工艺流程太阳能工艺流程.docx
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工艺流程太阳能工艺流程
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苏州阿特斯阳光电力科技有限公司年产太阳能电池片200MW建设项目
环境影响报告书简本
—、项目简况
项目名称:
苏州阿特斯阳光电力科技有限公司年产太阳能电池片
200MW建设项目
建设单位:
苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
建设规模:
年产太阳能电池片200MW
建设性质:
外商独资扩建
建设地点:
江苏省苏州高新区鹿山路199号厂区二期厂房预留车间内
(—楼)
投资总额9980万美元
占地面积:
总占地66660m2(本项目车间SOOOm^),总绿化面积
19205m2(不变)
二、现有项目情况
1、现有建设项目主体工程及产品方案
现有建设项目主体工程及产品方案
序号
工程名称(车间、生
产装置或生产线)
产品名称及规格
设计能力
年运行
时数
1
太阳能电池片多晶
硅有锯新线
(6条线)
太阳能电池片
lOOMW/a
4800
2
太阳能电池片单晶
太阳能电池片
lOOMW/a
硅无锯生产线
(4条线)
3
太阳能电池组件组
装线(6条线)
太阳能电池组件
lOOMW/a
(6条线)
傑现有一期项目申报并通过审批的lOOMW/a太阳能电池组件组装项目目前尚未建设、生产,
并将取消翅目,今后卧再建设、生产;
2.现有项目公用配套工程
现有项目公用配套工程一览表
项目
建设名称
设计能力
备注
50^工程
原料等
由供应商负责送货
汽车(8t/d)
产品
由本单位用专车辆负责送货
汽车(5t/d)
公用
工程
给水、排水、供
热、供汽、供气
供电、绿化等
输送最大管径25cm
雨污分流
变压器最大输送500KVA
由高新区统一供水
1200万度/年
由高新区统一供电
绿化23685平方米
厂房施工时实施
环保工程
废气处理
酸碱雾洗涤塔
4套(4个15米排气筒)
一期项目已建设实
施(8个排气筒)
不飯燃烧塔
3套(3个15米排气筒)
活性炭吸附塔
1套(1个15米排气筒)
制纯水设施
废水处理
酸碱废气洗涤塔处理系统1
套(1个25米排气筒)
洛酸®废气洗涤+塔处理系
统1套(1个25米排气简)
有机废气活性炭吸附系统1
套(1个20米排气筒)
硅烷燃烧塔1套(1个20米
排气筒)
多孔碳酸钙+活性炭吸附塔
1套(1个25米排气筒)
膜过滤纯水设施
(iSi十规模lOOt/h)
膜过滤制纯水设施
(iSi十规模200t/h)
酸碱废水处理+混凝沉淀系
统(设计规模lOOt/h)
酸性废水处理+混凝沉淀系
统(设计规模200t/h)
(设计规模50t/h)
含洛酸废水处理设施
(设计规模50t/h)
二期扩建项目已建
设实施(5个排气
简)
-期项目已建设实
二期扩建项目已建
设实施
-期项目已建设实
二期扩建项目已建
设实施
废水(尾水)后续处理系统
(设计规模200t/h)
固废处理
零排放
有资质单位回收处
理不产生次污染
危废临时贮存场
所
50nV
一、二期项目共建实施
一般工业固废贮
存场所
50nV
成品仓库
100nf
一般原料仓库
100nf
气罐区
30nV
危险品仓库
100nr
噪声
隔音设施、合理布局、厂界绿化隔音
已实施
辅助工程
办公
建筑面积1174m2
已实施
用餐地点
面积100m2
门卫室
1个
依托工程
苏州新区第二污
水处ST
设计日处理8万吨/天,一期4万吨/天,运营稳定
3、现有(一期)项目生严工艺流程简述及产污环节
(1)—期项目工艺擁
现有项目生产工艺擁图(—期项目)
—期项目主要工序流程简述:
L硅片腐蚀(制绒)、清洗:
P型单晶硅薄片”经碱腐蚀清洗烘干,制绒主要是使用碱性溶液
腐蚀硅表面形成绒面。
清洗主要是处理制绒后的硅片表面,使其净化,用氢氟酸清洗残留的碱性物质,接®用盐酸去除表面残留的物质,最后再用纯水清洗。
