材基第三章习题及答案.docx
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材基第三章习题及答案
第三章作业与习题得解答
一、作业:
2、纯铁得空位形成能为105kJ/mol。
将纯铁加热到850℃后激冷至室温(20℃),假设高温下得空位能全部保留,试求过饱与空位浓度与室温平衡空位浓度得比值。
(e31、8=6、8X1013)
6、如图2-56,某晶体得滑移面上有一柏氏矢量为b得位错环,并受到一均匀切应力τ。
(1)分析该位错环各段位错得结构类型。
(2)求各段位错线所受得力得大小及方向。
(3)在τ得作用下,该位错环将如何运动?
(4)在τ得作用下,若使此位错环在晶体中稳定不动,其最小半径应为多大?
解:
(2)位错线受力方向如图,位于位错线所在平面,且于位错垂直。
(3)右手法则(P95):
(注意:
大拇指向下,P90图3、8中位错环ABCD得箭头应就是向内,即就是位错环压缩)向外扩展(环扩大)。
如果上下分切应力方向转动180度,则位错环压缩。
(4)P103-104:
;
∴
注:
k取0、5时,为P104中式3、19得出得结果。
7、在面心立方晶体中,把两个平行且同号得单位螺型位错从相距100nm推进到3nm时需要用多少功(已知晶体点阵常数a=0、3nm,G=7﹡1010Pa)?
(;1、8X10-9J)
8、在简单立方晶体得(100)面上有一个b=a得螺位错。
如果它(a)被(001)面上b=a[010]得刃位错交割。
(b)被(001)面上b=a[100]得螺位错交割,试问在这两种情形下每个位错上会形成割阶还就是弯折?
((a):
见P98图3、21,NN′在(100)面内,为扭折,刃型位错;(b)图3、22,NN′垂直(100)面,为割阶,刃型位错)
9、一个得螺位错在(111)面上运动。
若在运动过程中遇到障碍物而发生交滑移,请指出交滑移系统。
对FCC结构:
(11-1)或写为(-1-11)
10、面心立方晶体中,在(111)面上得单位位错,在(111)面上分解为两个肖克莱不全位错,请写出该位错反应,并证明所形成得扩展位错得宽度由下式给出:
应为
(为切变模量,为层错能)
(P116式3、33,两个矢量相乘得积=|b1|˙|b2|˙cos(两矢量夹角)
11、在面心立方晶体中,(111)晶面与晶面上分别形成一个扩展位错:
(111)晶面:
=A+B
晶面:
=C+D
两个扩展位错在各自晶面上滑动时,其领先位错相遇发生位错反应,求出新位错得柏氏矢量;用图解说明上述位错反应过程;分析新位错得组态性质。
(交线/位错线[-110];
4种可能反应:
领先A-领先C:
a/6[110],A-D:
a/6[301],B-C:
a/6[03-1],B-D:
a/3[110];
中间两种位错不够稳定,继续分解出a/6[110]、另一分解得位错之后再与C或A反应,形成D或B;前三种反应最终结果为:
B-(111)层错-a/6[110]-(11-1)层错-D。
几乎所有教科书将该组态称为面角位错,就是最低能态得稳定结构。
注意:
固定位错(不能滑移,如滑移面不在FCC得{111}面得纯刃型不全位错)(例如:
位错线方向为[-110],柏矢为a/6[110]),加上两个相交{111}面(例如交于[-110])上两片得层错及相应得不全位错a/6<112>得复杂位错组态称为面角位错。
)
后一种为A-(111)层错-a/3[110]-(11-1)层错-C。
但从能量角度考虑,层错宽度较窄,在外力作用下易被压缩(即分解组态--扩展位错得束集),面角位错组态在交线处合并成a/2[110]固定位错--压杆位错,滑移面为(001)。
14、为什么空位就是热力学稳定缺陷,而位错就是非热力学稳定缺陷。
15、请判定下列位错反应能否进行,若能够进行,在晶胞图上做出矢量图。
(1)
(2)(均能)
二、习题解答
1.解释下列基本概念及术语
刃型位错螺型位错柏氏矢量混合位错割阶与扭折位错密度位错得应力场位错得弹性应变能线张力位错得滑移位错得攀移位错塞积柯氏气团完全位错不全位错堆垛层错层错能扩展位错位错反应肖克莱不全位错洛玛-柯垂耳位错束集弗兰克不全位错
2.简述柏氏矢量得特性
解:
(1)柏氏矢量与所作得柏氏回路得起点选择、具体途径无关。
(2)如果所作得柏氏回路包含有几个位错,则得出得柏氏矢量就是这几个位错得柏氏矢量之总与。
朝向节点得各位错得柏氏矢量之总与必然等于离开节点得位错得柏氏矢量之总与。
(3)从柏氏矢量得这些特性可知,位错线只能终止在晶体表面或晶界上,而不能中断于晶体得内部。
在晶体内部,它只能形成封闭得环或与其它位错相遇于节点。
3.证明位错线不能终止在晶体内部。
解:
设有一位错C终止在晶体内部,如图所示,终点为A。
绕位错C作一柏氏回路L1,得柏氏矢量b。
现把回路移动到L2位置,按柏氏回路性质,柏氏回路在完整晶体中移动,它所得得柏氏矢量不会改变,仍为b。
但从另一角度瞧,L2内就是完整晶体,它对应得柏氏矢量应为0。
这二者就是矛盾得,所以这时不可能得。
4.一个位错环能否各部分都就是螺型位错,能否各部分都就是刃型位错?
