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改良西门子多晶硅.docx
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改良西门子多晶硅
第一章引言
我国现在正处于工业化、城市化、现代化的加快推进阶段。
基础设施建设规模庞大。
能源需求快速增长。
经济全球化和工业化进程的推进,以及高碳经济的突出,是全球气候变暖和世界环恶化以及对人类生存和发展的严峻挑战。
“低碳经济”和“可持续发展”概念提出。
工业三废的超标排放是全球环境恶化的主要原因之一。
极端天气出现情况的增加,告诫我们必须要走低碳经济之路,必须摈弃20世纪的传统增长模式,直接应用新世纪的创新技术与创新机制,通过低碳经济模式与低碳生活方式,实现可持续发展。
二十一世纪以来信息产业已成为我国国民经济的支柱产业。
特别是光伏产业的蓬勃发展,给硅材料工业的发展带来了前所未有的机遇。
现今的太阳能光伏产业技术已经相对经济、合理地直接的获取太阳能,用于人类的生活、生产,是一种完全环保、生态友好、可持续利用的能源形式!
正因为如此,近年太阳能光伏产业呈现出高速增长。
大力加速发展可再生能源的硅光伏产业及基础材料—高纯半导体(多晶硅、单晶硅片)材料已成为当务之急。
虽然光伏产业的发展有着极好的前景,还能带来巨大的市场空间,但是在生产半导体高纯硅材料的过程中也会产生大量的废气、废水、废渣;如果不处理会造成严重的环境污染,因此在获得新的经济增长的同时要大力处理好工业三废,在低碳、环保的前提下排放,使环境、经济、社会共同获得又快又好的发展。
第二章硅的认识
2.1硅的认识
硅是分布很广的元素,在地壳中含量仅次于氧,约占地壳总质量的27.72%。
硅以二氧化硅和硅酸盐的形态存在于砂子、土壤、矿物中,自然界没有游离态的硅。
2.1.1硅的基本性质
元素符号:
Si
中文名称:
硅
英文名称:
Silicon
原子系数:
14
原子量:
28.09
常见化合价:
+2,+4
所属族数:
IVA(C、Si、Ge、Xi、Pb)
同位数放射性:
Si-28Si-29Si-30
物理性质:
硅外观成灰黑色、金属光泽、硬而脆,结构与金刚石相似,有较高的熔点沸点及硬度。
密度:
2.33熔点:
1410℃沸点:
2355℃。
化学性质:
硅在常温下,可与氟气、氢氟酸、强碱反应,不与氧气、氯气、硫酸、硝酸反应。
加热条件下,在氧气中燃烧:
Si+O2=SiO2+Q
硅在工业上用二氧化硅为原料提取:
SiO2+2C=Si+2CO↑
SiO2属酸性氧化物,不与水、及除氢氟酸以外的酸反应,但可与碱和碱性氧化物反应;
SiO2+CaO=CaSiO3
SiO2+NaOH=NaSiO3+H2O
硅在自然界的几种主要矿物;
二氧化硅(SiO2)—广泛存在与自然界中,也叫硅石,坚硬难熔的固体,代表物为石英晶体—水晶,不溶于水,弱酸
硅酸盐—硅酸钠、高岭石,构成地壳岩石的主要成分
硅酸钠—Na2SiO3—NaO·SiO2
高岭石—Al2(Si2O5)(OH)4—Al2O3·2SiO2·2H2O
2.1.2硅的几个概念
金属硅
金属硅又称结晶硅或工业硅,是通过硅矿(主要与氧化硅构成)还原熔炼得到的单质硅(SiO2+2C=Si+2CO↑)。
