的的集集体体振振荡荡,产产生生等等离离子子激元。
激元。
52型号:
型号:
ESCALAB250Xi,ThermoScientific,美国,美国价格:
价格:
76万美元万美元XX光电子能谱仪光电子能谱仪53三、三、XPS仪器介绍仪器介绍光电子能谱仪光电子能谱仪主要由主要由激发光源激发光源、光电子能量分析器光电子能量分析器、探测和记探测和记录系统录系统及及真空系统真空系统等几部分组成。
等几部分组成。
54551.X射线是特征射线,不是连续波,能量具有单色性;2.X射线的能量与材料有关;3.X射线不是一根线,具有一系列线;4.XPS需要单色的,一定能量的X射线X射线的产生射线的产生561.由灯丝,阳极靶及虑窗组成2.一般采用双阳极靶3.常用Mg/Al双阳极靶4.加铝窗或Be窗,阻隔电子进入分析室,也阻隔X射线辐射损伤样品。
5.灯丝不面对阳极靶,避免阳极的污染X射线源结构射线源结构57射线源射线源要获得高分辨谱图和减少伴峰的干扰,要获得高分辨谱图和减少伴峰的干扰,可以采用射线单可以采用射线单色器来实现色器来实现。
即用球面弯曲的石英晶体制成,能够使来自。
即用球面弯曲的石英晶体制成,能够使来自XX射射线源的光线产生衍射和线源的光线产生衍射和“聚焦聚焦”,从而去掉伴线和韧致辐射,从而去掉伴线和韧致辐射,并降低能量宽度,提高谱仪的分辨率。
并降低能量宽度,提高谱仪的分辨率。
58电子能谱仪通常采用的激发源有三种:
电子能谱仪通常采用的激发源有三种:
X射线源射线源、真空紫外灯真空紫外灯和和电子枪电子枪。
商品谱仪中将这些激发源组装在同一个样品室中,成商品谱仪中将这些激发源组装在同一个样品室中,成为一个多种功能的综合能谱仪。
为一个多种功能的综合能谱仪。
用于用于X光电子能谱的激发源是特征光电子能谱的激发源是特征X射线。
射线。
X射射线MgAl能量能量(eV)相对强度相对强度能量能量(eV)相对强度相对强度K11253.767.01486.767.0K21253.433.01486.333.0K1258.21.01492.31.0K31262.19.21496.37.8K41263.15.11498.23.3K51271.00.81506.50.42K61274.20.51510.10.28K1302.02.01557.02.059能量范围适中(1253.7和1486.7eV)X射线的能量范围窄(0.7和0.85eV)能激发几乎所有的元素产生光电子;靶材稳定,容易保存以及具有较高的寿命Mg/Al双阳极双阳极X射线源射线源6061对于一些元素,其结合能较高,选择高能量靶,可以提高信号强度;对于一些元素,需要高的能量分辨率以及低结合能端的信息,就可以采用低能靶;对于研究XAES线,一般需要采用高能靶。
低能靶的能量分辨率高,对价带峰和低动能峰有利;高能靶激发能量强,能量分别率差。
X射线源的选择射线源的选择62能量范围可调;单色性好;峰宽窄;射线强度大聚焦束斑小装置复杂固定场所价格贵同步辐射源同步辐射源6364X射线均具有很宽的自然宽度,能量分辨率受到限制;必须进行单色化;X射线难以聚焦,单色化很困难;一般采用Rowland圆晶体进行单色化(衍射方式)。
强度为原来的1%。
容易产生严重荷电效应;X射线的单色化射线的单色化65光电子能量分析器光电子能量分析器其作用是探测样品发射出来的不同能量电子的相对强度。
其作用是探测样品发射出来的不同能量电子的相对强度。
它必须在高真空条件下工作即压力要低于它必须在高真空条件下工作即压力要低于1010-3-3帕,以便尽量帕,以便尽量减少电子与分析器中残余气体分子碰撞的几率。
减少电子与分析器中残余气体分子碰撞的几率。
磁场式分析器磁场式分析器半球形分析器半球形分析器筒镜分析器筒镜分析器静电式分析器静电式分析器光电子能量分析器66图图半球形电子能量分析器示意图半球形电子能量分析器示意图改变两球面间的电位差,改变两球面间的电位差,不同能量的电子依次通过不同能量的电子依次通过分析器,分辨率高;分析器,分辨率高;半球形电子能量分析器半球形电子能量分析器67检测器检测器检测器通常为检测器通常为单通道电子倍增器单通道电子倍增器和和多通道倍增器多通道倍增器。
光电子或俄歇电光电子或俄歇电子流子流倍增器倍增器通道电子倍增器是一种采用通道电子倍增器是一种采用连续倍增连续倍增电极表面(管状通电极表面(管状通道内壁涂一层高阻抗材料的道内壁涂一层高阻抗材料的薄膜)静电器件。
内壁具有薄膜)静电器件。
内壁具有二次发射二次发射性能。
电子进入器性能。
电子进入器件后在通道内件后在通道内连续倍增连续倍增,增,增益可达益可达109。
多多通通道道检检测测器器是是由由多多个个微微型型单单通通道道电电子子倍倍增增器器组组合合在在一一起起而而制制成成的的一一种种大大面面积积检检测测器器,也也称称位位敏敏检检测测器器(PSD)或或多多阵阵列列检检测测器。
器。
68谱仪灵敏度和检测限信息采样深度信息采样深度10nm原子浓度检测限原子浓度检测限0.11.0%表面原子单层表面原子单层可检测元素为周期表中除可检测元素为周期表中除H和和He外的所有元素外的所有元素空间分辨率空间分辨率:
50(小面积小面积),5(成像成像)69真空系统真空系统电子能谱仪的真空系统有两个基本功能。
电子能谱仪的真空系统有两个基本功能。
使样品室和分析器保持使样品室和分析器保持一定真空度一定真空度使样品发射出来的电子使样品发射出来的电子的的平均自由程平均自由程相对于谱相对于谱仪内部尺寸仪内部尺寸足够大足够大减少电子在运动过程中减少电子在运动过程中同残留气体分子同残留气体分子发生碰发生碰撞而损失信号强度撞而损失信号强度。
降低活性残余气体的分压降低活性残余气体的分压。
因因在在记记录录谱谱图图所所必必需需时时间间内内,残残留留气气体体会会吸吸附附到到样样品品表表面面,甚甚至至可可能能和和样样品品发发生生化化学学反
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