为什么?
解:
螺型位错得柏氏矢量与位错线平行,一根位错只有一个柏氏矢量,而一个位错环不可能与一个方向处处平行,所以一个位错环不能各部分都就是螺型位错。
刃位错得柏氏矢量与位错线垂直,如果柏氏矢量垂直位错环所在得平面,则位错环处处都就是刃型位错。
这种位错得滑移面就是位错环与柏氏矢量方向组成得棱柱面,这种位错又称棱柱位错。
5.计算产生1cm长得直刃型位错所需要得能量,并指出占一半能量得区域半径(设r0=1nm,R=1cm,G=50GPa,b=0、25nm,ν=1/3)。
解:
产生1cm长得直刃型位错所需要得能量W1等于1cm长得直刃型位错得应变能。
设占一半能量得区域半径r为10-xcm,则
由,可解得x=3、5,即r=10-3、5=3、16μm。
6.同一滑移面上得两根正刃型位错,其柏氏矢量为,相距,当远大于柏氏矢量模时,其总能量为多少?
若它们无限靠近时,其能量又为多少?
如果就是异号位错结果又如何?
解:
当两根刃型位错相距很远时,总能量等于两者各自能量之与,无论就是同号位错还就是异号位错,均有
当两根正刃型位错无限靠近时,相当于柏氏矢量为2得一个大位错得能量
当两根异号刃型位错无限靠近时,相遇相消,其总能量为零。
7.在如图所示得立方体形晶体中,ABCD滑移面上有一个位错环,其柏氏矢量平行于AC。
(1)指出位错环各部分得位错类型。
(2)指出使位错环向外运动所需施加得切应力得方向。
(3)位错环运动出晶体后晶体外形如何变化?
解:
(1)1点为正刃型位错,2点为右螺型位错,3点为负刃型位错,4点为左螺型位错,其余均为混合位错。
(2)在晶体得上下底面施加一对平行于得切应力,且下底面内得切应力与同向平行;
(3)滑移面下部晶体相对于上部晶体产生与相同得滑移,并在晶体侧表面形成相应台阶。
8.已知位错环ABCDA得柏氏矢量为,外应力为与,如图所示,问:
(1)位错环各边分别就是什么位错?
(2)如何局部滑移才能得到这个位错环?
(3)在足够大得切应力得作用下,位错环将如何运动?
晶体将如何变形?
(4)在足够大得拉应力得作用下,位错环将如何运动?
它将变成什么形状?
晶体将如何变形?
