华东交通大学模拟电路考试试题10套和答案.docx
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华东交通大学模拟电路考试试题10套和答案
华东交通大学2011—2012学年第二学期考试卷
试卷编号:
(B)卷
模拟电路
课程
课程类型:
必
闭卷
考试日期:
题号
一
二
三
总分
累分人
:
1
2
3
4
5
6
署名
题分
20
1510
10
10
10
12
13
100
名
签
得分
生
学
考生注意事项:
1、本试卷共6
页,总分
100
分,考试时间
120
分钟。
2、考试结束后,考生不得将试卷、答题纸和底稿纸带出考场。
试卷编号
01
一、填空(此题共
20分,每空1分):
1.整流电路的任务是__________;滤波电路的任务是__________。
号
2.在PN结的形成过程中,载流子的扩散运动是因为
__________而产生的,漂移运动是
__________作用下产生的。
3.放大器有两种不一样性质的失真,分别是
__________失真和__________失真。
学
4.在共射阻容耦合放大电路中,使低频区电压增益降落的主要原由是
__________的影响;使高频区电压增益降落的主要原由是
__________的影响。
5.在沟通放大电路中,引入直流负反应的作用是
__________;引入沟通负反应的作用是
___________。
6.正弦波振荡电路一般由__________、__________、__________、__________这四个部分构成。
7.某多级放大器中各级电压增益为:
第一级
25dB、第二级15dB、第三级60dB,放大器的总增益为
__________,总的放大倍数
为__________。
8.在双端输入、单端输出的差动放大电路中,发射极公共电阻
Re对__________信号的放大无影响,对
__________信号的放大拥有很
强的克制作用。
共模克制比
KCMR为__________之比。
9.某放大电路的对数幅频特征如图
1(在第三页上)所示,当信号频次恰巧为上限频次时,实质的电压增益为
__________dB。
级
二、判断(此题共10分,每题1分,正确的打√,错误的打×)
:
班1、()构成各样半导体器件的基础是PN结,它拥有单导游电和反向击穿特征。
2、()稳固静态工作点的常用方法主假如负反应法和参数赔偿法。
3、()在三极管的三种基本组态中,只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。
4、()若放大电路的放大倍数为负值,则引入的必定是负反应。
5、()往常,甲类功放电路的效率最大只有40%,而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。
6、()一般状况下,差动电路的共模电压放大倍数越大越好,而差模电压放大倍数越小越好。
7、()依据负反应自动调理原理,沟通负反应能够除去噪声、扰乱和非线性失真。
8、()要使放大电路的输出电流稳固并使输入电阻增大,则应引入电流串连负反应。
9、()在放大电路中引入电压负反应能够使输出电阻减小,在放大电路中引入电流负反应能够使输出电阻增大。
10、(
)在正弦波振荡电路的应用中,往常,当要求振荡工作频次大于
1MHz时,应采纳RC正弦波振荡电路。
三、选择(此题共20分,每个选择2分):
1.在放大电路中,测得某三极管的三个电极的静态电位分别为
0V,-10V,-9.3V,则此三极管是(
)
业
A.NPN型硅管;
B.NPN型锗管;
C.PNP型硅管;
D.PNP型锗管;
2.为了使放大电路Q点上移,应使基本放大电路中偏置电阻
Rb的值(
)。
专
A.增大
B.不变
C.减小
3.典型的差分放大电路中
Re(
)。
A.对差模信号起克制作用
B.对共模信号起克制作用
C.对差模信号和共模信号均无作用
4.在差动电路中,若单端输入的差模输入电压为20V,则其共模输入电压为(
)。
A.40V
B.20V
C.10V
D.5V
第1页(共3页)
5.电流源的特色是(
)。
A.沟通电阻大,直流电阻小;
B.沟通电阻小,直流电阻大;
C.沟通电阻大,直流电阻大;
D.沟通电阻小,直流电阻小。
6.影响放大电路高频特征的主要要素是(
)。
A.耦合电容和旁路电容的存在;
B.放大电路的静态工作点不适合;
C.半导体管的非线性特征;
D.半导体管极间电容和散布电容的存在;
7.对于理想运算放大器的错误表达是(
)。
A.输入阻抗为零,输出阻抗也为零;
B.输入信号为零时,输出处于零电位;
C.频带宽度从零到无量大;
D.开环电压放大倍数无量大
8.有T1、T2和T3三只晶体管,T1的β=200,ICEO=200μA;T2的β=100,ICEO=10μA;T3的β=10,ICEO=100μA,其余参
数基真同样,则适用中应选(
)
A.T1管;
B.T2管;
C.T3管
9.沟通反应是指(
)
A.只存在于阻容耦合电路中的负反应;
B.变压器耦合电路中的负反应;
C.沟通通路中的负反应;
D.放大正弦信号时才有的负反应;
10.RC桥式正弦波振荡电路是由两部分构成,即
RC串并联选频网络和(
)
A.基本共射放大电路;
B.基本共集放大电路;
C.反对比率运算电路;
D.同对比率运算电路;
四、剖析与计算(此题共
50
分):
1.(本小题10
分)电路如图
2所示,经过剖析判断反应组态,并近似计算其闭环电压增益
Ausf。
2.(本小题10
分)电路如图
3所示,u2=10V,在以下状况下,测得输出电压均匀值
Uo的数值各为多少?
