1112年度第1学期《检测技术》复习题答案.docx
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1112年度第1学期《检测技术》复习题答案
01、某测量长度的仪器,测量10mm的长度,绝对误差为0.001mm,该仪器精度为(B)。
A:
0.005级B:
0.02级C:
0.05级D:
0.1级
最大引用误差rom=(δm/L)×100%=(0.001mm/10mm)×100%=0.01%
02、在正态分布曲线中,标准误差σ值愈大,则分布曲线愈(B)。
A:
尖锐B:
平坦C:
对称D:
收敛
03、某线性移位测量仪,当被测位移由4.5mm变到5.0mm时,位移测量仪的输出电压由3.5V减至2.5V,则该仪器的灵敏度为(A)。
A:
-2V/mmB:
2V/mmC:
0.5V/mmD:
-0.5V/mm
S=Δy/Δx=(2.5-3.5)V/(5.0-4.5)mm=-2V/mm
04、某长度测量装置,量程为20cm,测量值与拟合直线间最大偏差为3mm,线性度为(B)。
A:
3/200B:
1.5%C:
0.67%D:
3%
Ef=Δm/YFS×100%=3mm/20cm×100%=1.5%
05、某压力表,量程为50~100kgf/cm2,校验后发现其最大绝对误差为0.75kgf/cm2,其精度应该定为(C)级。
A:
0.5B:
1.0C:
1.5D:
2.0
最大引用误差rom=(δm/L)×100%=(0.75/50)×100%=1.5%
06、根据拉依达准则,若某个测量值的剩余误差超过(C),则认为该测量值是坏值,应予剔除。
A:
σB:
2σC:
3σD:
σ/n
07、仪表的精度是指(A)。
A:
精密度与正确度B:
精密度C:
正确度D:
线性度
08、一个测量系统中,测量的准确度由(B)来表征。
A:
随机误差B:
系统误差C:
静态误差D:
动态误差
09、一台测量范围为0~800℃的仪表,已知其绝对误差的最大值为+6℃及-5℃,它的精度等级为(A)。
A:
1级B:
0.5级C:
1.5级
最大引用误差rom=(δm/L)×100%=(6/800)×100%=0.75%
10、用0.5级0~300V电压表测量100V电压时,最大相对误差为(A)。
A:
1.5%B:
0.5%C:
0.5VD:
1.5V
最大绝对误差δm=L×rom=300×0.5%=1.5v
最大相对误差ro=(1.5v/100)×100%=1.5%
13、某温度测量仪表测量范围为0~500℃,使用后重新校验,发现最大误差为±6℃,问此表现在应定为几级(B)精度。
A、1.0B、1.2C、1.5D、2.0
rom=(δ/L)×100%=(±6℃/500℃)×100%=1.2%
14、某线性移位测量仪,当被测位移由4.5mm变到5.0mm时,位移测量仪的输出电压由3.5V减至2.5V,时求该仪器的灵敏度是(C)V/mm。
A、1.0B、-1C、2D、-2
解:
S=Δy/Δx=(2.5-3.5)V/(5.0-4.5)mm=-1V/0.5mm=-2V/mm
15、金属电阻丝的应变灵敏度系数K0为(D)。
A:
1+2μB:
(1+2μ)Δl/l
C:
(1+2μ)Δl/l+Δρ/ρD:
(1+2μ)+(Δρ/ρ)/(Δl/l)
16、电阻应变片接入电桥电路时,如果电桥两个臂接入应变片,称为(B)。
A:
单臂工作电桥B:
半桥形式C:
全桥形式D:
等臂电桥
17、金属铜电阻与温度的关系为(A)。
A:
线性关系B:
非线性关系C:
恒值关系D:
交变关系
18、对于直径为d的圆形截面电阻丝,当长度变化Δl时,面积的相对变化率ΔA/A为(B)。
A:
2μΔl/lB:
-2μΔl/lC:
πd2/4D:
-πd2/4
19、热电阻传感器接入电桥应为(B)形式。
A:
二线制B:
三线制C:
四线制D:
补偿电阻
20、热敏电阻的热电特性曲线是(C)。
A:
恒值B:
交变C:
非线性D:
线性
21、金属电阻丝应变片的应变值ε是指(B)。
A:
ΔR/RB:
Δl/lC:
-2μΔl/lD:
Δρ/ρ
22、温度系数为4.25×10-31/℃,Rt0=53Ω的铜电阻,当Rt=73Ω时,对应被测温度是(A)℃。
A:
88.8℃B:
53℃C:
73℃D:
225℃
Rt=R0(1+αt)t=(Rt/R0-1)/α=(73Ω/53Ω-1)/4.25×10-31/℃=88.79℃
23、热电阻测量转换电路采用三线制是为了(B)
A、提高测量灵敏度 B、减小引线电阻的影响C、减小非线性误差 D、提高电磁兼容性
24、变面积式电容传感器的灵敏度为(C)。
K=-εb/d
A:
变值B:
与面积大小有关变量C:
常数D:
角位移的一次函数
25、电容传感器极板面积为A,其静态电容量为C0=εA/d,其中d为间隙,ε为介电常数。
当活动极板移动x后,若x< A: C0(1-x/d)B: C0(x/d-1)C: C0(1+x/d)D: C0(1+x/d) 26、湿敏电容是通过改变(C)测量相对湿度的。 A: 极板面积B: 极板间隙C: 介电常数D: 控制电流 27、差动变压器利用(B)原理测量位移的。 A: 自感B: 互感C: 紧耦合电感臂电桥D: 交流电桥 28、相敏整流的特点是(C)。 A: 输出反应输入的大小和输入的相位B: 输出是直流 C: 输出反应输入的大小和输入的方向。 D: 输出是交流 29、压电传感器适用于测量(B)。 A: 静态力B: 动态力C: 动态和静态D、对称力 30、当沿着(C)轴方向受力时不产生压电效应。 A、X轴B、Y轴C、Z轴D、Y轴和X轴 31、当晶片受到X向的拉力作用时产生的电荷极性与(C)产生的电荷极性相同。 A、Y向拉力B、Z向拉力C、Y向压力D、Z向压力 32、当压电陶资在沿极化方向Z轴受力和沿极化方向Y轴受力分别产生的电荷极性(C)。 A、同为正B、同为负C、相反D上正下负 33、的热电动势由(D)组成。 A: 电极反电动势B: 电荷积累形成电势 C: 温差电势D: 接触电势与温差电势 34、下面哪一种金属材料可以作为热电偶的标准金属(C)。 A: 镍B: 铜C: 铂D: 钨 35、用n支热电偶(型号相同)作并联测量,每支热电偶输出热电动势分别为E1、E2、E3、En,则总的热电势为(D)。 A: E1+E2+E3+……+EnB: n(E1+E2+E3+……+En) C: E1/nD: (E1+E2+E3+……+En)/n 36、某热电偶测温,已知E(t,tn)=2.5mV,E(tn,0)=0.16mV,当t0<tn<t时,E(t,0)为(B)。 A: 2.5mVB: 2.66mVC: 2.34mVD: 0.16mV 37、热电偶AB回路中接入第三种导体C,C两端温度为t0,热端温度为t, EABC(t,t0)为(A)。 A: EAB(t)-EAB(t0)B: EAB(t)+EAB(t0)C: EAB(t,0)D: EAB(t0,0) 38、热端为100℃,冷端为0℃,镍铬合金与铂组成热电偶的热电动势为2.95mV,而考铜与铂组成热电偶的热电动势为-4.0mV,则镍铬-考铜热电偶在该温度段的热电动势为(B)。 A: 1.05mVB: 6.95mVC: +4.0mVD: -6.95mV 39、欲测量0~700℃的炉温,温度传感器宜选用(D)。 A: 集成温度传感器B: 热敏电阻C: 铜电阻D: 镍铬-镍硅热电偶 40、热电偶测温时采用补偿导线是为了(C)。 A: 补偿热端温度B: 补偿冷端温度C: 将冷端延伸到恒温处 41、热电偶的标准电极定律,可以用式(B)来表示。 