此过程有废气产生,废气中含有HCI、HF、H2;此工序还有碱性废水、酸性废水产生,碱性废水中主要含有氢氧化钠,酸性废水中主要含盐酸、氢氟酸;另外在碱腐蚀过程还会有碱性废液产生,其中含有较高浓度的异丙醇。
碱腐蚀的反应方程式为:
2NaOH+Si+H2O=NaSiO3+2H2
2•硅片扩散:
硅片扩散也称磷扩散,是在氧气存在的条件下,磷源分解在硅中扩散而形成P-N结,POCb为电子级纯度,在过程中所起作用是为扩散提供磷源,各反应化学式如下:
5POCl3=3PCl5+P2O5
2P2O5+O2+6Si=4P+6SiO2
4PCl5+5O2=2P2O5+10Cl2
4POCl3+3O2=2P2O5+6Cl2
因而硅片扩散工序,有废气产生,该废气成分有P2O5、Cb等。
左刻蚀:
主要是去除边缘的N型硅,此工序为干法刻蚀,主要是利用四氟化碳和硅以及氧气的反应来去除边缘硅,其化学反应式为:
CF4+Si+O2=SiF4T+CO2T
因而此工序有未反应完全的四氟化碳和反应生成的四氟化硅气体逸出。
4去硅玻璃(PSG):
主要是用氢氟酸腐蚀硅片表面的氧化层,即清除硅片表面的Si02层,反应生成为微量的SiF4和[H2SiF6]2•少量的络合物,其Y进入酸性废水处理。
因而此工序会有少量的氢氟酸和四氟化硅挥发。
5•加减反射膜:
利用硅烷、氨气之间的反应在硅片表面形成一层加减反射膜■N2
不发生反应,作为保护气体,此工序会有少量的氨F口硅烷挥发。
6丝网E卩刷(即在硅片上E卩刷铝浆、银浆、银铝浆):
使用浆料E卩刷电极,使之形成良好接触,收集电流。
主要是使用银浆,铝浆,银铝浆,—般由金属粉末和有机溶剂以及固体树脂构成,经过烧结后有机溶剂和固体树脂都被挥发,剩余金属与硅形成合金层。
7•烧结
烧结工序主要是将E卩刷好银浆、铝浆、银铝浆的电极放入烧结炉中,使浆料中的水分、树脂及某些有机物挥发出来。
烧结自然冷却后即为成品单晶硅太阳能电池片。
(2)二期扩建项目工艺流程
委外加工多晶硅片
_三氧化铅、HF、纯水
——戡.2面禅、HCI
纯水、N1
硅片腐蚀(制绒)清洗
Gl俗酸軌HF
G2HCkHF.异丙醇
W1含俗、HF废水
W2HF、HCI废水
硅片甩干
W3清排水
POChxN"0:
硅片扩散
G3Ch
G4PO
L硅片腐蚀俐绒)、清洗:
二期扩建项目使用原材料为P型多晶硅薄片,使用碱腐蚀已无法满足产品质量需求,因此本扩建项目使用锯酸腐蚀硅表面形成绒面
(使用浓度约在1.25%X清洗主要是处理制绒后的召圭片表面,使其
净化,用氢氟酸清洗残留的碱性物质,接看用盐酸去除表面残留的物质,最后再用纯水清洗。
此过程有废气产生,废气中含有锯酸雾、HCI、
HF、H2;此工序还有含锯废水、含氟废水、酸性废水产生,同时产
生一定的废液,其中含有较高浓度的异丙醇。
2•硅片扩散:
硅片扩散也称磷扩散,是在氧气存在的条件下,磷源分解在召圭中扩散而形成P-N纟吉”POCb为电子级纯度,在过程中所起作用是为扩
散提供磷源,各反应化学式如下:
5POCl3=3PCl5+P2O5
2P2O5+O2+6Si=4P+6SiO2
4PCl5+5O2=2P2O5+10Cl2
4POCl3+3O2=2P2O5+6Cl2
因而硅片扩散工序,有废气产生,该废气成分有P2O5、Cb等。
3•刻蚀:
主要是去除边缘的N型硅,此工序为干法刻蚀,主要是利用四氟化碳和硅以及氧气的反应来去除边缘硅,其化学反应式为:
CF4+Si+O2=SiF4T+CO2T
因而此工序有未反应完全的四氟化碳和反应生成的四氟化硅气
体逸出。
4去硅玻璃(PSG):
主要是用氢氟酸腐蚀硅片表面的氧化层,即清除硅片表面的SiO2层,反应生成为为微量的SiF4和[H2SiF6严少量的络合物,其一起进入酸性废水处理。
因而此工序会有少*的氢氟瞞口四氟化硅挥发。
5•加减反射膜:
利用硅烷、氨气之间的反应在硅片表面形成一层加减反射膜,N2不发生反应,作为保护气体,此工序会有少*的氨需口硅烷挥发。
6•丝网E卩刷(即在硅片上E卩刷铝浆、银浆、银铝浆):