(
1)正常状况时;
(2)电容
虚焊时;(3)RL开路时;(4)一只整流管和电容
C同时开路时。
3.(本小题12分)如图4所示电路中,A为理想运放,Vcc=16V,RL=8Ω,R1=10kΩ,R2=100kΩ,三极管的饱和管压降
UCES=0V,
Uo=-10V。
(1)合理连结反应电阻R2;
(2)设A输出电压幅值足够大,估量最大输出功率
Pom;(3)估量单个三极管的最大集电极
耗散功率PCM值。
中,C、C
和C
50,r
=200Ω,V
=0.7V,R=2kΩ,R=25kΩ,
4.(本小题18
分)电路图5
的容量足够大,晶体管的β=
BEQ
1
3
E
bb’
S
B1
RB2=5kΩ,RC=5kΩ,RL=5kΩ,RE1=1.7kΩ,RE2=300Ω,VCC=12V。
计算:
(1)电路的静态工作点;
(2)电压放大倍数AuS、输入电阻Ri和输出电阻RO。
图1图2
图3图4
第2页(共3页)
02
图5
试卷编号
一、填空(此题共
18分,每空
1分):
1.本征半导体中,自由电子浓度
________空穴浓度;在
P型半导体中,自由电子浓度
________空穴浓度;在N型半导体中,自由电
子浓度________空穴浓度。
2.放大电路中,测得三极管三个电极1,2,3的电位为U1
3.5V,U22.8V,U312V;则该三极管是________型,电极1为________,
2为________,3为________。
3.射极输出器的特色是:
电压放大倍数
________,输入电阻________,输出电阻________。
4.半导体三极管属________控制器件,而场效应管属
________控制器件。
5.正弦波振荡电路产生自激振荡的条件是
AF
________,φA+φB=________。
6.若希望提升放大电路的输入电阻且稳固输出电流,应采纳
________反应。
7.文氏电桥正弦波振荡器用________网络选频,当这种电路产生振荡时,该选频网络的反应系数
F=________,F=________。
二、简答(此题共10分,每题5分):
1.什么是零点漂移,产生的原由是什么,克制零点漂移最有效的方法是什么?
2.什么是交越失真,如何战胜交越失真?