解:
(1)AB就是右螺型位错,CD就是左螺型位错;根据右手法则,BC就是正刃型位错,DA就是负刃型位错。
(2)设想在完整晶体中有一个贯穿晶体得上、下表面得正四棱柱,它与滑移面MNPQ交于ABCDA。
现让ABCDA上部得柱体相对于下部得柱体滑移,柱体外得各部分晶体均不滑移。
这样,ABCDA就就是在滑移面上已滑移区(环内)与未滑移区(环外)得边界,因而就是一个位错环。
(3)在切应力得作用下,位错环下部晶体得运动方向与得方向相同。
根据右手定则,这种运动必然伴随这位错环得各边向环得外侧运动,从而导致位错环扩大。
当位错环滑移出晶体后,滑移面上部晶体相对于下部晶体在反向平行于得方向上滑移与大小相同得距离;同时,晶体得左右两个侧面形成两个相反得台阶,台阶得宽度与得大小相同。
(4)在拉应力得作用下,左侧晶体得运动方向与得方向相同。
根据右手定则,BC位错受力向下,DA位错受力向上,而AB与CD两螺型位错不受力。
如果拉应力足够大,而且温度足够高,则BC位错向下负攀移,DA位错向上负攀移。
由于A、B、C、D四点得钉扎作用,形成了两个B-H位错源。
位错源每增殖一个位错环且位错环运动出晶体,晶体中就多一层原子面。
所增多得原子面上得原子来自于晶体中其她原子得扩散,同时在晶体中产生相应得空位,因此,虽然晶体形状不变,但就是y方向得厚度增大。
9.在下图所示得面心立方晶体得(111)滑移面上有两条弯折得位错线OS与O’S’,其中O’S’位错得台阶垂直于(111),它们得柏氏矢量如图中箭头所示。
(1)判断位错线上各段位错得类型。
(2)有一切应力施加于滑移面,且与柏氏矢量平行时两条位错线得滑移特征有何差异?
解:
(1)在两根位错线上,除1~2、3~4段为刃型位错以外,其余各段均为螺型位错。
(2)OS上得各位错段都可在该滑移面内滑移,O’S’上得1~2、3~4段位错不能运动,而其余各段都可以在该滑移面内滑移。
10.某面心立方晶体得可动滑移系为。
(1)指出引起滑移得单位位错得柏氏矢量;
(2)如果滑移就是由纯刃型位错引起得,试指出位错线得方向;
(3)如果滑移就是由纯螺型位错引起得,试指出位错线得方向;
(4)指出在上述
(2)、(3)两种情况下滑移时位错线得滑移方向;
(5)假定在该滑移系上作用一大小为0、7MPa得切应力,试计算单位刃型位错与单位螺型位错线受力得大小与方向(取点阵常数a=0、2nm)
解:
(1)引起滑移得单位位错得柏氏矢量为,即沿滑移方向上相邻两个原子间得连线所表示得矢量。
(2)设位错线方向为[uvw]。
因刃位错线与其柏氏矢量垂直,同时也垂直于滑移面法线,即
(3)因螺位错与其柏氏矢量平行,故。
(4)在
(2)时,位错线运动方向平行于;在(3)时,位错线得运动方向垂直于。
(5)在外间切应力得作用下,位错线单位长度上所受得力得大小为,方向与位错线垂直。
而
所以
F刃得方向垂直于位错线;F螺得方向也垂直于位错线。
11.晶体滑移面上存在一个位错环,外力场在其柏氏矢量方向得切应力为(G为剪切弹性模量),柏氏矢量,此位错环在晶体中能扩张得半径为多大?
解:
单位长度位错受力为:
曲率半径为R得位错因线张力而施加于单位长度位错线得力,当此力与外加应力场对位错得力相等所对应得R就就是此位错环在晶体中能扩张得半径,所以
即
12.拉伸单晶体铜,拉力轴方向为,σ=106Pa。
求在(111)上有一个得螺型位错线上所受得力(已知铜得点阵常数a=0、36nm)。
解设外加拉应力在滑移面(111)上晶向得分切应力
式中为与(111)面得法线[111]间得夹角;为与间得夹角。
所以
螺型位错线上受力为Fd
13.根据位错滑移模型解释,为什么金属得实际屈服强度比理论屈服强度低很多。
解:
晶体得理论屈服强度就是以刚性滑移模型为基础计算出得,该模型认为晶体就是完整得,不存在任何缺陷。
在外力作用下,晶体中相邻两部分晶体沿滑移面与滑移方向作整体得刚性滑移,显然,晶体滑移时外力要破坏掉滑移面上下两层原子面间得所有结合键,需要做很大得功,由此计算得理论屈服强度远高于实际屈服强度。
位错滑移模型就是建立在位错运动得基础上,该模型认为晶体滑移就是位错在滑移面上运动得结果。
当位错在滑移面上滑移时,只需要位错线中心区域得原子发生微小得移动,而远离位错线得原子位移量迅速减小,这样,位错运动仅破坏位错线中心少量原子得结合键,所做得功小得多。
位错滑移使晶体滑移阻力急剧减小,所计算得屈服强度比理论屈服强度低3~4个数量级,接近于实验值。
14.如图所示,某晶体得滑移面上有一个柏氏矢量为得位错环,并受到一个均匀得切应力。
试分析:
(1)该位错环各段位错得结构类型;
(2)求各段位错线所受力得大小及方向;
(3)在得作用下,该位错环将要如何运动;
(4)在得作用下,若该位错环在晶体中稳定不动,其最小半径应该就是多少?