主要用于配制有特殊用途的合金等。
金属硅纯度一般达到98%以上。
多晶硅
多晶硅,是用前述的金属硅粉(A级Si,含Si<99.3%)为原料,经过一系列化学反应和物理提纯后,达到较高纯度的半导体硅材料。
多晶硅按用途分类可以分为电子级和太阳能电池级。
(1) 电子级(EG):
一般要求纯度达到99.9999999%—99.999999999%(9N—11N)
(2) 太阳能电池级(SG):
纯度介于工业硅与电子级硅之间,一般认为纯度≥99.9999%—99.99999%(6N—7N)。
单晶硅是多晶硅放入单晶炉内可拉制单晶硅。
单晶硅原子是沿着XYZ三个不同的方向,在空间按一定的周期有规则的排列,并沿一致的晶体学取向所堆垛起来的远程有序的晶体。
单晶硅与“多晶硅”的差异主要表现在物理性质方面,单晶硅有明显的力学性质光学性质和热学性质的各向性,以及导电性。
通过掺杂的单晶硅片具备更明显的半导体特性,从而制成太阳能电池后,可获得更高的光电转化率;也有优良的超大规模集成电路的刻蚀基板。
2.2多晶硅发展的意义
从固体电子学的观点来说,硅不是最理想的光伏材料。
但从1954年贝尔实验室研发了第一块太阳能电池板至今,硅却一直是光伏材料领域的主角。
多晶硅作为基本德太阳能电池材料占据着统治地位,它占据了80%的光伏市场,而且可以相信这种状况在今后20年中不会发生根本的转变。
这是由于多晶硅太阳能电池突出的优点所决定的,即:
(1)硅材料来源丰富、而且无毒无害;
(2)晶体硅光伏电池的光电转换效率比较稳定;
(3)随着对多晶硅电学特性的认识,多晶硅具有和单晶硅光伏电池相比拟的光电转换效率;
(4)多晶硅太阳能电池还具有低环境负荷以及性能持久优点
第三章国内外多晶硅生产情况及技术状况
3.1国内外多晶硅的生产情况
表1-1和表1-2分别是国内、国外主要多晶硅生产制造商2005-200
的产量及生产能力。
表1-1
公司
名称
产量(吨)
2005年
2006年
2007年
2008年
2009年
Hemlock
7000
7400
7700
10000
11000
Tokuyama
5200
5200
5400
5400
8400
Wacker
5000
5000
5500
6500
9000
三菱
2800
2800
2800
2800
2800
MEMC
2500
3700
5200
6400
8000
RECAsimi
2200
3000
3300
3300
3300
RECSGS
2100
2300
2700
6000
7400
表1-2
公司
名称
产量(吨)
2005年
2006年
2007年
2008年
2009年
新光硅业
0
0
0
1200
1200
洛阳硅业
0
0
300
1000
1500
峨眉半导体
300
300
440
1000
1200
从表1-1和表1-2可以看出国内多晶硅生产厂商与世界先进厂商相比年产量还有很大的差距。
同国际先进水平相比,国内多晶硅生产企业在产业化方面的差距主要表现在一下几个方面产能低,供需矛盾突出。
2006年中国太阳能用多晶硅企业开工率在20%-30%,半导体用多晶硅企业开工率在80%-90%,无法实现负荷生产。
多晶硅技术和市场仍牢牢掌握在美、日、德等几个少数国家生产厂商中,严重制约我国多晶硅产业的发展。