使用浆料E卩刷电极,使之形成良好接触,收集电流。
主要是使用银浆,铝浆,银铝浆,—般由金属粉末和有机溶剂以及固体树脂构成,经过烧结后有机溶剂和固体树脂都被挥发,剩余金属与硅形成合金层。
牌吉主要是将E卩刷好银浆、铝浆、银铝浆的电极放入烧结炉中,使浆料中的水分、树脂及某些有她挥发出来。
烧结自然冷却后即为成品单晶硅太阳能电池片。
4、现有项目污染物排放"三本帐'
现有项目污染物"三本帐"一览表(一期+二期)
类别
项目
一期(已建)
一期(在建)
公司目前
排放总
核准总
排放总
核准总
排放总
核准总
量t/a
量t/a
量t/a
量t/a
量t/a
量t/a
废气
锯酸雾
0
0
0.012
0.012
0.012
0.012
氟化物
(F)
0.064*
0.407
0.407
0.407
0.471*
0.471
HCI
0.36
0.36
0.36
0.36
0.72
0.72
异丙醇
0.04*
0.2
0.2
0.2
0.204*
0.204
Cl2
0.115
0.115
0115
0115
0.23
0.23
P2O5
0.293
0.293
0.293
0.293
0.586
0.586
NH3
0.715
0.715
0.571
0.571
1.43
1.43
SihU
0
0.0042
0.0042
0.0042
0.0042
0.0042
TVOC
0.691
0.691
0.691
0.691
1.382
1.382
废水
废水量
34.86
万
34.86
万
19.302
78万
19.302
78万
54.162
78万
54.162
78万
COD
36.52
36.52
26.523
26.523
63.043
63.043
SS
11.84
11.84
11.15
11.15
22.99
22.99
NH3-N
0.54
0.54
0.81
0.81
1.35
1.35
TP
0.108
0.108
0.163
0.163
0.27
0.27
氟化物
1.29
1.29
0.499
0.499
1.789
1.789
六价锯
0
0
0.03
0.03
0.03
0.03
总锯
0
0
0.06
0.06
0.06
0.06
固废
危险固
废
0
0
0
0
0
0
—般工
0
0
0
0
0
0
业固废
生活垃
圾
0
0
0
0
0
0
*氟化物、异丙酵由于在一期项目“三同时"验收时未检出,因此按照检出限的一半计算其
排放畳;
5、现有项目环保验收情况
1、现有苏州阿特斯阳光电力科技有限公司年产太阳能电池片100MW.太阳能电池组建100MW新建项目(一期项目)已于2008
年通过苏州市坏保局环保"三同时"竣工验收(见苏环验[2008]
2、苏州阿特斯阳光电力科技有限公司年产太阳能电池片100MW二期扩建项目目前正在进行试生产。
根据企业介绍及现场勘
查情况,目前该项目各项环保治理措施已全部到位,现已委托进行验收监测。
3、在该试生产期间,建设单位中水回用水量达到60t/h,已满足
环评批复(苏环建[2008]415号)要求的60%中水回用率。
4、现有一期项目在后续生产过程中将4条无诰生产线中的1条
改变至有链生产线,在后续的二期扩建过程中已将6条有锯生产线中的1条改变至无诰生产线,建设单位从而已满足环保主管部门环评批复对建设单位生产线设置要求。
6、现有项目主要存在的环保问题
a.未按照《江苏省排污口设置及规范整治管理办法》(苏环控
【199刀122号)的规定规范排污口标志牌;
b需进一步完善事故应急预案和应急措施;
三、本项目工程分析
1、本项目主体工程及产品方案
建设项目(技改、扩建项目)主体工程及产品方案
序
工程名称(车间、生产装置或
生产线)
产品名
称及规格
设计能力
年运
行时
数
扩建前
扩建后
增量
1
太阳能电池片多晶硅有生产线
(6条线)
太阳能
电池片
lOOMW/a
(6条线)
260MW/a
(10条
线)
160MW/a
(4条线)
4800
太阳能电池片单晶硅无锯生产线
(4条线)
太阳能
电池片
lOOMW/a
(4条线)