三、剖析与计算(此题共72分):
1.(本小题15分)放大电路如图示1,Rb18k,Rb252k,RC=8.7kΩ,Re=1.3KΩ,rbb300,+VCC=+15V,β=20,
UBE=0.7V,电容容量足够大,求:
⑴静态工作点;⑵电压放大倍数
Au;⑶输入电阻
Ri和Ro
;⑷若RS=1kΩ,求Aus;⑸若Ce
开路,求Au。
2.(本小题
12分)电路如图2所示,
Rb1
Rb2
5k
RC1
RC230k,Re
20k,T1和T2的性能一致,
VCC
15V,
VEE
15V
;rbe1
rbe2
4k
,1
2
50;试求:
⑴:
求Aud,Rid
;⑵:
电路改成从
T2的集电极与地之间输出时
Aud
第3页(共3页)
图1图2
3.(本小题15分)电路如图3所示,已知:
VCC
20V,VCC
20V,RL
8,输入电压ui
102sinwt(V),T1
和T2的性能一致,死区影响和UCES均可忽视。
试求:
输出功率
Po,电源耗费功率
PV及能量变换效率η,每管功耗PT。
4.(本小题15分)反应电路如图4所示,试回答:
⑴:
该电路引入了何种反应(极性和组态)
;
⑵:
该反应对输入和输出电阻有何影响(增大或减小)
;
⑶:
在深度负反应条件下,求电压增益
Auf。
图3
图4
5.(本小题15分)电路如图5所示,集成运放均为理想运放,试写出输出电压
Uo1,Uo2,Uo的表达式。
图5
试卷编号03
一、填空(此题共20分,每空1分):
1、构成各样半导体器件的基础是
PN结,它拥有
和
特征。
2、稳压二极管依据击穿机理能够分为
击穿和
击穿。
3、三极管正常工作(起放大作用)一定具备的两个外面条件是
和
。
4、多级放大电路内部各级之间常用的耦合方式有
耦合、
耦合和
耦合。
5、在集成电路中,高阻值电阻多用
BJT或FET等有源器件构成的
电路来取代。
6、乙类互补对称功率放大电路的输出波形会出现
,在整个信号周期内,三极管的导通角θ等于
。
7、在集成运放中,一般采纳差分放大电路来战胜
现象。
8、负反应放大电路产生自激振荡的主要原由是在低频或高频段的
,要除去它,则一定采纳
的方法来损坏电路自激振
荡的条件。
9、在深度负反应条件下,闭环增益主要取决于
,而与开环增益基本没关。
10、正弦波振荡电路主要由
、
、
和
这四个部分构成。
二、单项选择(此题共
20分,每题2分):
1.当温度高升时,二极管反向饱和电流将(
)。
A增大
B减小
C
不变
D等于零
第4页(共3页)
2.当稳压管在正常稳压工作时,其两头施加的外面电压的特色为()。
A反向偏置但不击穿B正向偏置但不击穿C反向偏置且被击穿D正向偏置且被击穿
3.直接耦合放大电路存在零点漂移的原由主假如()。
A电阻阻值有偏差B晶体管参数的分别性
C晶体管参数受温度影响D受输入信号变化的影响
4.差动放大电路的主要特色是()。
A有效放大差模信号,有力克制共模信号;B既放大差模信号,又放大共模信号
C有效放大共模信号,有力克制差模信号;D既克制差模信号,又克制共模信号。
5.互补输出级采纳射极输出方式是为了使()。
A电压放大倍数高B输出电流小C输出电阻增大D带负载能力强
6.集成运放电路采纳直接耦合方式是因为()。
A可获取较高增益B可使温漂变小
C在集成工艺中难于制造大电容D能够增大输入电阻
7.放大电路在高频信号作用下放大倍数降落的原由是()。
A耦合电容和旁路电容的影响B晶体管极间电容和散布电容的影响
C晶体管的非线性特征D放大电路的静态工作点设置不适合
8.当信号频次等于放大电路的fL和fH时,放大倍数的数值将降落到中频时的()。
A0.5倍B0.7倍C0.9倍D1.2倍
9.在输入量不变的状况下,若引入反应后(),则说明引入的是负反应。
A输入电阻增大B输出量增大C净输入量增大D净输入量减小
10.在RC桥式正弦波振荡电路中,当相位均衡条件知足时,放大电路的电压放大倍数()时电路能够起振。
A等于1/3B等于1C等于3D略大于3
三、剖析与计算(此题共60分):
1.(本小题20分)如图1所示电路中,设电路中VCC=12V,各个电容的容量足够大,Rb1=Rc=RL=5kΩ,Rb2=25kΩ,Re=1kΩ,Rf=300Ω,晶体管的β=100,UBE=0.7V,rbb’=100Ω。
(1)估量电路静态工作点;
(2)画出简化的h参数等效电路;
(3)计算电压放大倍数Au、输入电阻Ri和输出电阻Ro。
2.(本小题10分)电路如图2所示,此中A1、A2、A3、A4均为理想运放,试推导出输出电压uO与输入电压uI1、uI2的关系式。
图1图2
3.(本小题10分)试判断图3所示的两个电路能否有可能产生正弦波振荡,如可能振荡,指出该电路属于什么种类,并写出其振荡频次的近似表达式,设电容Cb,Ce很大,在沟通通路中可视为短路,图(a)中L1、L2之间的互感为M。
第5页(共3页)
图3(a)
图3(b)
4.(本小题20分)电路如图4所示,已知R=2.4KΩ,C=0.1μF,集成运算放大器的性能理想,运放的电源电压为±
8V,由A1构成的
电路能够产生稳固的正弦波输出,
R4=R5=10kΩ,UR=2V,稳压管的稳固电压为±
6V,试回答以下问题:
(1)
在图中标出A1的同相输入端和反相输入端(上“+”下“-”仍是上“-”下“+”?