(1)生产规模小、现在工人的最小经济规模为1000吨/年,最佳经济规模在3000吨/年,而我国现阶段多晶硅生产企业虽然已经达到最小规模,但是离最佳规模有较大的距离。
(2)工艺设备落后,同类产品物料消耗过大,三废问题多,于国际水平相比,国内多晶硅生产物耗能耗高出1倍以上,产品成本缺乏竞争力。
千吨级工艺和设备技术的可靠性、先进性、成熟性以及各子系统的相互匹配性都有待生产运行验证,并需要进一步完善和改进。
(3)国内多晶硅生产企业技术创新能力不强,基础研究资金投入太小,尤其是非标设备的研发制造能力差。
(4)地方政府和企业项目投资多晶硅项目,存在低水平重复建设的隐患。
在这些方面中尤其以多晶硅生产技术方面的差距是最重要的。
3.2国内外多晶硅生产技术现状
目前世界上多晶硅工业化生产的主要工艺流程有新硅烷法和改良西门子法两种,其他的还有三氯氢硅流化床法等,从多晶硅生产的主要工艺技术的现状和发展趋势来看,改良西门子法技术成熟、适合产业化生产等特点,仍是目前多晶硅生产普遍采用的首选工艺。
但该技术被美、日、的等国垄断,直到2000年左右我国才寻找到机会,从俄罗斯引入然后再有关研究院的努力下,形成国内技术,攻克了多晶硅制造及产业化的基础性关键问题,使得大规模生产成为可能。
在上产多晶硅中,工艺设备性能的好坏直接影响着多晶硅生产的品质和成本,同时设备能否产期稳定、可靠运行以及设备后期维护的难度和效率也对生产影响深远。
所以选择一套性价比高的工艺设备,已经成为国内众多企业的首选。
随着多晶硅想怒红红火的开展,国内配套工艺设备相关问题也暴露出来,而且技术不成熟,因此配套工艺设备的落后已成为大力发展多晶硅生产的瓶颈。
在众多国内多晶硅生产企业中,不断的吸收国外先进技术和大力自主研发国内工艺设备,在众多多晶硅化学法生产中改良西门子技术成为首选。
3.3改良西门子技术与其他多晶硅化学法生产的比较
新硅烷法是以四氯化硅(SiCl4)为原料,进行氢化及歧化反应生成硅烷(SiH4),经提纯,热分解获得棒状多晶硅。
工艺呈闭路循环,几乎无副产物排除。
虽然新硅烷法的确有一些改良西门子法无可比拟的诸如硅烷热分解温度较低、耗电少、硅烷及氯硅烷容易提纯、产品纯度高、硅烷中含量较高(87.5%)、原料消耗少等优点,但由于硅烷是易燃易爆气体,不易保存;安全生产问题不如改良西门子法易处理;硅烷热分解炉比较复杂,硅棒直径受限制等难以改进的特点,新硅烷法在实际运用上仍未能朝贡改良西门子法,仍由改良西门子法占据主地位。
流化床反应器如图1所示,使用石英做衬垫,外包不锈钢材料形成冷却夹套,流化床垂直分离成加热区和反应区。
三氯氢硅和氢气的混合气体通过喷嘴高速喷入反应区,反应区加有小粒径硅粉作为晶种颗粒。
利用电阻加热器对加热区进行加热,加热区通过辐射方式将热量传递到反应区,在高温的反应区中,三氯氢硅和氢气在晶颗粒表面进行还原反应,通过气相沉积在晶种表面生产颗粒状多晶硅。
而产品颗粒硅又可通过粉磨系统,制取小粒径的晶种颗粒加入到流化床反应区中[3]。
1.2三氯氢硅流化床法和改良西门子法的比较
从图2可以看到:
氯氢硅流化床法利用到现有改良西门子法的全部产品流程,包括三氯氢硅合成工序、三氯氢硅精馏工序、尾气干法回收工序以及其他的公共工程。
同改良西门子法比较,唯一改变的就是还原工序,从图2可以看出,使用三氯氢硅流化床法有以下好处:
(1)通过使用流化床,连续生产过程取代了改良西门子法批次间歇生产。
(2)由于生成的直接是颗粒状多晶硅,省去了破碎和腐蚀两道工序,在用于直拉单晶硅生产中优势明显,特别是随着直拉单晶硅炉连续加料系统制造技术的发展及其在直拉单晶硅生产工艺上的应用,颗粒状多晶硅的优势更明显。
由于参加反应的颗粒硅晶种表面积大,沉积速度大幅提高,故生产效率高,大大减少了能源消耗,降低了成本。
第四章西门子改良法生产多晶硅工艺
4.1西门子改良法生产多晶硅工艺综述
这种方法的优点是节能降耗显著、成本低、质量好、采用综合利用技术,对环境不产生污染,具有明显的竞争优势。
改良西门子工艺法生产多晶硅所用设备主要有:
氯化氢合成炉,三氯氢硅沸腾床加压合成炉,三氯氢硅水解凝胶处理系统,三氯氢硅粗馏、精馏塔提纯系统,硅芯炉,节电还原炉,磷检炉,硅棒切断机,腐蚀、清洗、干燥、包装系统装置,还原尾气干法回收装置;其他包括分析、检测仪器,控制仪表,热能转换站,压缩空气站,循环水站,变配电站,净化厂房等。
(1)石英砂在电弧炉中冶炼提纯到98%并生成工业硅,其化学反应SiO2+C→Si+CO2↑
(2)为了满足高纯度的需要,必须进一步提纯。
把工业硅粉碎并用无水氯化氢(HCl)与之反应在一个流化床反应器中,生成拟溶解的三氯氢硅(SiHCl3)。
其化学反应Si+HCl→SiHCl3+H2↑反应温度为300度,该反应是放热的。
同时形成气态混合物(Н2,НС1,SiНС13,SiC14,Si)。
(3)第二步骤中产生的气态混合物还需要进一步提纯,需要分解:
过滤硅粉,冷凝SiНС13,SiC14,而气态Н2,НС1返回到反应中或排放到大气中。
然后分解冷凝物SiНС13,SiC14,净化三氯氢硅(多级精馏)。
(4)净化后的三氯氢硅采用高温还原工艺,以高纯的SiHCl3在H2气氛中还原沉积而生成多晶硅。
其化学反应SiHCl3+H2→Si+HCl。
多晶硅的反应容器为密封的,用电加热硅池硅棒(直径5-10毫米,长度1.5-2米,数量80根),在1050-1100度在棒上生长多晶硅,直径可达到150-200毫米。
这样大约三分之一的三氯氢硅发生反应,并生成多晶硅。
剩余部分同Н2,НС1,SiНС13,SiC14从反应容器中分离。
这些混合物进行低温分离,或再利用,或返回到整个反应中。
气态混合物的分离是复杂的、耗能量大的,从某种程度上决定了多晶硅的成本和该3工艺的竞争力。
改良西门子技术生产多晶硅原理图
H2+Cl2=2HCl↑
Si+3HCl=SiHCl3↑+H2(300℃-350℃)
SiHCl3+H2=Si+3HCl(1150℃)
该方法工艺成熟、稳定,使用历史较长;合成三氯氢硅反应较快;氢还原时沉积速度比四氯化硅快、生产成本较低、工艺安全;世界上最大的多晶硅企业,,如德国的瓦克电子化学公司及美国的HEMLOCK化学公司都是采用此方法。
改良西门子法是在传统西门子法工艺基础上发展起来的,该工艺以三氯氢硅为原料,在钟罩型还原炉内进行氢还原沉积反应,生成棒状多晶硅。
所谓“改良”主要在:
(1)还原、氢化及少量合成尾气,通过干法回收技术进行分离、回收,进入流程再循环。
(2)还原产物四氯化硅的氢化技术。
即将还原尾气处理得到大量的四氯化硅转化为三氯氢硅的氢化技术原料。