解:
(1)由柏氏矢量与位错线关系可以知道:
A、B点为刃型位错,依据右手法则,A为正刃型位错,B为负刃型位错。
C点为左螺型位错,D点为右螺型位错。
其她为混合位错。
(2)各段位错所受得力得大小为,方向垂直于位错线。
(3)外加切应力,使位错环收缩。
(4)在外力与位错线得线张力作用下,位错环最后在晶体中稳定不动,此时由公式,在得作用下此位错环要稳定不动,其最小半径为。
15.当位错得柏氏矢量平行轴,请证明不论位错线就是什么方向,外应力场得分量都不会对位错产生作用力。
解在外加应力场下单位长度位错线受得滑移方向力与垂直滑移面得力分别为与,其中就是外应力场在位错滑移面滑移方向得分切应力,就是外应力场在垂直滑移面与柏氏矢量得面上得正应力。
可见,位错受力得大小与位错线得取向无关。
现在外应力场就是,在位错滑移面滑移方向得分切应力,所以位错在滑移面上所受得力为0;因位错得柏氏矢量就是方向,只有才能使位错在垂直滑移面方向受力,所以在垂直滑移面方向得力亦为0。
16.晶体中,在滑移面上有一对平行刃位错,它们得间距该多大才不致在它们得交互作用下发生移动?
设位错得滑移阻力(切应力)为9、8×105Pa,ν=0、3,G=5×1010Pa。
(答案以b表示)
解:
两个位错间在滑移方向在单位长度上得作用力为,现两个位错处于同一个滑移面,所以作用力为,其中x就是两位错得距离。
当这个力等于与大于位错滑移需要克服得阻力时,两个位错就能滑动,所以当
时两个位错就会滑动。
即
若两个位错就是同号得,则两个位错相距得距离小于上面计算得x时,2位错相斥移动到距离为x时保持不动;若2位错就是反号得,则2个位错间得距离小于上面计算得x时,2位错相吸移动直至相对消、2个位错间得距离大于x才会保持不动、
在攀移方向得作用力为0,所以不论2个位错得间距如何,都不会发生攀移。
17.在相距为h得滑移面上,有柏氏矢量为得两个相互平行得正刃型位错A、B,如图所示。
若A位错得滑移受阻,忽略派纳力,B位错需多大切应力才可滑移到A位错得正上方?
解:
将位错A置于坐标原点。
A位错产生得应力场得诸分量中只有会引起位错B得滑移,设滑移力为,由位错线所受得力得公式:
可计算出所需外加切应力得数值。
为讨论问题方便,也可以采用如图所示得极坐标。
(直角与圆柱坐标间换算:
。
)
(三角函数:
)
当,即,,两位错互相排斥,需加轴负方向得力才可使B位错向轴滑动,当时,即时,取得极大值,故B位错滑移到A位错得正上方所要克服得最大阻力为。
当B位错所处得位置,即,,两位错互相吸引,如果不考虑位错运动得晶格阻力等,无需外力,就可自动滑移至A位错得上方。
18.在面心立方晶体中把两个平行且同号得单位螺型位错以相距100nm推近到3nm时需要做多少功?
(已知晶体点阵常数a=0、3nm,切变模量G=7×1010Pa)
解:
两个平行得螺型位错(b1,b2)间得作用力
由题意知
所以
假设一个位错固定,将另一个位错从相距100nm处推倒相距3nm时,此时外力做得功为W,即
19.为什么两条运动得柏氏矢量相互垂直得螺型位错交割后产生得割阶会阻碍螺型位错得滑移运动?