A: EABC(t,t0)=EAB(t)-EAB(t0)B: EAB(t,t0)=EAC(t,t0)-EBC(t,t0) C: EAB(t,t0)=EAB(t,tn)+EAB(tn,t0)(t0<tn<t) 42、当沿着X轴对晶片施加力时,将在垂直于X轴的表面上产生电荷,这种现象称为(C)。 A、纵向压阻效应B、横向压阻效应C、纵向压电效应D、横向压电效应 43、对一块半导体材料的某一轴向施加一定的载荷产生应力时,其电阻率会发生变化的效应称为(C)。 A、电阻应变效应B、压电效应C、压阻效应D、压敏效应 44、静电屏蔽可以消除或削弱两电路之间由于(D)而产生的干扰。 A、漏电流藕合B、电磁藕合C、共阻抗藕合D、静电藕合 45、当晶片受到(A)的压力作用时,产生的电荷与晶片的几何尺寸无关。 A、X轴方向B、Y轴方向C、Z轴方向D、X轴和Y轴方向 46、国际上采用直流电流(C)作为统一的标准信号。 A、0~5mAB、1~5mAC、0~10mAD、0~20mA 47、温度的变化对光敏晶体管的(D)。 A、亮电流影响较小暗电流的影响小B、亮电流影响较大暗电流的影响大 C、亮电流影响较大暗电流的影响小D、亮电流影响较小暗电流的影响大 48、硅光电池的光电特性表明光电池的短路电流在很大范围内与光照度成(B)关系。 A、恒定B、线性C、非线性D、不确定 49、硅光电池的光电特性表明光电池的开路电压流光照度成(C)关系。 A、恒定B、线性C、非线性D、不确定 50、利用外光电效应制成的光电元件是(D)。 A、光敏晶体管B、光电池C、光敏电阻D、光电管、 51、基于外光电效应的光电元件有(A)。 A、光电管B、光敏电阻C、光敏晶体管D、光电池 52、霍耳系数RH表示为(B): A、1/nqdB、1/ndC、1/ndµD、KH/µ 53、霍耳灵敏度KH表示为(A). A、1/nqdB、1/ndC、1/ndµD、RH/µ 54、在无外加磁场或无控制电流的情况下,霍耳元件产生输出电压的称为(B); A、不等位电压B、零位电压C、自激场零电压D、霍耳电压 55、黑白光栅栅线密度ρ等于(B)线/mm A、20-100B、25-250C、150-2000D、150-2400 56、闪耀光栅栅线密度ρ等于(D)线/mm。 A、20-100B、25-250C、150-2000D、150-2400 57、信噪比可表示为(D)。 A、10lg(Ps/Pn)或20lg(Un/Us)B、10lg(Pn/Ps)或20lg(Us/Un) C、10lg(Pn/Ps)或20lg(Un/Us)D、10lg(Ps/Pn)或20lg(Us/Un) 58、共模干扰抑制比表示为: (B) A、20lg(Unm/Ucm)或20lg(Kcm/Knm)B、20lg(Ucm/Unm)或20lg(Knm/Kcm) C、20lg(Ucm/Unm)或20lg(Kcm/Knm)D、20lg(Unm/Ucm)或20lg(Knm/Kcm) 59、用导电良好的金属材料做成的接地电磁屏蔽层,可同时起到(D)两种作用。 A、电磁屏蔽B、电磁屏蔽和驱动屏蔽C、静电屏蔽和驱动屏蔽D、静电屏蔽和电磁屏蔽 60、在直流或低频测量系统中,多采用(B)的方法来隔离。 A、变压器隔离B、光电藕合C、电磁耦合D、静电耦合 01、在相同的条件下,多次重复测量同一量时,误差的大小和符号保持不变,或按照一定规律变化,这种误差称为(系统误差)。 02、当置信系数为3时,算数平均值与真值的误差落在其置信区间的置信概率为(99.7%)。 03、某长度测量仪的量程为100mm,绝对误差的最大值为0.5mm,其精度为(0.5)级。 04、实测的测量系统输入-输出曲线与拟合直线之间最大偏差与满量程输出的百分比称为(线性度)。 