lOOMW/a
(4条线)
0
4800
2
太阳能电池片
多晶硅无锯生
产线(4条线)
太阳能
电池片
0
40MW/a
(1条线)
40MW/a
(1条线)
4800
2、本项目公用配套工程
本项目公用配套工程一览表
项目
建设名称
设计能力
备注
原料等
由供应商负责送货
贮运工程
按实际情况贮运
公用
工程
产品
排水
给水
供电
绿化
由本单位用专车辆负责送货
雨污分流
厂房建设实施
输送最大管径25cm
变压器最大输送500KVA
不变
膜过滤
(iSi十规模200t/h)
由高新区统一供水
由高新区统一供电
厂房施工时已实施
依托二期扩建项目
设施
含N废水膜过滤纯水设施1
賊设施
新建,委托专门单位
套(lOOt/d)
设计施工〃三同时"
含P废水膜过滤纯水设施1套(lOt/d)酸碱废气洗涤塔处理系统1
酸雾废气洗涤塔处理系统
新建凌托专门单位
环保、辅
废气处理
有机废气活性炭吸附系统1
设计施工〃三同时"
助工程
实施
硅烷燃烧塔1套含N废气洗涤塔1套含P废气洗涤塔1套
废水处理
噪声治理
固废处置
危废临时贮存场
所
-般工业固废贮
存场所
成品仓库
-般原料仓库
气罐区
酸碱废水处理+混凝沉淀系
统1套(设计规模200t/h)
含氢氟酸废水处理设施1套
(设计规模50t/h)
依扌—二期扩建项
含锯酸废水处理设施1套
(设计规模50t/h)
废水(尾水)深度处理系统
1套(设计规模200t/h)
含磷废水处理系统(lOt/d)
含氮废水处理系统(lOOt/d)
噪音隔音设施.合理布局、
厂界绿化隔音
零排放
50nV
50nV
100nr
100nf
30nV
目设施
新建凌托专门单位
设计施工〃三同时"
实施
新建,〃三同时"实
由资质单位回收处
理不产生二次污染
依托一、二期项目已
建设施
危险品仓库
100nr
办公
建筑面积1174m2
用餐地点
面积lOOm^
门卫室
1个
废水募故及消防
应急共用池
4000m31个
依托工程
苏州新区第二污
水处ST
设计日处理8万吨/天,一期4万吨/天,运营稳定
3、本项目生产工艺流程及简述
(1)含锯多晶硅生产工艺流程
委外加1:
多晶硅片
本三氧化饼.HFxHCk纯水
严dCgl
硅片腐蚀(制绒)清洗
GI俗酸雾
G2HCI
简述:
G3HF
W1含£备、HF、HCI废水
纯水、Ni
硅片甩干
W2
清排水
由于本项[细<牛2纬在工艺r瑕番•上墓平P坝5廿项目同相,只
G4Ch
G5P2O5异丙醇,不会影
POChxN"0:
有在原辅料上不在使用异丙醇淫
硅片扩散
响产品品质)/因此十屮口戲
*亠―
G6
目有锯生产线工艺濮HF、纯水
富防书现有项
仝广U心E;
去硅玻璃
G7
(2)无锯多首纯水]N2匸存^
W5
HF、SiF4
含HF废水
硅片甩干
W6
清排水
LHNO"HF、纯水
本瓦2,KOH、纯水
*八C1If*ttz-'i
银铝浆
委外加工多晶硅片加减反射膜I
GI腰雾 1If* 硅片腐蚀(制绒)清洗 硅片背面印刷银铝浆 宇气 本工艺为无馋金耳石主丁艺 POC爪Nd、0: 铝浆 1111. nMilAlI2 w|Jirj MWlTnSi 烘干 8P炖a: 废馆浆 ・H力I: 去硅玻璃 G8NI G2HCkHF W1含(N).HF废水 W2碱性废水 W3含酸(HF、HCI)废水 W4清排水专染问 G3Ch I、HNOxHF、H2SO4、纯水 G5 W6 rg雾(NOJ.HF.硫rg雾、SiF」 含(N)、HF酸性废水 n#>Ltl.1, L硅片腐蚀(制绒)、清洗: 本项目使用原材料为P(硅片类型)型多晶硅薄片,使用硝酸、氢氟酸、盐酸的混合酸(按一定比例配比)腐蚀硅表面形成绒面。 喷淋清洗处理制绒后的硅片表面,使其净化;然后再用氢氧化钾(浓度 65%)腐蚀并喷淋清洗,接《用氢氟酸、盐酸的混合酸(按一定比例配比)去除表面残留的物质,最后再用纯水喷淋清洗。 此过程有废气产生,废气中含有氮氧化物、硫酸雾、HCI、HF、H2;此工序还有含 N废水、含氟废水、酸性废水产生,同时产生一定的废液。 经以上清 洗后进行空气干燥。 