解:
根据螺型位错得柏氏矢量与位错线相互平行,以及螺型位错得位错线周围得原子面呈螺旋形得特点知道,当两条位错线相互垂直,也就就是柏氏矢量相互垂直得螺型位错相遇并交割后,会在各自得位错线上产生一个刃型割阶,但就是刃型割阶得滑移面与螺型位错得滑移面不平行,割阶得滑移方向与螺型位错得滑移方向垂直。
在外力作用下,当螺型位错向前滑移时,割阶只能以攀移方式来配合螺型位错得滑移,在常温或低温下这就是不可能得。
因此,刃型割阶一定阻碍螺型位错得滑移运动。
20.简单立方晶体(100)面有1个得刃型位错。
(1)在(001)面有1个得刃型位错与它相截,相截后2个位错产生弯折还就是割阶?
(2)在(001)面有1个得螺型位错与它相截,相截后2个位错产生弯折还就是割阶?
解:
两位错相割后,在位错留下一个大小与方向与对方位错得柏氏矢量相同得一小段位错,如果这小段位错在原位错得滑移面上,则它就是弯折;否则就是割阶。
为了讨论方便,设(100)面上得刃型位错为A位错,(001)面上得刃型位错为B位错,(001)面上得螺位错为C位错。
(1)A位错与B位错相割后,A位错产生方向为[010]得小段位错,A位错得滑移面就是(100),,即小段位错就是在A位错得滑移面上,所以它就是弯折;而在B位错产生方向为得小段位错,B位错得滑移面就是(001),,即小段位错在B位错得滑移面上,所以它就是弯折。
(2)A位错与C位错相割后,A位错产生方向为[100]得小段位错,A位错得滑移面就是(100),,即小段位错不在A位错得滑移面上,所以它就是割阶;而在C位错产生方向为得小段位错,C位错得滑移面就是(001),,即小段位错在B位错得滑移面上,所以它就是弯折。
21.简单立方晶体(100)面有一个得螺型位错。
(1)在(001)面有1个得刃型位错与它相截,相截后2个位错产生弯折还就是割阶?
(2)在(001)面有一个得螺型位错与它相截,相截后2个位错产生弯折还就是割阶?
解:
为了讨论方便,设(100)面上得螺型位错为A位错,(001)面上得刃型位错为B位错,(001)面上得螺型位错为C位错。
(1)A位错与B位错相割后,A位错产生方向为[010]得小段位错,A位错得滑移面就是(100),,即小段位错就是在A位错得滑移面上,所以它就是弯折;而在B位错产生方向为得小段位错,B位错得滑移面就是(001),,即小段位错不在B位错得滑移面上,所以它就是割阶。
(2)A位错与C位错相割后,A位错产生方向为[100]得小段位错,A位错得原滑移面就是(100),,即小段位错不在A位错原来得滑移面上,但在(010)面上,它也就是C位错得滑移面,所以它就是弯结;而在C位错产生方向为得小段位错,C位错得原滑移面就是(001),,即小段位错不在C位错得原滑移面上,但它在(010)面上,它也就是C位错得滑移面,所以它就是弯结。
22.在两个相互垂直得滑移面上各有一条刃型位错线AB与CD以及AB与EF,设其中一条位错线AB在切应力作用下发生如图所示得运动,试问交割后两条位错线得形状有何变化?
各段位错线得位错类型就是什么?
解:
(1)AB与CD位错线得形状都不变,但AB得长度缩短,CD得长度增加。
(2)AB位错上形成右螺型扭折,EF位错上形成左螺型扭折。
23.面心立方结构金属Cu得对称倾侧晶界中,两正刃型位错得间距D=1000nm,假定刃型位错得多余半原子面为(110)面,,求该倾侧晶界得倾角。
解:
面心立方结构得单位位错为,由于{110}面有附加原子面,故
由公式可求出该倾侧晶界得倾角
24.下图表示在滑移面上有柏氏矢量相同得2个同号刃位错AB与CD。
它们处在同一根直线上,距离为x,它们作F-R源开动。
(1)画出这2个F-R源增殖时得逐步过程,二者发生交互作用时,会发生什么情况?
(2)若2位错就是异号位错时,情况又会怎样?