05、在相同条件下,多次测量同一量时,其误差的大小和符号以不可预见的方式变化,这种误差称为(随机误差)。 06、一般模拟式仪表的分辨率规定为(最小刻度分格值的)一半。 数字式仪表的分辨率是(最后一位的)一个字。 07、工业仪表常见的精度等级有(0.1、0.2、0.5、1.0、1.5、2.0、2.5、5.0)等八级。 08、精度等级为1.0的仪表,使用时(最大引用误差)为±1.0%。 09、精度等级为1.0的仪表,在整个量程内的(绝对误差最大值)不会超过其量程的±1.0%。 10、通常用精密度高表示(随机误差)小。 通常用正确度高表示(系统误差)小。 11、系统误差和随机误差都很小,意味着(精确度)高。 12、导体或半导体在外力作用下产生机械形变时,其电阻值相应发生变化的物理现象,称为(电阻应变)效应。 13、热敏电阻按其性能可以分成(正、负温度系数型)热敏电阻及(临界温度型)热敏电阻。 14、对一块半导体材料的某一轴向施加一定的载荷产生应力时,其电阻率会发生变化的效应称为(压阻)效应。 15、电阻应变片的电阻值分为(60、120、200)等三种规格。 16、电阻应变片接入桥路时,如果电桥两个臂接入应变片称为(双臂工作电桥或半桥形式)。 17、长度为L,截面积为A,电阻率为ρ的金属丝,受轴向应力为σ作用被拉伸时,其相对的电阻变化率为 (ΔR/R=(Δρ/ρ)+(Δl/l)-(ΔA/A))。 ΔR/R=[1+2μ+(Δρ/ρ)/(Δl/l)](Δl/l)=K0ε 或: ΔR/R=(1+2μ)ε+(Δρ/ρ) k0=[1+2μ+(Δρ/ρ)/(Δl/l)] 18、分度号用Pt100表示的铂电阻其在0℃时的阻值为(100)Ω。 19、已知某铜热电阻在0℃时的阻值为50Ω,则其分度号是(Cu50)。 20、为金属电阻丝的应变灵敏度系数k0,表示(单位应变)引起的电阻相对变化。 21、电容式传感器有三种类型,分别是(变面积式)、(变间隙式)、(变介电常数式)。 22、某角位移型的电容传感器,初值为C0,当动片有一角位移θ时,此时的电容值为(C0(1-θ/π))。 23、变极距型电容传感器只有当满足(x< 24、电感式传感器有三种形式,分别称为(变气隙型)、(变面积型)、(螺管型)。 25、差动变压器的零点残余电动势是由于(制作上的不对称)及(铁芯位置)因素所造成的。 26、影响差动变压器输出线性度和灵敏度的主要因素是(零点残余电动势E0)的存在。 27、变间隙式电感传感器,导磁体的磁阻远远小于空气的磁阻则: 传感器的输出电感为近似为 (L=N2μ0A/2δ)。 A为铁心截面积,μ0为空气磁导率,N为线圈匝数,δ为空气隙厚度, 28、变间隙δ式自感传感器,其L与δ曲线为(双曲线)。 29、变间隙δ式自感传感器的衔铁的位移一般不能超过(0.1~0.2)δ0。 30、电感式传感器其电感L与气隙δ成(非线性);与磁通截面积A成(正比)。 31、电涡流传感器的灵敏度主要受到(被测体大小)影响. 32、电涡流式传感器可以对表面为(金属导体)的物体实现多种物理量的(非接触)测量, 33、某些晶体,在一定方向受到外力作用时,内部将产生极化现象,相应地在晶体的两个表面产生符号相反的电荷;当外力作用除去时,又恢复到不带电状态。 当作用力方向改变时,电荷的极性也随着改变,这种现象称为(压电效应)。 34、石英晶体有三个晶轴,分别是(光轴、z轴)、(电轴、X轴)、(机械轴、Y轴)。 35、当沿着X轴对晶片施加力时,将在垂直于X轴的表面上产生电荷,这种现象称为(纵向压电效应)。 36、沿着Y轴对晶片施加力的作用时,电荷出现在与X轴垂直的表面上,称之为(横向压电效应)。 37、横向压电效应产生的电荷为(qxy=dxy(a/b)Fy)。 38、纵向压电效应产生的电荷为(qxx=dxx×Fx)。 