钛铂金加热薄膜电阻研究样本Word文档下载推荐.docx
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2.1蒸发镀膜
蒸发就是材料熔化时产生蒸气的过程。
真空蒸发就是利用蒸发材料在高温时
缺点是所形成薄膜与衬底附着力小,台阶覆盖能力差等。
蒸发现阶段主要是
用在小规模集成小规模集成电路及分立器件制造中,另外也被应用在背面镀金
上以便更好地提高欧姆接触以及芯片和封装材料的粘合力。
图一中真空系统就是为蒸发过程提供真空环境。
真空蒸发过程必须在高真空的环境中进行,否则蒸发的原子或分子与大量残余气体分子碰撞,将使薄膜受到严重污染,甚至形成氧化物或者由于残余分子的阻挡难以形成均匀连续的薄膜。
真空环境是由一套真空系统实现的,主要包括前级泵和高真空泵。
前级泵主要是机械泵和罗茨泵等,用来对真空室进行粗抽;
高真空泵主要有涡轮分子泵和冷泵等,用来实现真空室的高真空状态。
图一中所示片架是用来放置硅片,般能够放置数十片,因此蒸发工艺能够对硅片进行批量加工。
片架的旋转方式主要是片架的”公转”加硅片的”自转”,两种方式同时工作,在硅片上形成厚度均匀的金属薄膜,并改进其台阶覆盖能力
蒸发镀膜的方法有两种,一种是电阻加热蒸发,即用难熔金属(如钨)制成舟状(如图2所示),将材料固定在加热舟上,当电流经过加热舟时材料被不断加热到熔点,蒸发出来形成薄膜,叫做电阻加热蒸发。
主要用于某些易熔化、气化材料的蒸镀。
蒸发工艺主要在背面淀积金是采用阻蒸的方法。
图2电阻加热蒸发
第二种是电子束蒸发。
电子束蒸发由发射高速电子的电子枪和使电子作圆周运动的均匀磁场组成。
在电子枪中,经过对螺旋状灯丝加高压后发射高速电子形成电子束。
电子束进入均匀磁场后受洛仑兹力作用而作圆周运动,使电子束准确
地射到蒸发材料的表面。
其装置如图3所示。
电子束蒸发具有以下优点,是真空蒸发镀膜中最重要使用最广泛的方法。
1)电子束蒸发能够使熔点高达3000r以上的材料蒸发。
2)被蒸发的材料是放在水冷的坩埚内,因而可避免容器材料的蒸发以及容器材料与蒸发材料之间的反应,可实现高纯度薄膜的淀积。
3)热效率高,热量直接加热到蒸发材料的表面
德疑产生方出二永丸碓扶、电啦铁
图3电子束蒸发装置
2.2溅射
在超大规模集成电路中,金属化要能填充高深宽比的孔,且产生等角的台
阶覆盖。
然而蒸发最大的缺点是不能产生均匀的台阶覆盖,因此蒸发在现代
VLSI生产中逐渐被溅射淘汰。
溅射是物理气相淀积薄膜的另一种方法。
我们将具有一定能量的入射粒子在对固体表面进行轰击时,入射粒子在与固体表面原子的碰撞过程中将发生能量和动量的转移,并可能将固体表面的原子溅射出来,称这种现象叫溅射。
在实际进行溅射时,一般是让被加速的正离子轰击作为阴极的靶,并从阴极靶溅射出原子,因此又称阴极溅射。
具体过程如图4所示。
Ar
图4为溅射原理图
高纯靶材料(纯度在99.999%以上)平板接地极称为阴极,衬底(硅片)具有正电势称为阳极。
在高压电场作用下,真空腔内的氩气经过辉光放电后产生高密度的阳离子(Ar+),A叶被强烈吸引到靶材的阴极并以高速轰击靶材使靶
原子溅射出来。
这些被溅射出来的原子将带有一定的动能,并沿一定的方向射向衬底,从而实现在衬底上的薄膜淀积。
溅射与蒸发一样,也是一个物理过程。
可是它对工作时的真空度不像蒸发那么高,通入氩气前后分别是10-7乇和10-3乇(1乇=133Pa)。
溅射过程都是建立在辉光放电的基础上,即射向固体表面的离子都是来源于气体的辉光放电。
所谓辉光放电实际上是低压气体中显示辉光的气体放电现象。
一般情况下,气体基本处于中性状态,只有极少量的原子电离。