解:
(1)因为两个位错就是同号得,并且柏氏矢量相同,所以,若在外力作用下位错源开动,两个位错都会同时开动,并且两个位错都向同一方向拱弯,如下图(b)所示。
在外力作用下,位错会继续拱弯,在相邻得位错段靠近,它们就是反号得,互相吸引,如下图(c)中得P处所示。
两段反号位错相吸对消后,原来两个位错连接一起,即形成AD位错,余下一段位错,即BC位错,这段位错与原来得位错反号,如下图(d)所示。
在外力作用下,BC位错也作位错源开动,但它得拱弯方向与原来得相反,如下图(e)所示。
BC位错继续拱弯,与AD位错在如图(f)得O及O'处相遇,因为在相遇处它们就是反号得,所以相吸对消。
最后,放出一个大位错环,并回复原来得AB与CD两段位错,如下图(g)所示。
这个过程不断重复增殖位错。
(b)若两个位错就是反号得,当位错源开动时,两个位错向相反方向拱弯,如下图(b)所示。
在外力作用下,位错会继续拱弯,在相邻得位错靠近得地方,它们就是反号得,互相吸引,如下图(c)中得P处所示。
两段反号位错相吸对消后,即形成AC与BD位错,如下图(d)所示。
AC与BD位错继续滑动,它们在下图(e)得O及O'处又相遇,在相遇处得位错也就是反号得。
反号位错相吸并对消,放出一个大位错环,同时恢复原来得AB与CD两段位错,如下图(f)所示。
这个过程不断重复增殖位错。
上述过程就是两段位错间得距离x不就是很大得情况下发生得,如果x很大,两个位错单独作为位错环开动,它们各自放出一个位错环,然后两个位错再合并成一个大位错环。
25.计算铜中全位错得柏氏矢量得长度(铜得晶格常数为0、36151nm)。
解:
已知铜为FCC结构,点阵常数为0、36151nm,其密排方向或柏氏矢量得方向为<110>。
则面对角线为:
全位错得柏氏矢量得长度为
26.试述面心立方(111)面上得扩展位错交滑移到面得过程。
解:
(111)面上得扩展位错在滑移得时候受阻,可以发生束集形成螺型全位错,其位错反应为
形成得螺型位错,位错线,可以交滑移到面上,并且扩展开,在面上形成扩展位错,即
该扩展位错可以在上继续运动,也可以发生束集,再交滑移到(111)面上,再扩展开。
27.一个得螺型位错在(111)面上运动。
若在运动过程中遇到障碍物而发生交滑移,请写出交滑移系统。
解:
所有包含螺型位错方向得面都就是滑移面,对于fcc晶体滑移面(111)来说,只有(111)与包含,故若发生交滑移,一定就是从(111)面到面。
28.为什么说面角位错(Lomer-Cottrel位错)就是稳定性最大得固定位错?
解:
固定位错就是指不能滑移得位错。
在晶体中可以形成多种类型得固定位错,由于它们自身得结构特点不同,阻碍滑移得能力也不同。
面角位错就是在面心立方晶体中形成得,当分别处在两个相交得滑移面上得扩散位错朝着滑移面得交线运动时,两个领先得肖克莱不全位错在交线处相遇并发生反应,生成柏氏矢量为得压杆位错,该位错得滑移面就是{001},而不就是晶体得密排面{111},故不能滑移,为固定位错。
压杆位错在两个滑移面上分别拖着一个层错区,并在层错区得另一边与一个肖克莱不全位错相连,两个层错区又相互呈一定得角度,这样得整个位错组态称为面角位错,它既不能在{111}面上滑移,也不能在{001}面上滑移,故面角位错就是面心立方结构中稳定性最大得固定位错。
29.阐明堆垛层错与不全位错得关系,指出面心立方结构中常产生得不全位错得名称、柏氏矢量与它们各自得特性。
解:
如果原子层得正常堆垛出现差错,即形成堆垛层错。
它可通过原子层得滑移、抽出与插入形成。
而堆垛层错终止在晶体内部,就会产生层错与完整晶体得交界线,该交界线即为不全位错得位错线。
因此可以认为不全位错就是堆垛层错得边缘。
在面心立方结构中常出现得不全位错有肖克莱不全位错,一般由滑移型层错构成,其柏氏矢量为,它得特点就是可以就是刃型、螺型与混合型肖克莱不全位错,因为它得柏氏矢量与层错面共面,并且其滑动面就是晶体得滑移面,所以它可以进行滑移运动,但刃型肖克莱不全位错不能攀移,螺型肖克莱不全位错不能交滑移运动。
另外在面心立方结构中还常出现弗兰克不全位错,一般由抽出或插入型层错构成。
其柏氏矢量为,由于其柏氏矢量与层错面垂直,所以它只能就是刃型不全位错。
但其滑动面不就是晶体得滑移面,它不能进行滑移运动,只能进行攀移运动,属于固定位
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