所以“改良”形成了闭路循环系统,副产物四氯化硅通过氢化转化为三氯氢硅大大降低了原辅料消耗,对外系统大大降低。
工艺技术经济指标明显改善。
4.2原料及辅助材料
生产所用原料为化学级工业硅粉,品级为A级硅
(1)生产所用相主要辅助材料为氯气、氢气、和氮气项目工艺特征
(2)采用闭路循环工艺流程,干法回收还原尾气和全部其他各环节尾气,大大减少原辅材料的消耗,不会对环境造成污染采用氢化工艺将难处理的四氯化硅转化为三氯氢硅返回系统使用
(3)使用高压节电还原炉。
由于对硅芯不只、大容量设备及介质循环冷却技术组成的节电还原炉,不仅降低了还原电耗,导热介质带出的热量还可以用于尾气干法回收以及其他热量工序,能量得到综合运用
(4)采用加压精馏技术提纯三氯氢硅,有利于提纯及物料输送,精馏塔冷凝器采用循环水冷却。
4.3氯化氢合成
将氢气在氯气中燃烧获得氯化氢
H2+Cl2=2HCl
液氯经蒸发器汽化后,与氢气在合成炉内(一定压力下)混合燃烧,生成气态氯化氢;该反应的发生需要一定的前提条件,及提供一定的能量,在光照或加热的条件下,二者迅速的反应,并释放出大量的热。
氯化氢的合成,是氯气在氢气中不爆炸燃烧的条件下进行,点火时,需先点燃氢气,然后再通入氯气,达到氢气与氯气稳定的燃烧。
合成装置中混合物点燃起始时刻采用遥控方式,安装了检测火焰存在与否系统以及在火焰熄灭时停止供应原料的自动化系统。
其结构和自动化控制可保证工艺制度的稳定和氢气与氯气所要求的比例,从而保证产品的质量和工艺过程的安全性。
氯化氢经空冷、水冷、深冷和雾沫分离出水后进入氯化氢缓冲罐;合成后的氯化氢(与返回的氯化氢混合)输往三氯氢硅合成工序。
4.4三氯氢硅的合成
三氯氢硅又名三氯硅烷、硅氯仿,分子式SiHCl3,分子量135.45,相对密度1.34KG/L,熔点-126.5℃,[wiki]沸点[/wiki]33.0℃,与水易分解,溶于CS2,CCl4,Cl+Cl3苯,易燃,在空气中能自燃,燃点-27.8℃,自燃点104.4℃,与空气的[wiki]爆炸[/wiki]极限:
20.2~33.2%,有刺激性气体,有毒,吸入三氯氢硅蒸汽损伤呼吸道。
_CX_y_H_lU%K四氯化硅的性质分子量169.90,相对密度1.483KG/L,熔点-70℃,沸点57.57℃,主要无色透明发烟液体具有难闻的窒息性气体,溅上皮肤会坏死,在潮湿的空气中水解放出HCL气体,遇氮气及氨剧烈反应生成氮化硅。
采用纯度不低于99%的工业硅粉为原料(主要杂质Fe、Al、Ca),经氮气加热干燥后进入三氯氢硅合成炉,与上述工序生成的氯化氢在温度区间300-320℃的沸腾层反应塔中(压力0.3-0.5Mpa)反应生成粗三氯氢硅;三氯氢硅合成包括硅粉加料系统、合成炉、干法除尘、湿法除尘和尾气分离。
硅粉加料系统完成向合成炉连续定量的供应硅粉;经沉降、漩涡分离和除尘器,除去粉尘及高氯硅烷后,经水冷和深冷,变为液态,进入合成三氯氢硅储罐。
三氯氢硅合成反应为放热反应,其反应式为:
Si+3HCl→SiHCl3+H2
副反应为:
Si+4HCl→SiCl4+2H2
Si+2HCl→SiH2Cl2(微量)
合成三氯氢硅的反应器,最早使用固定床。
合成三氯氢硅的反应是放热反应,由于硅粉导热性不良,流体流速受压降限制又不能太大,这就造成传热和温度控制的困难,炉内存在较严重的温度梯度(轴向存在一个最高温度点),这对反应的选择性和设备的强度等均极为不利。