);
(2)
写出Rt与R1的关系表达式,指出Rt应拥有正仍是负温度系数;
(3)
求出输出正弦波的频次
f0;
(4)
画出输出电压uO与uO1的传输特征曲线;
图4
试卷编号04
一、填空(此题共20分,每空1分):
1.共射极放大电路中,若增添输入的正弦波信号,第一出现输出电压顶部削平的失真,这种失真是________失真,原由是静态工作点
偏________。
2.在集成运放中,电流源电路的主要作用有两种:
一是为放大电路供应适合的________,二是作为放大电路的________。
3.场效应管的转移特征如图1所示。
由图可知该管的IDSS=________,UGS(off)=________。
4.负反应放大电路产生自激振荡的幅度条件是________,相位条件是________。
5.在放大电路中,引入电压负反应能够稳固________、降低________。
6.串连型稳压电路一般由调整管、________电路、________电路、________电路这几个部分构成。
7.多级放大电路常有的三种耦合方式为:
阻容耦合、
________耦合和________耦合。
8.从构造上看,集成运放往常由________电路、输入级、________和输出级四部分构成。
9.功率放大电路如图2。
(设UBE>0时,管子立刻导通,忽视管子的饱和压降)电路最大输出功率
POmax=________,最大效率
max=________,T1和T2的耐压
iD(mA)
+VCC(+12V)
U(BR)CEO
起码应为________。
6
T1
3
uI
RL
uo
T
2
8
图
1
-6
-3
0
u
GS
图2
-VCC(-12V)
12分):
(V)
二、判断(此题共
1.(本小题4分)
电路如图
3所示。
试用相位均衡条件判断能否有可能产生振荡。
图中电容
CE、CB、CS、CG的容量足够大,对沟通来
说可视为短路。
3.(本小题8分)电路如图
4(a)和(b)所示。
图中各电容的容量足够大,试判断电阻
R引入的反应种类。
(说明反应是正、负、交
流、直流、电压、电流、串连、并联反应中的哪些种类)
第6页(共3页)
图3
图4(a)
图4(b)
三、剖析与计算(此题共
68分):
5所示。
此中,管子的
β=50,r
=300Ω,U
=0.6V,
1.(本小题20分)放大电路及参数如图
bb’
BE
(1)画出直流通路,估量电路的静态工作点
IBQ、IEQ、UCEQ;
(2)画出沟通通路,计算电路的放大倍数
Au、输入电阻Ri和输出电阻Ro的值;
2.(本小题10分)电路如图6所示,A为理想运放,R1=1kΩ,Rf=10kΩ,RE=1kΩ,Vcc=9V,
(1)判断电路所属的反应组态;
(2)在深度负反应条件下,近似计算此电路的电压放大倍数。
图5图6
3.(本小题10分)文氏电桥振荡电路如图7所示。
(1)请在图中标出运算放大器A两个输入端的正、负极性;
(2)估量知足起振条件时电阻R1起码应为多少?
(3)设运放A拥有理想的特征,若要求振荡频次为480Hz,试计算R的阻值。
4.(本小题10分)一单电源互补对称功放电路如图8所示,设Ui为正弦波,晶体管的饱和管压降UCES可忽视不计,最大不失真输出功率为9W,求:
(1)电源电压起码应为多少?
(2)若输入电压Ui的最大有效值为8V,此时负载上能够获取的最大功率为多少?
图7图8
第7页(共3页)
5.(本小题18分)电路如图9所示。
图中A1~A4均为理想运算放大器,稳压管DZ的稳压值UZ=12V,uI1与uI2均为直流电压信号。
(1)求uO1,uO2;
(2)写出uO3的表达式,设t=0时,uC=0;
(3)已知t=0时,uO4=+12V,问接通电源多长时间后uO4变为-12V?
。
图9
试卷编号05
一、填空(此题共20分,每空1分):
1、N型半导体中多半载流子是________,P型半导体中多半载流子是________。
2、PN结的导电特征是________。
3、晶体管工作在放大状态的外面条件是发射结________,集电结________。
4、晶体管是温度的敏感元件,当温度高升时其参数ICBO________,VBE________,β________。
5、经测试某电路中晶体管的基极电位为0.7V,发射极电位为0V
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- 华东 交通大学 模拟 电路 考试 试题 10 答案