39、横向压电效应产生的电荷与纵向压电效应产生的电荷的关系是(dxy(a/b)Fy=—dxx×Fx)。 40、当晶片受到X向的压力作用时,产生的电荷与晶片的几何尺寸(无关)。 41、沿机械轴方向向晶片施加压力时,产生的电荷与几何尺寸(有关)。 42、沿Y轴的压力产生的电荷与沿X轴施加压力所产生的电荷极性是(相反)的。 43、压电陶瓷具有(电畴)结构的压电材料。 44、压电陶硅通常取它的极化方向为(Z轴)。 45、当压电陶资在沿极化方向Z轴受力时,则在(垂直于Z)轴的表面上将会出现电荷为(q=dzzF)。 46、压电陶瓷在受到Y轴的作用力F时,则在(垂直于Z)轴的上下平面上分别出现正、负电荷 (q=-dzYFAX/AY); 47、⑴、电涡流传感器可以用来探测诸多与(电涡流)有关的参数。 48、由电磁感应原理产生的旋涡状感应电流称为(电涡流),这种现象称为(电涡流)效应。 49、电涡流传感器中,利用阻抗Z作为变量的转换电路属于(调幅电路) 50、电涡流传感器中,利用电感L作为变量的转换电路属于(谐振电路)。 51、将n支同型号热电偶依次正负极相连接组成串联测量线路,若单支热电偶输出的热电动势为E,则电路总的输出电势为(nE)。 52、光电传感器一般由(光源、光学通路、光电元件)三部分组成。 53、光电传感器的常用光源有: (发光二极管、钨丝灯泡、激光)等三种。 54、光电元件一般分成(真空和半导体)光电元件两大类。 55、用光照射某一物体,可以看做是一连串能量为hν的光子轰击在这个物体上,此时光子能量就传递给电子,并且是一个光子的全部能量一次性地被一个电子所吸收,电子得到光子传递的能量后其状态就会发生变化,从而使受光照射的物体产生相应的电效应,这种物理现象称为(光电效应)。 56、通常把光电效应分为三类(外光电效应、内光电效应、光生伏特效应) 57、在光线作用下能使电子逸出物体表面的现象称为(外光电)效应; 58、基于外光电效应的光电元件有(光电管、光电倍增管)等。 59、在光线作用下能使物体的电阻率改变的现象称为(内光电)效应。 60、基于内光电效应的光电元件有: (光敏电阻、光敏晶体管)等。 61、在光线作用下,物体产生一定方向电动势的现象称为(光生伏特效应); 62、基于光生伏特效应的光电元件有: (光电池)等。 63、要使电子逸出阴极表面成为光电子的必要条件是: (hν>A: A为电子逸出阴极材料的逸出功)。 64、对每一种阴极材料,入射光都有一个确定的频率限,当人射光的频率低于此频率限时,不会产生光电子发射,此频率限称为(红限)。 65、红限相应的波长为(λk=hc/A)。 66、在光电管内形成空间电子流,称为(光电流Iφ)。 67、在光线的作用下其阻值往往变小,这种现象称为(光导效应);光敏电阻又称(光导管)。 68、光敏电阻在室温和全暗条件下测得的稳定电阻值称为(暗阻)。 69、光敏电阻在室温和全暗条件下,流过暗阻的电流称为(暗电流)。 70、光敏电阻在室温和一定光照条件下测得的稳定电阻值称为(亮阻)。 71、光敏电阻在室温和一定光照条件下,流过亮阻的电流称为(亮电流)。 72、亮电流与暗电流之差称为(光电流)。 73、光敏电阻伏安特性近似(直线),而且没有(饱和)现象。 74、光源向各个方向射出的光功率。 也即每一单位时间射出的光能量称为(光通量);以φ表示,单位为流明(lumen、简称lm)。 75、光源照射到单位面积上的光通量称为(光照度);用E表示。 照度的单位为勒克斯(Lux,简称lx) 76、光敏电阻的光电流与光照度E之间的关系称为(光电)特性。 77、光敏电阻的光电特性呈(非线性)。 78、光敏电阻的相对灵敏度Kr与不同波长的人射光的关系,称为光敏电阻的(光谱)特性。 79、光敏电阻的相对灵敏度Kr与光强变化频率f之间的关系曲线,称为(频率)特性。 