现在,流化床反应器已经取代固定床反应器,成为普遍采用的设备。
由于流化床层内和固体激烈搅动,使床层温度分布不均,避免了局部过热。
合成三氯氢硅含量可达90%左右,并能实现生产的连续性和大规模化。
流化床技术的使用三氯氢硅合成的综合水平得到了大幅度的提高。
国内大多企业现实施采用的三氯氢硅流化床合成炉(FBR炉)系全套国外引进,不仅国内先进,技术经济指标也达到了国际先进水平。
4.5三氯氢硅合成炉反应汽气混合物除尘
除合成炉的反应产物主要含有:
SiH2Cl2、SiCl4、SiHCl3、聚氯硅烷、H2
、HCl等混合物,同时夹带一定量固体颗粒(主要是小颗粒硅粉,其次是少量的氯化盐)。
通过采用干法湿法除尘设备的组合对汽气混合物的高效除尘。
干法除尘:
通过在串联、加热的三级旋风分离器,可除去约70-80%的固体颗粒。
湿法除尘:
用SiCl4洗涤的方法进一步彻底除去混合气中的聚氯硅烷、固体颗粒
大部分氯化盐。
采用了独特的湿法除尘系统的结构方案,可以有效的捕获弥散的固体颗粒,防止管道堵塞。
此外还能将聚氯硅烷以安全的浓度,收集到液体废料当中。
4.6合成干法尾气回收
经过除尘后的混合气含有:
SiHCl3、SiCl4、SiH2Cl2、H2和HCl,通过尾气回收系统分离出氯硅烷(SiH2Cl2、SiCl4、SiHCl3),H2和HCl。
氯硅烷到精馏车间进行分离提纯,作为还原多晶硅的原料,H2回合成工序重新用于生产HCl,回收的又用于SiHCl3合成。
因此,通过该系统可以实现原料的充分回收利用。
工艺和操作与后述的干法尾气回收工序相同。
图3四氯化硅尾气回收系统工艺流程图
四氯化硅尾气回收工作原理:
(1)四氯化硅提纯:
因四氯化硅中含有一些杂质,为了得到品质高的二氧化硅和盐酸,将四氯化硅在蒸发器中蒸发,再经精馏塔提纯,使其得到纯度非常高的四氯化硅气体。
(2)四氯化硅水解:
纯的四氯化硅气体进入到水解塔内,同时循环液通过泵的作用使循环液均匀分布到各个雾化器当中,通过雾化器向下喷淋。
与进入水解塔内的四氯化硅发生反应,形成硅酸及氯化氢气体。
(3)二氧化硅的形成:
硅酸进入压滤系统进行压滤成为滤饼,再进入干燥机干燥后形成纯度为99.85%的二氧化硅。
(4)回收盐酸:
氯化氢气体进入降膜回收装置,气体与水反应生成盐酸。
同时冷却水进入本装置内对氯化氢进行冷却,以增加氯化氢的回收效率。
没有反应完的氯化氢气体再进入下一级吸收塔内,再进行一次盐酸的回收,最后气体达标排放。
4.7氯硅烷的分离机三氯氢硅的提纯
氯硅烷的分离是根据下属的原理完成的:
即根据液体混合物中各组分挥发性的差异,进行多次部分汽化、部分冷凝,通过在汽液两相间不断地传质传热过程,最终在汽相中得到较纯的易挥发组分,在液相中得到较纯的难挥发组分,使氯硅烷混合物达到分离的目的。
采用精馏塔精馏提纯是工业生产中广泛采用的净化方法之一,具有设备简单、便于制造,处理量大,操作方便,板效率高,避免引进任何试剂,分离精度可达ppb级等众多优点。
SiHCl3精馏提纯的主要设备是筛板塔,其由塔柱、冷凝器、再沸器组成。
我为了实现其稳定、连续操作,还需配备一点数量的塔顶馏出液和釜液收集罐,以及料液输送泵等。
冷凝后氯硅烷的分离和提纯采用加压精馏的方式来完成。