在没有外场作用下,这些被电离的带电离子与气体分子一样在空间作杂乱无章的运动。
当这些气体通入电压较高的两极间,稀薄气体中的残余正离子在电场中加速,有足够的动能轰击阴极,产生二次电子,经碰撞过程产生更多的带电粒子,使气体导电,此放电过程呈现瑰丽的发光现象。
溅射现象是在辉光放电过程中观察到的。
在辉光放电过程中离子对阴极的轰击,能够使阴极的物质飞溅出来。
溅射工艺的优点有如下几点:
1)溅射工艺适用于淀积合金,而且具有保持复杂合金原组分的能力。
比如我们最常见的溅射AlSiCu合金中靶材含有0.5%的Cu,那么淀积的薄膜也含有0.5%的Cu。
2)在溅射过程中溅射出的原子将从溅射过程中获得很大的动能。
由于能量的增加,能够改进台阶覆盖性以及薄膜与衬底的粘附性。
而且由于溅射来自平面源且能从各个角度覆盖硅片表面,台阶覆盖度还可得到进一步优化。
3)溅射不需考虑金属熔点问题,因而能够淀积难熔金属。
4)具有多腔集成设备,能够在淀积金属前清除硅片表面沾污和本身的氧化层。
如果将硅片至于靶材位置,那么溅射系统就可起到清洗和刻蚀的作用,提高薄膜与硅片表面的粘附性。
溅射工艺的方法有以下几种:
1.直流溅射
直流溅射又称阴极溅射或直流二极溅射。
二极是指一个阳极、一个阴极,靶材置于阴极处,基片置于阳极处。
在阴阳两极加上1.5~1.7kV的直流电压,使室内的氩气辉光放电产生离子,从而达到溅射的目的。
2.射频溅射
使用直流溅射能够很方便地溅射淀积各种金属薄膜,但前提之一是靶材应具有较好的导电性。
若阴极是导体,由于电传导阴极表面保持负电位;
若是绝缘体,阴极表面被轰击出的电子不能被补充。
因此随轰击的进行阴极聚集大量正电荷,是阴阳两极表面电势减小;
一旦小于支持放电值,放电现象马上消失。
3.磁控溅射
由于溅射所需的气压较高,而且淀积速率也较低,气体分子对薄膜产生污染的可能性也较高。
因而,磁控溅射作为一种淀积速率高、工作气体压力较低
的溅射技术具有独特的优越性,磁控溅射是现在使用最广泛的溅射方法。
其原理图如图5所示。
图5磁控溅射原理图
磁控溅射的工作原理如图,电子在电场E的作用下,在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞,使其电离产生出A叶和新的电子;
新电子飞向基片,A叶在电场作用下加速飞向阴极靶,并以高能量轰击靶表面,使靶材发生溅射。
在溅射粒子中,中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜,而产生的二次电子会受到
电场和磁场作用,产生E(电场)XB(磁场)所指的方向漂移,简称EXB漂移,其运动轨迹近似于一条摆线。
若为环形磁场,则电子就以近似摆线形式在靶表面做圆周运动,它们的运动路径不但很长,而且被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内,而且在该区域中电离出大量的Ar+来轰击靶材,从而实现了高的沉积速率。
随着碰撞次数的增加,二次电子的能量消耗殆尽,逐渐远离靶表面,并在电场E的作用下最终沉积在基片上。
由于该电子的能量很低,传递给基片的能量很小,致使基片温升较低。
4.其它溅射方式
溅射方式还有反应溅射,离子束溅射,偏压溅射等等。
虽然铝在半导体镀膜工艺上被广泛应用,可是铝存在电迁移引起的可靠性问题。
而铝铜合金当铜含量在0.5%到4%寸期连线中的电迁移得到控制,因此现在溅射采用的靶材是铝硅铜合金:
AlSiCu代替Al不但能够满足前述要求,而且由于搀入了0.5%Cu后能够防止发生电迁移;
搀入1%Si后能够防止Al尖楔造成的PN结失效。