2•硅片扩散: 硅片扩散也称磷扩散,是在氧气存在的条件下,磷源分解在召圭中扩散而形成P-N结,POCb为电子级纯度,在过程中所起作用是为扩散提供磷源,各反应化学式如下: 5POCl3=3PCl5+P2O5 2P2O5+O2+6Si=4P+6SiO2 4PCl5+5O2=2P2O5+10Cl2 4POCl3+3O2=2P2O5+6Cl2 因而硅片扩散工序,有废气产生,该废气成分有P2O5、Cb等。 左去硅玻璃: 本工艺分为三段腐蚀,先用硝酸、氢氟酸、硫酸的混合酸(按一定比例配比)腐蚀召圭片表面的氧化层,再用纯水喷淋清洗,再用氢氧 化钾(浓度45%)腐蚀后纯水喷淋清洗,最后用氢氟酸、硫酸的混合 酸(按一定比例配比)腐蚀后纯水喷淋清洗,以上工序为清除硅片表面的SiO2层,反应生成为为微量的SiF4和HSiFd,少量的络合物,以上清洗废水分别进入含N废水处理设施处理及酸碱废水处理设施处理。 因而此工序会有少量的氮氧化物、硫酸雾、HCI、HF和四氟化硅挥发。 5加减反射膜: 利用硅烷、氨气之间的反应在硅片表面形成一层加减反射膜,N2不发生反应,作为保护气体,此工序会有少量的氨气和I硅烷挥发。 6•丝网E卩刷(即在硅片上E卩刷铝浆、银浆、银铝浆): 使用浆料£卩刷电极,使之形成良好接触,收集电流。 主要是使用银浆,铝浆,银铝浆,—般由金属粉末和有机溶剂以及固体树脂构成,经过烧结后有机溶剂和固体树脂都被挥发,剩余金属与硅形成合金层。 牌吉主要是将E卩刷好银浆、铝浆、银铝浆的电极放入烧结炉中,使浆料中的水分、树脂及某些有她挥发出来。 烧结自然冷却后即为成品单晶硅太阳能电池片。 4、资源及能源消耗 本项目原辅材料及能源 序号 原辅料名称 年耗量 1 原料 硅片(Si) 900t(约7200万片) 2 辅料 氮气(99.99%) 690t(约85万m3) 3 硅烷(99.999%) 2800kg 4 氨气(99.999%) 2040kg 5 CF4(99.999%) 6.048t(约3760m3) 6 氧气(99.99%) 142.856t(约12.5万m3) 7 三氯氧磷(99%) 3.92t(约2333m3) 8 银浆 4200kg 9 铝浆 54000kg 10 银铝浆 4200kg 11 盐酸(36%) 134.568t 12 氢氟酸(40%分降) 449.1488t 13 =氧化锯(99.5%) 91.2t 14 硝酸(65%分析纯) 365.04t 15 氢氧化钾(45%分御) 30.12t 16 硫酸(98%: Dlk级) 2.52t 17 水处 理药 剂 聚合氯化铝(工业级、 固体) 25吨 18 高分子混凝剂(ZDlk级、 固体) 0.3吨 19 氢氧化钠(90%工业级、 固体) 16吨 19 CaCl2(70%工业级) 13吨 20 能源 水 26.37万 21 电 1200万度 5、主要生产设备、公用及贮运设备 本项目主要设备表 甩干机 / 8 台 扩散前 清洗机 / 1台 扩散炉 / 1台 扩散后 清洗机 / 1台 PECV D镀膜 机 / 1台 丝网印 刷机 / 1台 瞬炉 / 1台 冷冻机 / 2 台 空压机 / 6 台 组合式 空调净 化系统 0-20T 4 套 无 线 辅 助 新 增 设备 8 1 9 2 0 2 1 2 2 2 3 通风系统(风机) 4套为备用 4 8 套 1 水泵 / 0 台 氮气、 氧气储 罐 氧气20m3 1 个 氮气20m3 1 个 膜过滤 制纯水 设施 设计能力200t/h 1 套 含N废水膜过滤纯水设施 lOOt/d 1 套 含P废水膜过滤纯水设施 lOt/d 1 套 依 托 新 增 设备 酸性废 水处理 +混凝 沉淀系 含氢氟 酸废水 处理设 含锯酸 废水处 理设施 水)深 度处理 (中水
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- 关 键 词:
- 工艺流程 太阳能
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