加压精馏(塔顶压力高于大气压力的精馏)适用于分离沸点较低的混合物,增大压力可使混合物沸点升高,所需的制冷剂温度不至于要求过低。
而且加压精馏可体改塔的处理量。
将粗三氯氢硅先进行连续粗馏,再经过连续精馏,使得到的纯三氯氢硅中的每一种受控杂质含量不超过10-8-10-9%(质量比),达到可进入还原炉生产电子级多晶硅的高纯硅三氯氢硅;粗三氯氢硅液体在进行提纯前,可机弄醒化学除硼处理;在粗馏和精馏工艺过程中产生的高、低沸物被回收利用,四氯化硅送氢化工序。
4.8三氯氢硅还原沉积多晶硅
用氢气作为还原剂,在高温下还原SiHCl3,是目前多晶硅生产的主要方法。
由于氢气易净化,而且在硅中的溶解度极低,所以氢气还原生产的多晶硅较其他还原剂(如碘、锌)所制的多晶硅纯度高得多。
在还原反应炉中预先放置原始方形硅芯棒(通常7×7mm),利用特别的启动装置对初棒进行预热,超高纯氢气和精馏提纯的三氯氢硅按一定的摩尔配比进入CVD还原炉,对硅棒直接通电来加热,在一定温度下的硅芯发热体表面上,来沉积生长多晶硅。
炉内多晶硅棒生长过程中,保持反应室较高的压力可明显提高硅的沉积速度,同时对三氯氢硅、氢气的消耗,棒温,电压和电流,冷却水温度等主要参数实施不间断的检测和调控,以保证获得结构致密、几何形状正确的棒状多晶硅产品。
三氯氢硅还原沉积多晶硅的主要反应式为:
SiHCl3+H2→Si+3HCl
4SiHCl3→Si+3SiCl4+2H2
从反应炉中排出的尾气进入尾气干法回收工序进行分离后在循环利用。
还原工艺的点好占全流程的40-50%。
该工序还原炉的电能单耗、操作技术的合理性直接影响生产成本的高低。
4.9四氯化硅氢化为三氯氢硅
四氯化硅物质的理化常数:
国标编号:
810435x.L:
}z%U_@W8J
CAS号:
10026-04-7
h
`_U1c_Wk中文名称:
四氯化硅
'S5w*Y2X7C_q_{_I_aE英文名称:
Silicontetrachloride
_e_q_?
1u_Z_B
R6j别名:
氯化硅;四氯化矽
#Y*M_b/\-ZC/}分子式:
SiCl4外观与性状无色或淡黄色发烟液体,有刺激性气味的有毒气体,易潮解
_h%q_^]_D分子量:
169.90蒸汽压55.99kPa(37.8℃)
_V_y_Z'W#C6t熔点:
-70℃沸点:
57.6℃溶解性可混溶于苯、氯仿、[wiki]石油[/wiki]醚等多数有机溶剂
_k_bh;i/M_^密度:
相对密度(水=1)1.48;相对密度(空气=1)5.86稳定性稳定
tl___t6S_i@_V*z危险标记:
20(酸性[wiki]腐蚀[/wiki]品)主要用途用于制取纯硅、硅酸乙酯等,也用于制取烟幕剂
在多晶硅生产过程中,SiHCl3在合成工序和氢还原制取多晶硅工序,会产生大量的副产物SiCl4,并随着尾气排除。
对这些尾气回收处理、分离粗馏得到的四氯化硅送四氯化硅氢化系统。
氢化是多晶硅生产中一个不可缺少的部分,其地位很重要。
在大龄副产物四氯化硅源源不断产生时,氢化是降低多晶硅生产成本及减少废物的一个重要方法。
也是全流程工艺形成闭路循环的一个重要环节。
具体是在氢化转化炉中温度达到1250℃时,保持反应室压力为0.6Mpa
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