靶因离子轰击而慢慢被侵蚀,当大约50%或再多一点儿的靶被侵蚀掉时就要求换靶。
溅射的一个基本方面是氩气被离化形成等离子体。
氩被用作溅射离子,是因为它相对较重而且化学上是惰性气体,这避免了它和生长的薄膜或靶发生化学反应。
如果一个高能电子碰撞中性的氩原子,碰撞电离外层电子产生了带正电荷的氩离子。
氩离子在等离子体中被阴极靶的负电位强烈吸引,轰击靶材料以便溅射。
3.金属CVD
物理气相淀积(PVD)被广泛应用于淀积金属薄膜。
然而,化学气相淀积(CVD)在获得优良的台阶覆盖和高深宽比通孔的填充方面有着明显的优势。
当特征尺寸减小到0.15卩m下时优点更加突出。
在某些金属层制备如高深宽比的钨塞和电镀前的铜层时具有更好的效果。
钨CVD
钨(W)因具有良好的的抗电迁移能力和导电性能,常被用于各种器件构造以及MOS管的局部互连和通孔填充。
在多层铝互连技术中,单个微芯片中数以亿计的通孔使用金属钨填充,工作性能稳定,是形成有效的多金属层系统的关键。
Metal2
图7钨塞示意图
溅射淀积钨的成本较低,但方向控制较差,使得钨淀积在通孔中不均匀,因而CVD成为淀积钨的首选方法。
淀积钨前需淀积两层薄膜:
钛膜和氧化钛膜。
钛膜能有效降低接触电阻,一般使用溅射法淀积;
氧化钛能保证钨和下层材料之间良好的粘附性,常使用CVD淀积保证良好的台阶覆盖。
金属钨的电阻率较高(如:
钨5.3〜12;
铝2.6〜3.7),而且金属钨不易于图形化,因此一般钨只作为连接两层金属间的插塞,或作为金属布线与晶体管电极之间连接的插塞,而不是作为整条布线。
4金属电阻的计算与测量
计算导电薄膜的一种最实用的方法是测量方块电阻R正,薄层电阻R薄膜二L/AL/(wt)对于正方形的薄层电阻,R薄膜二/tR正从上能够看
出,方块电阻只与薄膜材料和厚度有关。
四探针法
从R薄膜=/tR正可知,如果测出方块电阻的值,而薄膜电阻率已知,即可计算出膜厚。
在半导体制造中,四探针法被广泛应用。
四探针法是把4个在一条线上的探针等距离放置并接触硅片。
在外面的两根探针之间施加已知电流,可测得里面两根探针之间形成的电压。
各金属电阻率如下表
物质
温度t/C
电阻率电阻温度系数aR/C-1
银
20
1.586
0.0038(20C)
铜
1.678
0.00393(20C)
金
2.40
0.00324(20C)
铝
2.6548
0.00429(20C)
钙
3.91
0.00416(0C)
铍
4.0
0.025(20C)
镁
4.45
0.0165(20C)
钼
5.2
铱
5.3
0.003925(0C~100C)
钨
27
5.65
锌
5.196
0.00419(0C~100C)
钻
6.64
0.00604(0C~100C)
镍
6.84
0.0069(0C~100C)
镉
6.83
0.0042(0C~100C)
铟
8.37
铁
9.71
0.00651(20C)
铂
10.6
0.00374(0C~60C)
锡
11.0
0.0047(0C~100C)
铷
12.5
铬
12.9
0.003(0C~100C)
傢
17.4
铊
18.0
铯
铅
20.684
0.00376(20C~40C)
锑
39.0
钛
42.0
汞
50
98.4
加热关系式子
u2tR
cmT---
--U为电压、R为电阻、t为加热时间、
为加热效率
C为比热、
m为质量、
T为温度变化。
n丨
2——
为相位改变量、
n为折射率改变量、
l为电阻长度
d(n丨)1
.1105-——
二氧化硅热光系数,
d(nl)折射率和长度的变化量、
lT
温度变化量
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