80、在一定照度下,光敏电阻两端所加的电压与流过光敏电阻的电流之间的关系称为(伏安)特性。 81、光敏晶体管通常指光敏二极管和光敏三极管,它们的工作原理也是基于(内光电)效应; 82、光敏二极管在电路中通常处于(反向偏置)状态, 83、在人射光照度一定时,光敏晶体管的相对灵敏度随光波波长的变化而变化的特性称为(光谱)特性; 84、光敏三极管在不同照度下电流与电压的关系称为光敏三极管的(伏安)特性。 85、光敏三极管在外加偏置电压一定时,光敏晶体管的输出电流和光照度E的关系称为(光电)特性。 86、光敏晶体管受调制光照射时,相对灵敏度与调制频率的关系称为(频率)特性。 87、光敏三极管的伏安特性,是改变(光照度E(lx)),从而得到的一簇Uce-Ie曲线。 88、光电(照)特性指外加偏置电压一定时,光敏晶体管的输出电流和(光照度E)的关系。 89、光电池对不同波长的光,其灵敏度是不同的特性称为(光谱)特性。 90、光电池在不同的光照度下,光生电动势和光电流是不相同的特性称为(光电)特性。 91、光电池输出电流与人射光调制频率的关系称为光电池的(频率)特性。 92、光电池是一种(自发电式)的光电元件,它受到光照时自身能产生一定方向的电动势,在不加电源的情况下,只要接通外电路,便有电流通过。 93、光电池在不同的光照度下,光生电动势和光电流是不相同的特性称为硅光电池的(光电)特性。 94、硅光电池的光电特性表明: 开路电压与光照度的关系是(非)线性的,而且在光照E变为(2000)1x时就趋于饱和; 95、硅光电池的光电特性表明: 而短路电流在很大范围内与光照度成(线性)关系。 96、光电池在接近短路的状态工作,也就是把光电池作为(电流源)来使用。 97、硅光电池的频率特性较好,工作频率的上限约为(数万)Hz; 98、光电池在检测连续变化的光照度时,应当尽量使光电池在接近(短路)的状态工作, 99、霍耳传感器是利用半导体材料的(霍耳)效应进行测量的一种传感器。 100、霍耳传感器可以直接测量(磁场及微位移量),也可以间接测量液位、压力等工业生产过程参数。 101、在置于磁场中的导体或半导体里通入电流,若电流与磁场垂直,则在与磁场和电流都垂直的方向上会出现一个电势差,这种现象称为(霍耳效应)。 102、在洛仑兹力的作用下,电子向一侧偏转,使该侧形成负电荷的积累,另一侧则形成正电荷的积累。 在A、B两端面因电荷积累而建立了一个电场EH,称为(霍耳电场)。 103、霍耳电场EH可表示为(EH=vB) 104、霍耳电压UH表示为(KHIB)。 105、霍耳系数表示为(RH=1/nq): 106、霍耳系数RH,它表示一个霍耳元件在单位控制电流和单位磁感应强度时产生的(霍耳电压)的大小; 107、霍耳元件灵敏度KH表示为(RH/d),它的单位是m/V(mA.T); 108、霍耳元件灵敏度KH是在单位磁感应强度和单位激励电流作用下,霍耳元件输出的(霍耳电压值)。 109、霍耳元件灵敏度KH不仅决定于载流体材料,而且取决于它的(几何尺寸)(KH=1/nqd)。 110、霍耳元件的控制电流恒定时,磁场B愈大,霍耳电压UH(愈大)。 111、当磁场B改变方向时,霍耳电压UH(也改变)方向。 112、当霍耳灵敏度RH及磁感应强度B恒定时,增加控制电流I,也可以(提高)霍耳电压UH的输出。 113、在同样磁场强度、相同尺寸和相等功耗下,不同材料的元件输出的霍耳电压UHm仅仅取决于(µρl/2),即取决于(材料本身的性质)。 114、霍耳元件的温度特性是指元件的(内阻及输出)与温度之间的关系。 115、对于国产HZ-1型霍耳元件,α=0.04%,β=O.5%,Ri0=110Ω时,输
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