工程与环境物探实验报告.docx
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工程与环境物探实验报告.docx
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工程与环境物探实验报告
工程与环境物探实验报告(电法实验)
班级:
空间信息与数字技术二班
采集系统:
1,多功能数字直流激电仪、多路电极转换器、干电池、Res2dinv数据处理软件、BTRC200接收与格式转换软件2,采用三电位电极系测量装置。
处理过程:
I,数据采集:
1,安装装置:
将功能数字直流激电仪,多路电极转换仪连起来,
然后连上干电池,选择36V电压。
然后连接的60个电极如下图
电极]231567ft53丽555657SH5960
N=:
23
N=4
诗•恢賈适用于丽定断面门描测1^
然后检查装置是否安装妥当。
2,参数设置:
3,
4,
ElectrodespacingisO.0ZQ.
Wennar*array
Totalnumberofdatunpointsis
PositionoFmid-pointoFarrayisgiven.
F520.7000.32022.3
Nininuinelectrodelocatianis0=0.
Nlnimupielectrodesp已匚ingisO.Q.
Totalnumbera¥dataleiielsis1G.
Totalnunb^rofelectrodesis60_
FirstelectrodeislocatedatB.QBQ_Lastelectrodeislocatedat1,2.
以及设置测量的排列类型,分别为a,p,丫排列;
仪器进入测量状态,在测量过程中仪器自动存储视电阻率值,
测量完毕后显示数据总数。
然后复位,继续重新设置参数及测量的类型,到测完丫为止。
1,
2,
准备相应软件:
在电脑上安装好BTRC200轄收与格式转换软件
和Res2dinv软件。
使用BTRC200转换数据格式,打开软件导入要处理的数据,
再保存,则数据转换完成。
重复上述操作,分别将相应实验a,p,丫的值做相应处理。
3,
将转换后的数据再用Res2dinv做进一步处理。
打开软件后,选
择要处理的数据,再进行反演操作,如下所示,选择最小二乘
反演
相应的反演成果
3305.
3035:
3050:
根据使用要求更改数据,以调整误差到要求的范围内,操作如
ExL・・m.I■■匚j.Nl4匸卫[■■■ts
操作,直到误差符合规定为止。
5,重复第3步,将每个实验所转换的数据的a,P,丫都做反演
变换,保存全部图片,用以后续分析。
三,实验结果及分析:
实验1:
(高阻大球)
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a排列结果图像
分析:
在三电位电极系测量装置42cm到66cm处下方有一高阻带,
电阻率约为-Q-m,高阻体顶部深埋处,底部深埋
处。
在a排列方式下,对于高低阻体分界面,视电阻率形成向低阻方向倾
斜的分界面,而反演得到的电阻率断面中,由高阻向低阻的方向向两
侧逐渐过渡。
B排列结果图像
分析:
在三电位电极系测量装置44cm到66cm处下方有一高阻带,
大于处。
极值,即低阻体靠近界面形成极低值,高阻体靠近界面新城极高值,向两侧逐渐过渡。
如图的1和23匕
丫排列反演结果图像
分析:
从图中可以看出,每个图像中1区域为高阻区域,2和3区域
以及其他区域为低阻区域。
结合当时实验的情况可知,1的球形高阻区域是受高阻球体的影响,2,3区域是水体。
即:
在三电位电极系测量装置42cm到66cm处下方有一高阻带,电阻率约为-Q-m,高阻体顶部深埋处,底部深埋处。
丫排列方式下高低阻体分界面的视电阻率特征与a排列方式基本相似,视电阻率形成向低阻方向倾斜的分界面,但视电阻率差异更明显,反演电阻率剖面对分界面的显示也更清晰
实验2:
(高阻水平板)
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a反演结果图像
分析:
在三电位电极系测量装置40cm到78cm处下方有一高阻带,
电阻率约为-117m,高阻体顶部深埋处,底部深埋大于处。
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B反演结果图像
分析:
三电位电极系测量装置40cm到76cm处下方有一高阻带,电阻
率约为178--271m,高阻带为水平板,其高阻水平板顶部深埋处,底部深埋大于处。
在P排列方式下,对于高低阻分界面,视电阻率形成向高阻方向倾斜的分界面,近似圆形,而反演得到的电阻率断面中,高低阻界面附近形成极值在此模型中高低阻界面比较平缓,是由于实验模型是水平板的缘故,低阻体靠近界面形成极低值,由高阻向低阻的方向向两侧逐渐过渡。
丫反演结果图像
分析:
由上图可见,在46cm到74cm处下方有一高阻带,电阻率约为1977〜306Q.m,其顶部埋深约为10cm底部埋深大于。
丫排列方式下高低阻体分界面视电阻率形成向高阻方向倾斜的分界面,但视电阻率差异更明显,反演电阻率剖面对分界面的显示也更清
实验三:
(高阻小球)
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a排列结果图像
分析:
由上图可见,在m到处下方有一高阻带,
电阻率约为一Q.m,
其顶部埋深约为
m,底部埋深大于。
在a排列方式下,
对于高低阻体分界面,视电阻率往往形成向低阻方
向倾斜的分界面,
而反演得到的电阻率断面中,高低阻界面向两侧逐
渐过渡。
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B排列结果图
分析:
由上图可见,在到处下方有一高阻带,电阻率约为101〜127Q.m,
其顶部埋深约为,底部埋深大于。
在P排列方式下,对于高低阻体分界面,视电阻率往往形成向高阻方
向倾斜的分界面,而反演得到的电阻率断面中,高低阻界面附近形成
极值,即低阻体靠近界面形成极低值,高阻体靠近界面新城极高值,
向两侧逐渐过渡。
丫排列结果图像
分析:
由图可见,在m到m处下方有一低阻带,电阻率约为一Q.m,其顶部埋深约为m,底部埋深约为m。
丫排列方式下高低阻体分界面的视电阻率特征与a排列方式基本相似,视电阻率形成向低阻方向倾斜的分界面,但视电阻率差异更明显,反演电阻率剖面对分界面的显示也更清晰
实验四:
(低阻水平板)
分析:
由上图可见,在44cm到7cm处下方有一低阻带,电阻率约为~
Q.m,其顶部埋深约为,底部埋深大于。
在a排列方式下,对于高低阻体分界面,视电阻率形成向高阻倾斜的分界面,
向两侧逐渐过渡。
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B排列结果图
分析:
由上图可见,在48cm到74cm处下方有一低阻带,电阻率约为~
Q.m,其顶部埋深约为,底部埋深.
在P排列方式下,对于高低阻体分界面,视电阻率形成向高阻方向倾斜的分界面,而反演得到的电阻率断面中,低阻的两侧和上面分布高阻,使高低阻的分辨更明显,因为图像反应实际情况更清晰
分析:
由上图可见,在48cm到74cm处下方有一低阻带,电阻率约为~
Q.m,其顶部埋深约为,底部埋深约.
丫排列方式下高低阻体分界面的视电阻率特征与a排列方式基本相似,视电阻率形成向低阻方向倾斜的分界面,但视电阻率差异更明显,但反演的到得断面中低阻部分布没有明显体现是水平板模型。
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